Sandisk Corp. 正在寻求 3D-NAND 闪存的创新，该公司声称该创新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高带宽内存）用于 AI 推理应用。当 Sandisk 于 2025 年 2 月从数据存储公司 Western Digital 分拆出来时，该公司表示，它打算在提供闪存产品的同时追求新兴颠覆性内存技术的开发。在 2 月 11 日举行的 Sandisk 投资者日上，即分拆前不久，即将上任的内存技术高级副总裁 Alper Ilkbahar 介绍了高带宽闪存以及他称之为 3D 矩阵内存的东西。在同
关键字：
Sandisk 3D-NAND
英飞凌的新一代EiceDRIVER™
1ED21x7x
650V、+/-4A栅极驱动器IC与其他产品相比，提供了一种更稳健、更具性价比的解决方案。1ED21x7x是高电压、大电流和高速栅极驱动器，可用于Si/SiC功率MOSFET和IGBT开关，设计采用英飞凌的绝缘体上硅（SOI）技术。1ED21x7x具有出色的坚固性和抗噪能力，能够在负瞬态电压高达-100V时保持工作逻辑稳定。可用于高压侧或低压侧功率管驱动。1ED21x7x系列非常适合驱动多个开关并联应用，例如轻型电动汽车。基于1ED21x7x
关键字：
栅极驱动器 IC
3D DRAM 将成为未来内存市场的重要竞争者。
关键字：
3D DRAM
电池管理系统 （BMS） IC 是一个相对复杂的系统。与大多数电源管理 IC 不同，它集成了许多相互依赖的功能，这些功能必须准确、无缝、和谐地工作，才能提供功能齐全的 BMS。在任何电池供电的设备中，BMS 都是最关键和最敏感的组件之一，通常是最重要的。锂离子电池虽然功能强大，但高度敏感，如果处理不当可能会带来安全风险。保养不当也会显着缩短它们的使用寿命，导致容量减少，甚至使电池无法使用。BMS IC 是负责确保电池组运行状况、报告其状态和保持最佳性能的关键元件 - 无论是独立还是与系统处理器协作。&nb
关键字：
BMS IC 集成电路 电池管理系统
日前，紫光国微在投资者互动平台透露，公司在无锡建设的高可靠性芯片封装测试项目已于2024年6月产线通线，现正在推动量产产品的上量和更多新产品的导入工作，2.5D/3D等先进封装将会根据产线运行情况择机启动。据了解，无锡紫光集电高可靠性芯片封装测试项目是紫光集团在芯片制造领域的重点布局项目，也是紫光国微在高可靠芯片领域的重要产业链延伸。拟建设小批量、多品种智能信息高质量可靠性标准塑料封装和陶瓷封装生产线，对保障高可靠芯片的产业链稳定和安全具有重要作用。
关键字：
紫光国微 2D/3D 芯片封装
据媒体报道，近日，研究人员发现了一种使用先进的等离子工艺在3D NAND闪存中蚀刻深孔的更快、更高效的方法。通过调整化学成分，将蚀刻速度提高了一倍，提高了精度，为更密集、更大容量的内存存储奠定了基础。这项研究是由来自Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校和美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室（PPPL）的科学家通过模拟和实验进行的。根据报道，前PPPL研究员、现就职于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等离子体中发现的带电粒子是创建微电子学所需的非常小但很深的圆孔的最简
关键字：
3D NAND 深孔蚀刻
斯坦福大学教授李飞飞已经在 AI 历史上赢得了自己的地位。她在深度学习革命中发挥了重要作用，多年来努力创建 ImageNet 数据集和竞赛，挑战 AI 系统识别 1000 个类别的物体和动物。2012 年，一个名为 AlexNet 的神经网络在 AI 研究界引起了震动，它的性能远远超过了所有其他类型的模型，并赢得了 ImageNet 比赛。从那时起，神经网络开始腾飞，由互联网上现在提供的大量免费训练数据和提供前所未有的计算能力的 GPU 提供支持。在 ImageNe
关键字：
李飞飞对计算机视觉的愿景：World Labs 正在为机器提供 3D 空间智能
12月5日消息，美国当地时间周三，谷歌旗下人工智能研究机构DeepMind推出了一款新模型，能够创造出“无穷无尽”且各具特色的3D世界。这款模型名为Genie 2，是DeepMind在今年早些时候推出的Genie模型的升级版。仅凭一张图片和一段文字描述，例如“一个可爱的机器人置身于茂密的森林中”，Genie 2就能构建出一个交互式的实时场景。在这方面，它与李飞飞创立的World Labs以及以色列新兴企业Decart所开发的模型有着异曲同工之妙。DeepMind宣称，Genie 2能够生成“丰富多样的3D
关键字：
谷歌 DeepMind Genie 2 模型 3D 互动世界
Teledyne DALSA推出在线3D机器视觉应用开发的软件工具Z-Trak™ 3D Apps Studio。该工具旨在与Teledyne DALSA的Z-Trak系列激光扫描仪配合使用，可简化生产线上的3D测量和检测任务。Z-Trak 3D Apps Studio能够处理具有不同表面类型、尺寸和几何特征的物体的3D扫描，是电动汽车（电动汽车电池、电机定子等）、汽车、电子、半导体、包装、物流、金属制造、木材等众多行业工厂自动化应用的理想之选。Z-Trak 3D Apps Studio具有简化的工具，用于
关键字：
Teledyne 3D测量 Z-Trak 3D Apps Studio
据韩媒报道，称三星电子在生产 3D NAND 闪存方面取得重大突破，在其中光刻工艺中大幅缩减光刻胶（PR）用量，降幅达到此前用量的一半。报道称，此前每层涂层需要7-8cc的光刻胶，而三星通过精确控制涂布机的转速（rpm）以及优化PR涂层后的蚀刻工艺，现在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻胶，通常情况下一次工艺形成1层涂层，而使用更厚的光刻胶，三星可以一次形成多个层，从而提高工艺效率，但同时也有均匀性问题。东进半导体一直是三星KrF光刻胶的独家供应商，为三星第7代（11微米）和第
关键字：
三星 光刻胶 3D NAND
11月1日下午，第二十一届中国国际半导体博览会（IC China 2024）新闻发布会在北京举行。中国半导体行业协会副理事长兼秘书长张立、中国半导体行业协会执行秘书长王俊杰、北京赛迪出版传媒有限公司总经理宋波出席会议，分别介绍IC China 2024的举办意义、筹备情况、特色亮点，并回答记者提问。发布会由中国半导体行业协会专职副理事长兼书记刘源超主持。发布会披露，IC China 2024由中国半导体行业协会主办，北京赛迪出版传媒有限公司承办，将于11月18日—20日在北京国家会议中心举办。自2003年
关键字：
IC China 2024
台积电OIP（开放创新平台）于美西当地时间25日展开，除表扬包括力旺、M31在内之业者外，更计划推出3Dblox新标准，进一步加速3D IC生态系统创新，并提高EDA工具的通用性。 台积电设计构建管理处负责人Dan Kochpatcharin表示，将与OIP合作伙伴一同突破3D IC架构中的物理挑战，帮助共同客户利用最新的TSMC 3DFabric技术实现优化的设计。台积电OIP生态系统论坛今年由北美站起跑，与设计合作伙伴及客户共同探讨如何通过更深层次的合作，推动AI芯片设计的创新。 Dan Kochpa
关键字：
台积电 OIP 3D IC设计
（一）会议概况2024中国集成电路设计创新大会暨第四届IC应用展（ICDIA-IC Show）和第十一届汽车电子创新大会（AEIF）暨汽车电子应用展将于9月25-27日在无锡同期召开，两会共设2场高峰论坛、8场专题分会（含1场供需对接+1场强芯发布），150场报告，6000+平米展区展示，200+展商展示IC创新成果与整机应用，200+行业大咖，500+企业高管，5000+行业嘉宾参会。会议看点1、第十届汽车电子创新大会（AEIF）概况2024 AEIF技术展览规模将全面升级，聚焦大模型与AI算力、汽车电
关键字：
ICDIA-IC Show & AEIF 2024
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出新系列8款小型高压电子熔断器（eFuse IC）——TCKE9系列，支持多种供电线路保护功能。首批两款产品“TCKE903NL”与“TCKE905ANA”于今日开始支持批量出货，其他产品将陆续上市。TCKE9系列产品具有电流限制和电压钳位功能，可保护供电电路中的线路免受过流和过压状况的影响，这是标准物理熔断器无法做到的。即使发生异常过流或过压，也能保持指定的电流和电压。此外，新产品还具有过热保护和短路保护功能，当电路产生异常热量或发生意外短路时，可通
关键字：
东芝 电子熔断器 eFuse IC
3d-ic介绍
3D IC产业链依制程可概略区分成3大技术主轴，分别是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵盖芯片前段CMOS制程、晶圆穿孔、绝缘层(Isolation)、铜或钨电镀(Plating)，由晶圆厂负责。为了日后芯片堆叠需求，TSV芯片必须经过晶圆研磨薄化(Wafer Thinning)、布线(RDL)、晶圆凸块等制程，称之为中段，可由晶圆厂或封测 [
查看详细 ]
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473