内存产业复苏明确，包括旺宏、南亚科、创见、鑫创、广颖、钰创、商丞等七家公司，去年12月营收呈现月增，且2024年第一季DRAM及NAND Flash合约价续涨。然全球第二大内存生产商SK海力士计划阶段性扩产，为内存市况投下变量。海力士透露，公司可能于第一季缩小DRAM减产幅度，NAND Flash生产策略可能视情况在第二季或第三季跟着调整。针对内存大厂有意扩产，国内存储器厂商则认为，海力士扩厂应集中在DDR5和HBM（高带宽内存）产品为主，因为台湾目前产品主攻DDR4，不致影响产品报价。TrendForc
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DDR5 HBM 内存 TrendForce
开发下一代 3D NAND 闪存就像攀登永无止境的山峰。
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3D NAND
据韩媒，韩国SK海力士公司周四表示，将成立一个名为AI Infra的新部门，负责人工智能（AI）半导体相关业务，由现任全球销售营销部门负责人Kim Juseon管理。报道称，新部门将整合分散在公司内部的高带宽内存（HBM）能力和功能，还将主导新一代HBM芯片等人工智能技术的发展，寻找并开发新市场。
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SK海力士 AI HBM 内存
美光云计算高级业务发展经理 Eric Booth 90 岁的祖母患有严重的听力障碍，即使佩戴助听器也很难听清别人在说什么。Eric 注意到，她需要凑近讲话者，识别他们的唇语，努力理解他们的话语。而当多人进行交谈时，她常常会感到迷茫。Eric 萌生了一个想法：为何不用祖母的智能手机帮她来“倾听”呢？他打开手机的记事簿功能，按下麦克风按钮，向她展示了手机如何将他的话转录成屏幕上的文字。他表示：“我的祖母非常兴奋，笑得合不拢嘴，她现在可以参与到从前无法进行的对话中。”这也让我们看到了该技术如何切实改善了言语、语
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语音识别 生成式AI 机器学习 内存
● HAL 3930-4100（单芯片）和 HAR 3930-4100（双芯片）是两款精确的霍尔效应位置传感器，具备稳健的杂散场补偿能力，并配备 PWM 或 SENT 输出接口● 单芯片传感器已定义为 ASIL C 级，可以集成到汽车安全相关系统中，最高可达 ASIL D 级● 目标汽车应用场景包括转向角位置检测、变速器位置检测、换档器位置检测、底盘位置检测、油门和制动踏板位置检测**TDK株式会社利用适用于汽车和工业应用场景的新型
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TDK ASIL C 3D HAL传感器
NAND Flash现货价于8月中旬反弹，DRAM价格也在9月开始回升，内存市况确立好转，带动内存族群获利能力普遍呈现攀升。观察第三季内存族群财报，内存制造大厂包括南亚科、旺宏及华邦电仍呈小幅亏损；内存模块厂创见、威刚、广颖、品安、宇瞻单季每股税后纯益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群联单季EPS更分别有3、4元以上亮眼成绩。另从毛利率、营利率及税后纯益率三大财务指标来看，第三季财报数字呈现「三率三升」的内存厂商，则有创见、威刚、十铨、广颖、宜鼎、品安，财务成绩表现亮眼。此外，威刚14日公告10月自结财务数
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内存 NAND Flash DRAM
当地时间11月9日，存储大厂美光科技宣布推出32Gb单片芯片128GB DDR5 RDIMM内存，速度高达8000MT/s，可支持当前和未来的数据中心工作负载。据美光介绍，该产品采用美光1β(1-beta)技术，与竞争性3DS硅通孔(TSV)产品相比，位密度提高45%以上、能源效率提高高达24%、延迟降低高达16%、AI训练性能提升高达28%。该产品旨在满足数据中心和云环境中各种关键任务应用程序的性能和数据处理需求，包括人工智能(AI)、存储数据库(IMDB)）以及多线程、多核计数一般计算工作负载的高效处
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美光科技 内存 芯片
IT之家 11 月 13 日消息，韩国日报称，三星电子打破了 SK 海力士为 NVIDIA 独家供应 HBM 3 的局面，该公司计划从明年 1 月开始向英伟达提供 HBM3。有分析师预测称，今年以来一直低迷的三星电子半导体业务业绩将在明年迅速复苏。一些猜测认为，三星电子可能会在明年下半年在 HBM 市场份额上超过 SK 海力士。此前，三星电子已成功向美国 AMD 供应 HBM3 内存，但由于 AMD 在该市场的主导地位并不大，因此据说供应有限。市场研究公司 Trend Force 预测，SK 海
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三星 内存 NVIDIA
不负期待 与美光相约2023进博会2023年11月5日，第六届中国国际进口博览会正式开幕，吸引了来自世界各地的企业参展。其中，美光首次亮相进博会，为业界带来了一系列创新的内存和存储产品及解决方案，并展示了其为赋能数据经济发展，推动人工智能和5G应用进步所付出的不懈努力。深入存储四大应用领域美光的展位以“深耕存储领域，赋能数字中国”为主题，向观众展示了一系列高性能内存和存储产品。展台划分为数据中心、汽车与智能边缘领域、移动设备以及PC客户端四大应用领域，最新的产品和解决方案令人印象深刻。这些创新的
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IT之家 10 月 26 日消息，全球第二大内存芯片制造商 SK 海力士公司表示，人工智能的热潮将推动芯片利润增长，该公司在第三季度的亏损比上一季度大幅缩小。该公司在周四表示，用于人工智能的高级芯片的强劲需求，缓解了由于智能手机和电脑等设备中使用的普通芯片需求持续低迷而造成的影响。SK 海力士表示，其销售用于科技设备的 DRAM 芯片的业务，在第三季度重新盈利，而今年前两个季度都是亏损的。该芯片制造商在一份声明中说：“DRAM 业务…… 预计随着生成型人工智能的繁荣而继续改善。仍然亏损的 NAN
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SK海力士 人工智能 内存
● 全新霍尔效应传感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模拟输出和数字 SENT 协议。● 卓越的角度测量以及符合 ISO 26262 标准的开发水平，以小型 SOIC8 SMD 封装为高安全要求的汽车和工业应用场景提供支持。TDK 株式会社近日宣布，其 Micronas 直接角霍尔效应传感器系列产品增添了新成员，现推出面向汽车和工业应用场景的全新 HAL® 3927* 传感器。HAL 3927 采用集成断线检测的
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TDK 3D HAL 位置传感器
IT之家 10 月 11 日消息，美光公司今天发布新闻稿，进一步扩展了 1β（1-beta）工艺节点技术，推出 16Gb DDR5 内存。美光演示的 1β DDR5 DRAM 目前已经开始向数据中心和 PC 用户提供，峰值速度可以达到 7200 MT/s。这款新型 DDR5 内存采用先进的 high-k CMOS 器件技术，4 相时钟和时钟同步（clock-sync）1，相比较上一代性能提高 50%，每瓦性能提高了 33%。全新 1β DDR5 DRAM 产品线提供 4,800 MT/s 至 7
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美光 内存
据媒体引述内存模组制造商表示，主要半导体制造商正在增加DDR5内存的可用容量，该内存预计将在2024年成为主流。预计到2023年底，他们的DDR5内存bit销售额合计将占bit销售额总额的30-40%。DDR5是第5代双倍数据速率同步动态随机存取内存，又称DDR5 SDRAM。相比DDR4，DDR5在带宽，频率上优势都是非常明显的。今年来，DDR5的动态频繁传来：三星方面，该公司于今年5月量产12纳米级16Gb DDR5 DRAM，于9月已成功开发12nm级32Gb DDR5 DRAM。三星表示，全新12
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3D ToF智能相机能藉助飞时测距（Time of Flight；ToF）技术，在物流仓储现场精准判断货物的摆放位置、方位、距离、角度等资料，确保人员、货物与无人搬运车移动顺畅，加速物流仓储行业自动化。2020年全球疫情爆发，隔离政策改变人们的消费模式与型态，导致电商与物流仓储业出现爆炸性成长；于此同时，人员移动的管制，也间接造成人力不足产生缺工问题，加速物流仓储行业自动化的进程，进而大量导入无人搬运车AGV（Automated Guided Vehicle）／AMR（Autonomous Mobile
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台积电、英特尔等大厂近年来不断加大对异构集成制造及相关研发的投入。随着 AIGC、8K、AR/MR 等应用的不断发展，3D IC 堆叠和 chiplet 异构集成已成为满足未来高性能计算需求、延续摩尔定律的主要解决方案。不久前，华为公布了一项芯片堆叠技术的新专利，显示了该公司在芯片技术领域的创新实力。这项专利提供了一种简化芯片堆叠结构制备工艺的方法，有望解决芯片堆叠过程中的各种技术难题。堆叠技术可以提高芯片的效率，并更好地利用可用空间，进一步推动芯片技术的进步。尽管目前该专利与将两个 14nm 芯片堆叠成
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