光子学和电子学这两个曾经分离的领域似乎正在趋于融合。
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3D-IC
Zivid最新SDK2.12正式发布，是对我们3D视觉相机的一次绝佳更新。本次发布中，我们全新的Omni Engine有了更惊人的性能提高。Omni v2提供了更长的工作距离，速度更快，点云质量更好，特别是在透明物体上。升级要点· Omni Engine v.2我们用于捕捉透明度的最先进的3D技术已经获得了重大升级。Omni v2显著减少了与成像透明物体相关的点云伪影和错误并且可以比以前快约35%地生成这些高质量的点云。当在高端GPU上运行时，我们推荐的预设和配置的捕获时间从490毫秒减少到约315毫秒。
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Zivid 3D 机器人
根据Knometa Research的数据显示，2026年，中国大陆将超越韩国和中国台湾，成为IC晶圆产能的领先地区，而欧洲的份额将继续下降。中国大陆一直在领先优势的芯片制造能力上进行大量投资，并将从除美洲以外的所有其他地区获取市场份额。此外，KnometaResearch预计，2024年全球IC晶圆产能年增长率为4.5%，2025年和2026年增长率分别为8.2%和8.9%。截至2023年底，中国大陆在全球晶圆月产能中的份额为19.1%，落后韩国和中国台湾几个百分点。预计到2025年，中国大陆的产能份额
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IC 晶圆 半导体市场
在 AI 服务器中，内存带宽问题越来越凸出，已经明显阻碍了系统计算效率的提升。眼下，HBM 内存很火，它相对于传统 DRAM，数据传输速度有了明显提升，但是，随着 AI 应用需求的发展，HBM 的带宽也有限制，而理论上的存算一体可以彻底解决「存储墙」问题，但该技术产品的成熟和量产还遥遥无期。在这样的情况下，3D DRAM 成为了一个 HBM 之后的不错选择。目前，各大内存芯片厂商，以及全球知名半导体科研机构都在进行 3D DRAM 的研发工作，并且取得了不错的进展，距离成熟产品量产不远了。据首尔半导体行业
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3D DRAM
据国外媒体Xtech Nikkei报道，日本存储芯片巨头铠侠（Kioxia）首席技术官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布，该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。众所周知，在所有的电子产品中，NAND闪存应用几乎无处不在。而随着云计算、大数据以及AI人工智能的发展，以SSD为代表的大容量存储产品需求高涨，堆叠式闪存因此而受到市场的青睐。自三星2013年设计出垂直堆叠单元技术后，NAND厂商之间的竞争便主要集中在芯
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3D NAND 集邦咨询
2023年9月27日，在“2023北京微电子国际研讨会暨IC WORLD大会”期间，举办了一场关于双碳、可持续发展的研讨会——“集成电路下的绿水青山”。国家电网能源研究院原副院长、首席能源专家胡兆光教授分享了我国能源行业的发展现状与未来方向。
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202403 双碳 IC WORLD
从目前公开的DRAM（内存）技术来看，业界认为，3D DRAM是DRAM技术困局的破解方法之一，是未来内存市场的重要发展方向。3D DRAM与3D NAND是否异曲同工？如何解决尺寸限制等行业技术痛点？大厂布局情况？如何理解3D DRAM？DRAM（内存）单元电路是由一个晶体管和一个电容器组成，其中，晶体管负责传输电流，使信息（位）能够被写入或读取，电容器则用于存储位。DRAM广泛应用于现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机等需要低成本和高容量内存的数字电子设备。DRAM开发主要通过减小电路线宽来提高集成度
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3D DRAM 存储
AbstractTXB0104是应用在AM3352（Sitara MCU/MPU等）和EMMC
(嵌入式多媒体存储卡)芯片之间通信的双向自动检测电平转换芯片。当系统的软件资源配置不足，需要电平转换芯片自己识别信号传输方向的时候，需要注意外部硬件设计，不然可能会出现挂载时好时坏的失效情况。问题背景：EMMC与AM3352挂载失败，定位为TXB0104工作异常。实测中发现如图中线路所示：1.只有D0通道无信号，因为将D0数据线由主芯片（AM3352）侧飞线到EMMC，D0开始传输数据信号，eMMC挂载正常
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自动检测 IC TXB0104 电平 转换端口
美国新罕布什尔州曼彻斯特 - 运动控制和节能系统传感技术和功率半导体解决方案的全球领导厂商Allegro MicroSystems（纳斯达克股票代码：ALGM）（以下简称Allegro）宣布推出高压电源产品组合中的第二款产品。Allegro 的 AHV85111 隔离栅极驱动器 IC 增加了重要的安全功能，同时简化了电动汽车和清洁能源应用（包括 OBC/DC-DC、太阳能逆变器和数据中心电源）中大功率能源转换系统的设计。Allegro 副总裁兼
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Allegro Power-Thru IC 隔离栅极驱动器
开发下一代 3D NAND 闪存就像攀登永无止境的山峰。
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3D NAND
2023年11月16日消息，随着汽车的互联性不断提高、技术日益先进，对加强安全措施的需求也随之增加。各国政府和汽车OEM最新的网络安全规范开始包含更大的密钥尺寸和爱德华曲线ed25519算法标准（Edwards Curve ed25519）。为此，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）近日推出最新的信任锚点安全IC（Trust Anchor Security IC） TA101，可满足复杂的汽车和嵌入式安全用例。TA101 支持高达 ECC P521、SHA512、R
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Microchip TrustAnchor IC 汽车安全认证
Microchip Technology Inc.安全及计算产品部市场经理Xavier Bignalet如果您对单个配件的身份验证、规范化电子配件生态系统的构建或一次性用品的假冒伪劣处理感兴趣，欢迎阅读本篇博文。我们将介绍最新推出的高性价比安全身份验证IC。看看它们提供了哪些安全特性来帮助您实现反威胁模型。面向一次性用品和配件生态系统的成本优化型安全身份验证 IC不知您是否有注意到，其实我们每天都在经历着各种安全身份验证过程。例如，当您发送电子邮件、将手机插入充电器或打印文档时，后台都有在进行身份验证。本
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Microchip MCU IC
● HAL 3930-4100（单芯片）和 HAR 3930-4100（双芯片）是两款精确的霍尔效应位置传感器，具备稳健的杂散场补偿能力，并配备 PWM 或 SENT 输出接口● 单芯片传感器已定义为 ASIL C 级，可以集成到汽车安全相关系统中，最高可达 ASIL D 级● 目标汽车应用场景包括转向角位置检测、变速器位置检测、换档器位置检测、底盘位置检测、油门和制动踏板位置检测**TDK株式会社利用适用于汽车和工业应用场景的新型
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TDK ASIL C 3D HAL传感器
恩智浦新一代电池管理系统IC的电芯测量精度低至0.8 mV，并且其全生命周期为考量的设计稳健性，可增强电池管理系统的性能，充分挖掘电动汽车锂离子电池和储能系统的可用容量并提高安全性。恩智浦半导体推出了下一代电池控制器IC，旨在优化电池管理系统（BMS）的性能和安全性。恩智浦的MC33774 18通道模拟前端器件可在宽温度范围内提供低至0.8 mV的电芯测量精度和出色的电芯均衡力，支持功能安全等级ASIL-D，适合用于与安全密切相关的高压锂离子电池中，以充分挖掘可用容量。锂离子电池因单位体积和重量的能量密度
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电池管理系统 IC 电芯测量精度 BMS MC33774
3d-ic介绍
3D IC产业链依制程可概略区分成3大技术主轴，分别是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵盖芯片前段CMOS制程、晶圆穿孔、绝缘层(Isolation)、铜或钨电镀(Plating)，由晶圆厂负责。为了日后芯片堆叠需求，TSV芯片必须经过晶圆研磨薄化(Wafer Thinning)、布线(RDL)、晶圆凸块等制程，称之为中段，可由晶圆厂或封测 [
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