- 近日，外媒《BusinessKorea》报道称，三星的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示正在加速3D DRAM商业化，并认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法，据称这将改变存储器行业的游戏规则。3D DRAM是什么？它将如何颠覆DRAM原有结构？壹摩尔定律放缓，DRAM工艺将重构1966年的秋天，跨国公司IBM研究中心的Robert H. Dennard发明了动态随机存取存储器（DRAM），而在不久的将来，这份伟大的成就为半导体行业缔造了一个影响巨大且市场规模超千亿美元的产业帝国。DRA
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3D DRAM 存储器
- 据外媒《BusinessKorea》报道，三星电子的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示正在加速3D DRAM商业化，并认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法。三星电子半导体研究所副社长兼工艺开发室负责人Lee Jong-myung于3月10日在韩国首尔江南区三成洞韩国贸易中心举行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被认为是半导体产业的未来增长动力。考虑到目前DRAM线宽微缩至1nm将面临的情况，业界认为3~4年后新型DRAM商品化将成为一种必然，而不是一种方向。与现有
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存储 3D DRAM
- 国内EDA行业领导者芯和半导体，由于其Metis平台在2.5D/3DIC Chiplet先进封装设计分析方面的杰出表现，近日在半导体行业国际在线平台3D InCites的评选中，获封2023“Herb Reiter 年度最佳设计工具供应商奖”称号。 “Xpeedic芯和半导体去年宣布Chipletz采用了Metis平台用于智能基板产品的设计，这一事件引起了我们极大的关注。“3D InCites创始人Françoise von Trapp表示，” 我们非常兴奋芯和半导体今年首次参加3D InCi
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芯和半导体荣 3D InCites Herb Reiter 年度最佳设计工具供应商奖
- 国内EDA行业领导者芯和半导体，由于其Metis平台在2.5D/3DIC Chiplet先进封装设计分析方面的杰出表现，近日在半导体行业国际在线平台3D InCites的评选中，获封2023“Herb Reiter 年度最佳设计工具供应商奖”称号。 “Xpeedic芯和半导体去年宣布Chipletz采用了Metis平台用于智能基板产品的设计，这一事件引起了我们极大的关注。“3D InCites创始人Françoise von Trapp表示，” 我们非常兴奋芯和半导体今年首次参加3D
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芯和半导体 3D InCites Herb Reiter年度最佳设计工具供应商奖
- 本文将解析使 3D NAND、高级 DRAM 和 5nm SoC 成为可能的架构、工具和材料。要提高高级 SoC 和封装（用于移动应用程序、数据中心和人工智能）的性能，就需要对架构、材料和核心制造流程进行复杂且代价高昂的更改。正在考虑的选项包括新的计算架构、不同的材料，包括更薄的势垒层和热预算更高的材料，以及更高纵横比的蚀刻和更快的外延层生长。挑战在于如何以不偏离功率、性能和面积/成本 (PPAC) 曲线太远的方式组合这些。当今的顶级智能手机使用集成多种低功耗、高性能功能的移动 SoC 平台，包括一个或多
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3D NAND DRAM 5nm SoC
- 近日，努比亚宣布，将在MWC 2023上，公布全球首款由AI引擎驱动3D平板：努比亚Pad 3D。但裸眼3D本身早已不是什么新鲜技术， 这难免让人怀疑这款努比亚Pad 3D的最大卖点，是否会向其他同类产品一样，沦为“空中楼阁”。而今天，努比亚打消了用户的这一顾虑。今天，努比亚官方宣布， 努比亚Pad 3D将搭载全球最大的Leia 3D内容生态系统，包含大量运用裸眼3D技术的App，并获得了来自多个包括Unity、UNREL等游戏引擎，以及GAMELOFT等游戏开发商的内容支持。
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努比亚 MWC 3D 游戏引擎
- IT之家 2 月 7 日消息，据韩媒 Business Korea 报道，在内存半导体行业持续低迷的情况下，全球 NAND 闪存市场第四大公司西部数据宣布将进一步缩减设备投资和生产。西部数据 1 月 31 日在 2022 年第四季度业绩电话会议上表示，2023 财年设备投资总额将达到 23 亿美元（当前约 156.17 亿元人民币）。据IT之家了解，这一数字比 2022 年 10 月披露的 27 亿美元（当前约 183.33 亿元人民币）下降了 14.8%，与 2022 年 8 月公布
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NAND 内存 西部数据
- IT之家 2 月 6 日消息，据澜起科技披露的投资者关系活动记录，澜起科技近日在接受机构调研时表示，公司 2022 年 9 月宣布在业界率先推出 DDR5 第一子代时钟驱动器（简称 CKD 芯片）工程样片，并已送样给业界主流内存厂商，该产品将用于新一代台式机和笔记本电脑内存。据介绍，在 DDR5 初期，桌面端台式机和笔记本电脑的 UDIMM、SODIMM 模组需要搭配一颗 PMIC 和一颗 SPD，暂不需要 CKD 芯片。当 DDR5 数据速率达到 6400MT / s 及以上时，PC 端内存如
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澜起科技 CKD 芯片 内存
- 双方将通过立体摄像头数据融合技术演示3D立体深度视觉， *AIoT 、AGV小车和工业设备依靠3D立体摄像头跟踪快速运动物体参考设计利用意法半导体的高性能近红外全局快门图像传感器，确保打造出最佳品质的深度感测和*点云图资讯2023年1月5日，中国----在 1 月 5 日至 8 日举行的拉斯维加斯CES 2023 消费电子展上，服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM)，和专
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意法半导体 钰立 CES 2023 机器视觉 3D 立体视觉摄像头
- 本文回顾3D霍尔效应位置传感器的基础知识，并描述在机器人、篡改侦测、人机接口控制和万向节马达系统中的用途；以及介绍高精密度线性3D霍尔效应位置传感器的范例。用于实时控制的3D位置感测在各种工业4.0应用中不断增加，从工业机器人、自动化系统，到扫地机器人和保全。3D霍尔效应位置传感器是这些应用的理想选择；它们具有高重复性和可靠性，还可以与窗户、门和外壳搭配，进行入侵或磁性篡改侦测。尽管如此，使用霍尔效应传感器设计有效且安全的3D感测系统可能复杂且耗时。霍尔效应传感器需要与足够强大的微控制器（MCU）介接，以
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3D位置感测 实时控制 3D 霍尔效应传感器
- SK海力士宣布，已经研发出全新、全球最快的MCR DDR5 DIMM内存， 起步速率就可以达到8Gbps，相比于标准的DDR5-4800快了多达80％ ，也追平了DDR5内存条的最高纪录—— 芝奇刚刚发售DDR5-8000。这种新内存由SK海力士联合Intel、瑞萨共同研发，面向服务器领域。MCR全称“ Multiplexer Combined Ranks ”，多路复用器组合列的意思。它采用了Intel MCR技术，通过在DRAM内存模组、CPU处理器之间加入特殊的
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SK海力士 DDR5 DIMM 内存
- IT之家 12 月 5 日消息，根据澜起科技今日披露的投资者关系活动记录，澜起科技在接受机构调研时表示，随着 DDR5 相关产品渗透率的稳步提升，2022 年第三季度公司的内存接口芯片和内存模组配套芯片收入均有所增长，从而推动互连类芯片产品线业务的增长。据介绍，内存接口及模组配套芯片的需求量和服务器内存模组的数量呈正相关。行业对内存容量的需求是持续增加的，为满足内存容量的增长需求，主要通过两种方式来实现，一是提升内存颗粒密度，二是增加内存模组数量。如果在一定时期内存颗粒密度提升放缓，则内存容量增
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内存 DDR5
- 早买早享受，晚买享折扣，这是电子产品的通用规律，2022年最值得买的电子就是存储产品了，不论内存还是SSD硬盘都在跌价，厂商的日子很难过，但是消费者确实捡到便宜了，只不过这个日子不会一直持续下去。内存价格从去年底到现在跌了快一年了，什么时候止跌反弹？这是行业内厂商都在期盼的大事，Q3季度中内存价格跌了30%，导致美光、SK海力士等公司大砍资本支出，削减产能， 2023年内存位元容量可能不会增加，甚至会有微幅下滑。不过此前的举动并没有推动内存价格止跌，由于需求下滑得实在厉害，10月到现在价格还是在
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内存 存储 价格
- 很显然内存市场的需求依然很淡，不少消费者依然没有出手，当然还是觉得厂商能继续降价。调研机构TrendForce现发布了最新的研究报告，表明目前DRAM现货报价仍在保持下跌的趋势，主要买家对未来皆抱持跌价心态，整体市况仍因大环境因素影响价格难以止跌。具体来说：DDR4 1Gx8 2666/3200 部分，SK 海力士 DJR-XNC 一般成交价在 1.95~2.00 美元左右；三星WC-BCWE报价下调至 2.08~2.10 美元，WC-BCTD 因月底即将到货而降至 2.00~2.03 美元。
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内存 DRAM，三星 SK海力士
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