● 全新霍尔效应传感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模拟输出和数字 SENT 协议。● 卓越的角度测量以及符合 ISO 26262 标准的开发水平，以小型 SOIC8 SMD 封装为高安全要求的汽车和工业应用场景提供支持。TDK 株式会社近日宣布，其 Micronas 直接角霍尔效应传感器系列产品增添了新成员，现推出面向汽车和工业应用场景的全新 HAL® 3927* 传感器。HAL 3927 采用集成断线检测的
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TDK 3D HAL 位置传感器
IT之家 10 月 11 日消息，美光公司今天发布新闻稿，进一步扩展了 1β（1-beta）工艺节点技术，推出 16Gb DDR5 内存。美光演示的 1β DDR5 DRAM 目前已经开始向数据中心和 PC 用户提供，峰值速度可以达到 7200 MT/s。这款新型 DDR5 内存采用先进的 high-k CMOS 器件技术，4 相时钟和时钟同步（clock-sync）1，相比较上一代性能提高 50%，每瓦性能提高了 33%。全新 1β DDR5 DRAM 产品线提供 4,800 MT/s 至 7
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美光 内存
据媒体引述内存模组制造商表示，主要半导体制造商正在增加DDR5内存的可用容量，该内存预计将在2024年成为主流。预计到2023年底，他们的DDR5内存bit销售额合计将占bit销售额总额的30-40%。DDR5是第5代双倍数据速率同步动态随机存取内存，又称DDR5 SDRAM。相比DDR4，DDR5在带宽，频率上优势都是非常明显的。今年来，DDR5的动态频繁传来：三星方面，该公司于今年5月量产12纳米级16Gb DDR5 DRAM，于9月已成功开发12nm级32Gb DDR5 DRAM。三星表示，全新12
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DDR5 内存
3D ToF智能相机能藉助飞时测距（Time of Flight；ToF）技术，在物流仓储现场精准判断货物的摆放位置、方位、距离、角度等资料，确保人员、货物与无人搬运车移动顺畅，加速物流仓储行业自动化。2020年全球疫情爆发，隔离政策改变人们的消费模式与型态，导致电商与物流仓储业出现爆炸性成长；于此同时，人员移动的管制，也间接造成人力不足产生缺工问题，加速物流仓储行业自动化的进程，进而大量导入无人搬运车AGV（Automated Guided Vehicle）／AMR（Autonomous Mobile
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3D ToF 相机 物流仓储 自动化 台达
台积电、英特尔等大厂近年来不断加大对异构集成制造及相关研发的投入。随着 AIGC、8K、AR/MR 等应用的不断发展，3D IC 堆叠和 chiplet 异构集成已成为满足未来高性能计算需求、延续摩尔定律的主要解决方案。不久前，华为公布了一项芯片堆叠技术的新专利，显示了该公司在芯片技术领域的创新实力。这项专利提供了一种简化芯片堆叠结构制备工艺的方法，有望解决芯片堆叠过程中的各种技术难题。堆叠技术可以提高芯片的效率，并更好地利用可用空间，进一步推动芯片技术的进步。尽管目前该专利与将两个 14nm 芯片堆叠成
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CPU EDA 内存
三星电子宣布已开发出其首款
7.5Gbps（千兆字节每秒）低功耗压缩附加内存模组（LPCAMM）形态规格，这有望改变个人计算机和笔记本电脑的 DRAM（动态随机存取存储器）
市场，甚至改变数据中心的DRAM市场。三星的突破性研发成果已在英特尔平台上完成了系统验证。三星LPCAMM内存模组结构示意图截至目前，个人计算机和笔记本电脑都在使用传统的 LPDDR DRAM 或基于 DDR 的
So-DIMM（小型双重内嵌式内存模组）。然而受结构限制，LPDDR需要被直接安装在设备的主板上，导致其在维修
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三星 LPCAMM 内存 内存模组
IT之家 9 月 12 日消息，根据韩国 The Elec 报道，三星电子和 SK 海力士两家公司加速推进 12 层 HBM 内存量产。生成式 AI 的爆火带动英伟达加速卡的需求之外，也带动了对高容量存储器（HBM）的需求。HBM 堆叠的层数越多，处理数据的能力就越强，目前主流 HBM 堆叠 8 层，而下一代 12 层也即将开始量产。报道称 HBM 堆叠目前主要使用正使用热压粘合（TCB）和批量回流焊（MR）工艺，而最新消息称三星和 SK 海力士正在推进名为混合键合（Hybrid Bonding
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三星 海力士 内存
这两年，DRAM内存芯片、NAND闪存芯片都需求疲软，导致价格持续处于地位，内存、SSD硬盘产品也越来越便宜。不过，这种好日子似乎要结束了。根据集邦咨询最新研究报告，预计在2024年，内存、闪存原厂仍然会延续减产策略，尤其是亏损严重的闪存，但与此同时，至少在2024年上半年，消费电子市场需求仍不明朗，服务器需求相对疲弱。由于内存、闪存市场在2023年已经处于低谷，价格也来到相对低点，因此 预计在2024年，内存、闪存芯片的市场需求将分别大涨13.0％、16.0％，相比今年高出大约6.5个、5.0
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内存 闪存
近日，三星电子宣布计划在明年生产第 9 代 V-NAND 闪存，据爆料，这款闪存将采用双层堆栈架构，并超过 300 层。同样在 8 月，SK 海力士表示将进一步完善 321 层 NAND 闪存，并计划于 2025 年上半期开始量产。早在 5 月份，据欧洲电子新闻网报道，西部数据和铠侠这两家公司的工程师正在寻求实现 8 平面 3D NAND 设备以及超过 300 字线的 3D NAND IC。3D NAND 终究还是卷到了 300 层……层数「争霸赛」众所周知，固态硬盘的数据传输速度虽然很快，但售价和容量还
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V-NAND 闪存 3D NAND
动态随机存取存储器 (DRAM) 是一种集成电路，目前广泛应用于需要低成本和高容量内存的数字电子设备，如现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机。技术进步驱动了DRAM的微缩，随着技术在节点间迭代，芯片整体面积不断缩小。DRAM也紧随NAND的步伐，向三维发展，以提高单位面积的存储单元数量。（NAND指“NOT AND”，意为进行与非逻辑运算的电路单元。）l 这一趋势有利于整个行业的发展，因为它能推动存储器技术的突破，而且每平方微米存储单元数量的增加意味着生产成本的降低。l DRAM技
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3D DRAM 泛林
由于各大企业对布局AI领域的兴趣激增，同时，SK海力士在用于生成式AI领域的高带宽存储器（HBM）DRAM方面处于市场领先地位，其二季度用于AI领域的高性能DRAM销售增长强劲，对高端DRAM的需求增长了一倍多。继英伟达之后，全球多个科技巨头都在竞购SK海力士的第五代高带宽内存HBM3，包括AMD、微软和亚马逊等等。
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HBM 高带宽 内存 海力士 三星 美光
MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印机主板方案，该方案主控 MCU LPC5528 是一颗 Cortex-M33 内核的高性能 MCU，主频达到 150MHz，拥有 512KB 片上 Flash ，256KB RAM ，有多个 Timer，多路 PWM，多种通信接口，支持 16 位的 ADC，资源丰富。 该方案支持 3.5 寸触摸屏显示，480*320 分辨率，支持 SD 卡、 U 盘传输打印资料给打印机，支持 5 轴电机控制，支
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3D 打印机 NXP LPC5528
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