2026年5月25日，据韩媒ETNews报道，三星电子宣布利用单元多层键合（CMB） 技术，成功研发全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型，并已验证存储单元正常工作特性，标志着三星在高端存储技术领域实现跨代式领先。传统3D NAND采用单次连续刻蚀堆叠工艺，受晶圆翘曲、层间对准误差等物理限制，难以突破500层门槛。三星创新的CMB技术，先独立制造两片450层3D NAND晶圆，再通过高精度键合工艺合二为一，直接将堆叠层数翻倍至900层，打破传统工艺的物理瓶颈。为保障原型良率与稳定性，三星同步攻克多
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三星
3D NAND闪存
2026年以来，全球半导体行业的涨价潮持续发酵，从上游晶圆代工、封测环节，到下游各类芯片产品，涨价范围不断扩大、涨幅逐步攀升。继存储芯片、模拟芯片、功率器件等品类先后掀起涨价潮后，被称为电子设备“电力心脏”的电源管理IC（PMIC）也未能幸免，成为本轮涨价潮的新焦点。涨价潮蔓延至电源管理芯片目前德州仪器（TI）、MPS、联发科旗下立锜等国际大厂已明确计划在6—7月上调电源管理IC报价，国内茂达、硅力等厂商也正与客户协商调价事宜，涨价潮已正式蔓延至这一核心半导体细分领域。· 全球模拟芯片巨头德州仪
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电源管理
IC
由比利时微电子研究中心（imec）打造、专注专用集成电路与硅光芯片设计制造服务的IC-Link，现已正式加入台积电开放创新平台（OIP）旗下3D Fabric 三维架构联盟。依托台积电开放创新平台生态，3D Fabric 联盟旨在推动三维集成电路技术创新、完成技术落地筹备，并助力客户规模化应用台积电全套三维硅堆叠与先进封装技术体系，涵盖SoIC 系统级三维堆叠、CoWoS 晶圆级封装、InFO 集成扇出封装以及 SoW 整片晶圆集成等主流方案。此次合作落地后，IC-Link 将进一步补强自身高端芯片集成能
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imec
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台积电
开放创新平台
OIP
增材制造（3D 打印）的惊人进步已耳熟能详，它可以使用一长串材料制造大大小小的物件。其中一些物件可按需复刻现有零件，另一些则是采用锻造、机加工、注塑、铸造、挤压、化学蚀刻等任何标准制造工艺都无法生产的结构。麻省理工学院（MIT）的一组研究人员现已开发出一个多材料 3D 打印平台，可一步到位完整打印出电气设备（图 1）。图 1 本研究开发的多模式、多材料挤出系统集成工具：(a) E3D Hemera 丝材挤出机；(b) 带定制 3D 打印部件、兼容 E3D ToolChanger 的 Mahor v4 颗粒
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增材制造
3D 打印
电动机
近年来半导体行业发展迅猛，尤其是高性能计算、人工智能和先进汽车系统的需求持续攀升，传统单裸片芯片设计已难以满足当下的功耗、性能、面积（PPA）指标要求。为此，工程师们开始采用多裸片架构，将多个小尺寸裸片集成在单个封装中。该架构虽提升了芯片的可扩展性与性能，却也带来了新的挑战，其中互连规划问题尤为突出。而实现不同裸片间的通信，凸点与硅通孔（TSV）的高效规划，是多裸片集成过程中至关重要的环节。（图 1：基于电子表格的凸点规划示意图）在多裸片设计中，芯片间的互连通过布置在裸片表面的微凸点或混合键合焊盘实现，这
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多裸片芯片
凸点
硅通孔
3D 堆叠芯片
新思科技
硅通孔
随着全球电动汽车市场份额持续扩大，车辆与市电电网之间的低成本连接必须兼顾安全性与高效性。电动汽车（EV）市场正呈指数级持续增长，预计到 2030 年全球上路电动汽车数量将达到5 亿辆。从国际能源署（IEA）提供的数据来看，这一数字是合理的：2022–2023 年全球纯电动汽车（BEV）与插电式混合动力汽车（PHEV）总销量增长35%（从 1020 万辆增至 1380 万辆）。IEA 预测，2030 年全球年销量将达到4070 万辆，2035 年达到5650 万辆。气候变化与人口密集区空气污染是推动高效、零
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线缆内置控制
保护装置
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电动汽车
供电设备
EVSE
英飞凌（Infineon）近日推出了其首款采用光耦仿真（opto-emulator），旨在简化从传统基于光耦的控制方案向新一代碳化硅（SiC）功率级的迁移。据官方新闻稿介绍，新型 EiceDRIVER™ 1ED301xMC12I 系列器件在引脚上与现有的光耦仿真器和光耦合器兼容。对于《eeNews Europe》的读者——尤其是从事工业与能源系统设计的工程师而言，这一产品意义重大：它提供了一条无需彻底重新设计控制板即可快速升级至更高效率SiC方案的路径。同时，这也凸显了当前栅极驱动器性能正不断演
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英飞凌
IC
SiC
近日，长江存储三期项目正在安装巨型洁净厂房设备，项目负责人透露，计划今年建成投产。湖北省委书记王忠林来到长江存储三期项目建设现场三期扩产与未来目标长江存储成立于2016年7月，是我国存储芯片制造领域的龙头企业，主要为市场提供3D NAND闪存晶圆及颗粒，嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案。2021年12月，长江存储二期科技有限责任公司成立，注册资本600亿元。2025年9月，长存三期（武汉）集成电路有限责任公司成立，注册资本达207.2亿元 —— 由长江存储持股5
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长江存储
半导体
3D NAND
晶栈
Xtacking
动力强劲的 F1 赛车、穿梭飞行的无人机、士兵的单兵背包、智能可穿戴设备，这些产品有着一个共同点：都需要电池供电。理想状态下，电池能精准适配各类不规则的边角、曲面与空隙，但如今的圆柱或方形电池电芯却难以实现这一点。曾参与设计梅赛德斯 - AMG 马石油车队赛车、助力该车队拿下七连冠的工程师 Gabe Elias，联合创立了一家初创企业，推出电池 3D 打印技术 —— 可将电池直接打印在设备表面，填充各类设备和交通工具中的闲置空间。该公司近期与美国空军签下一份价值 125 万美元、为期 18 个月的合同，旨
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Material
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摘要本文聚焦于2型电动汽车供电设备(EVSE)的设计。构建EVSE时必须遵循的规则可在IEC 61851-1标准中找到，而针对2型EVSE的具体规则，则在补充标准IEC 62752中有明确规定。本文所提供的指南以这些标准为依据，并以ADI公司的全新参考设计为例进行说明。充电过程中，电动汽车(EV)与电动汽车供电设备(EVSE)之间的通信是通过控制引导(CP)波形来实现的，文中对CP波形及标准中定义的各类状态进行了阐述。CP波形与所呈现的调试信息，共同印证了指南的合理性，有助于更深入理解电动汽车充电过程，从
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IC-CPD
线缆内置控制
电动汽车供电设备
ADI
借助使“隐形斗篷”成为可能的光扭曲技术，科学家们开发出一种既能实现微观细节又能实现高通量的新型3D打印技术。研究人员建议，他们的新技术有望实现复杂纳米级结构的大规模生产。潜在应用包括药物递送和核聚变研究。目前，3D打印复杂微观特征最精确的方法是双光子光刻。该技术使用液态树脂，只有当树脂中的感光分子同时吸收两个光子而非一个光子时才会凝固。 双光子光刻技术使得体素——相当于像素的三维结构——体积仅几十纳米的器件成为可能。然而，双光子光刻技术在大规模实际应用中被证明过于缓慢。这在很大程度上使其成为实验
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3D 打印
超构透镜
超材料
双光子光刻
据路透社消息，中国NAND闪存制造商长江存储已就其被列入“实体清单”一事分别向美国国防部、美国商务部发起了诉讼。12月5日，长江存储于美国华盛顿联邦法院对美国防部提起诉讼，要求法官阻止国防部将公司列入所谓“涉军名单”并撤销这一认定。长江存储成立于2016年7月，是国内专注于3D NAND闪存及存储器解决方案的半导体集成电路厂商，旗下有零售存储品牌致态。长江存储以1600亿元的估值成功入围了胡润研究院最新发布的《2025全球独角兽榜》，位列中国十大独角兽第9、全球第21，成为半导体行业估值最高的新晋独角兽。
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长江存储
3D NAND
闪存
存储器
近日，英伟达宣布入股新思科技，并开启多年深度合作，引发行业广泛关注。作为一家以算力和应用见长的芯片公司，为什么要亲自“下场”绑定一家 EDA 工具商？与之相呼应的是，台积电早已与楷登电子在先进制程与 3D 封装上形成紧密合作，把工艺规则直接嵌入设计工具之中。 这一系列动作清晰地揭示了一个深层趋势：在摩尔定律逼近极限、先进封装成为算力增长核心引擎的今天，半导体产业的竞争范式正从单一的制程竞赛，转向系统级的协同优化。想要继续提升性能、控制成本，就必须实现“工艺 + EDA + 设计”的深度协同，而
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算力巨头
EDA
晶圆厂
3D IC
近几周，中国半导体行业对集成电路（IC）行业的重大资本投资有所增加。上海IC产业投资基金阶段II资本增至240.6亿元人民币，增长66%公司注册数据显示，上海集成电路产业投资基金阶段二号有限公司注册资本从约145.3亿元人民币增至240.6亿元，增长约66%。该基金成立于2020年5月，总部位于上海浦东新区，是一家国家支持的私募股权工具，股东包括上海克洲集团、上海国生集团、上海国际集团、浦东风险投资集团、临港新区基金、兴家股权和浦东新工业投资。以支持中国集成电路产业高质量发展为关键承诺，阶段II将投资整个
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集成电路
半导体
IC
第六届IEEE WINTECHCON 2025于2025年11月12日至13日，召集了800多名女性工程师、技术专家、行业领袖、学术界、学生和研究人员，主题为“以数据驱动的半导体创新改变未来”。今年，该会议由IEEE班加罗尔分会、IEEE计算机科学学会班加罗尔分会和Women in Engineering AG班加罗尔分会联合主办，由三星半导体印度研究院（SSIR）主办。IEEE班加罗尔分会主席Chandrakanta Kumar博士表示：“IEEE Wintechcon 2025展示了印度半导体创新引擎
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半导体产业
嵌入式系统
IEEE Wintechon 2025
3D IC 集成
芯片制造商正越来越多地采用晶体管层堆叠技术，在有限空间内集成更强计算能力。然而，当前用于检测可能导致 3D 芯片失效的深埋缺陷的技术，要么效果不佳，要么具有破坏性。不过，一家初创公司表示，基于人造钻石的新型量子传感器有望帮助代工厂在生产过程中快速捕捉这些隐藏缺陷，且不会对芯片造成损坏，这可能为行业节省数十亿美元成本。马里兰州大学公园市量子技术公司 EuQlid 的联合创始人兼首席执行官 Sanjive Agarwala 表示：“芯片中电流传输所依赖的互连结构若存在缺陷 —— 无论是金属沉积不当、硅片裂纹还
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氮空位缺陷
3D 芯片
量子传感器
推动当今价值超过 5000 亿美元的半导体行业将年收入增长到 1 万亿美元，这正在挑战更广泛供应链的各个方面拥抱人工智能。人工智能正在改变晶圆厂的架构和运行方式、设备的制造方式以及服务器群的构建方式。与此同时，所有这一切都得益于人工智能芯片和算法的进步，这是一种更智能技术的良性循环，使其他技术能够提高两者的能力。这是今年在凤凰城举行的 SEMICON West 会议上讨论的主要话题，推动了近年来缺乏的热议。从大局来看，人工智能正在各地创造巨大的机会。“摆在我们面前有 2 万亿美元的机会，一个是 AI 工厂
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提高效率
IC
AI
IC制造
2025年11月23日—25日，第二十二届中国国际半导体博览会（IC China 2025）将在中国・北京国家会议中心举办。此次博览会以“凝芯聚力·链动未来”为主题，围绕高峰论坛、展览展示、产业对接、专场活动四大核心板块，为全球半导体行业搭建专业交流合作平台，助力半导体产业链协同发展。高峰论坛：聚焦产业前沿，汇聚全球智慧共话发展在高峰论坛板块，多场高规格论坛已确认举办，覆盖半导体产业关键领域与前沿方向。1开幕式暨第七届全球IC企业家大会将作为展会开篇重头戏，汇聚全球行业领军人物，共话半导体产业发展趋势与全
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IC China
专家在座：半导体工程与西门子 EDA 产品管理高级总监 John Ferguson 坐下来讨论 3D-IC 设计挑战以及堆叠芯片对 EDA 工具和方法的影响;Mick Posner，Cadence 计算解决方案事业部 IP 解决方案小芯片高级产品组总监;莫维卢斯的莫·费萨尔;是德科技新机会业务经理 Chris Mueth 和新思科技 3D-IC 编译器平台产品管理高级总监 Amlendu Shekhar Choubey。本讨论的第 1 部分在这里，第 2&
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3D-IC
芯片设计
总部位于武汉的长江存储科技控股有限责任公司（长存集团）召开股份公司成立大会并选举首届董事会，此举或意味着其股份制改革已全面完成。在胡润研究院最新发布的《2025全球独角兽榜》中，长江存储以1600亿元估值首次入围，位列中国十大独角兽第9、全球第21，成为半导体行业估值最高的新晋独角兽。根据公开信息，2025年4月，养元饮品子公司泉泓、农银投资、建信投资、交银投资、中银资产、工融金投等15家机构同步参与；7月，长存集团新增股东员工持股平台 —— 武汉市智芯计划一号至六号企业管理合伙企业（有限合伙），上述两笔
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长江存储
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3D NAND
晶栈
Xtacking
专家在座：半导体工程坐下来讨论了对 3D-IC 的初步尝试以及早期采用者将遇到的问题，西门子 EDA 产品管理高级总监 John Ferguson;Mick Posner，Cadence 计算解决方案事业部 IP 解决方案小芯片高级产品组总监;莫维卢斯的莫·费萨尔;是德科技新机会业务经理 Chris Mueth 和新思科技 3D-IC 编译器平台产品管理高级总监 Amlendu Shekhar Choubey。从左到右：是德科技的 Mueth;Synopsys 的
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3D-IC设计
9月25日，作为2025北京微电子国际研讨会暨IC WORLD大会的重要专题论坛，RDI生态·北京创新论坛·2025在北京亦庄举行。本次论坛以“挑战·对策·破局·加速”为主题，汇聚产业链上下游代表，围绕RISC-V在垂直场景下的商业化路径及策略展开深度研讨，共同推动RISC-V从原型产品向规模商用落地迈进。论坛现场会上，工业和信息化部电子信息司二级巡视员周海燕，北京市经济和信息化局总工程师李辉，北京经开区管委会副主任、北京市集成电路重大项目办公室主任历彦涛，RISC-V工委会战略指导委员会主任倪光南，RI
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RISC-V
IC World
随着 ChatGPT 等人工智能应用的爆发式增长，全球对算力的需求正以指数级态势攀升。然而，人工智能的发展不仅依赖于性能强劲的计算芯片，更离不开高性能内存的协同配合。传统内存已难以满足 AI 芯片对数据传输速度的要求，而高带宽内存（HBM）凭借创新的堆叠设计，成功攻克了带宽瓶颈、功耗过高以及容量限制这三大关键难题，为 AI 应用的高效运行提供了重要支撑。但如今，传统 HBM 已经受限，3D DRAM 能够提供更高带宽。同时还能进一步优化功耗表现，全球的存储厂商也普遍将 3D
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3D DRAM
汽车行业正在经历重大变革，因为它采用自动驾驶技术和超互联生态系统等创新。这一变化的核心是对紧凑型、高性能半导体解决方案的需求不断增长，这些解决方案能够应对日益复杂的现代汽车架构。一项有前途的发展是三维集成电路 （3D-IC），这是一种创新的半导体设计方法，有可能重塑汽车市场。通过垂直堆叠多个芯片，3D-IC 提供卓越的性能、带宽和能源效率，同时克服车辆系统的关键空间和热限制。然而，尽管 3D-IC 具有潜力，但其设计和实施仍面临重大挑战。这就是人工智能驱动的电子设计自动化 （EDA） 工具发挥至关重要作用
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汽车应用
3D-IC
人工智能
EDA工具
全球存储解决方案领导者铠侠宣布，其采用第九代 BiCS FLASH™ 3D 闪存技术的 512Gb TLC存储器已开始送样（1）。该产品计划于 2025 年投入量产，旨在为中低容量存储市场提供兼具卓越性能与能效的解决方案。此外，这款产品也将集成到铠侠的企业级固态硬盘中，特别是需要提升 AI 系统 GPU 性能的应用。为应对尖端应用市场的多样化需求，同时提供兼具投资效益与竞争力的产品，铠侠将继续推行“双轨并行
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铠侠
3D 闪存
TLC存储器
闪存
3D闪存
从5月29日美国政府颁布对华EDA禁令到7月2日宣布解除，33天时间里中美之间的博弈从未停止，但对于EDA公司来说，左右不了的是政治禁令，真正赢得客户的还是要靠自身产品的实力。作为芯片设计最前沿的工具，EDA厂商需要深刻理解并精准把握未来芯片设计的关键。 人工智能正在渗透到整个半导体生态系统中，迫使 AI 芯片、用于创建它们的设计工具以及用于确保它们可靠工作的方法发生根本性的变化。这是一场全球性的竞赛，将在未来十年内重新定义几乎每个领域。在过去几个月美国四家EDA公司的高管聚焦了三大趋势，这些趋
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EDA
3D IC
数字孪生
● 全新 Innovator3D IC 套件凭借算力、性能、合规性及数据完整性分析能力，帮助加速设计流程● Calibre 3DStress 可在设计流程的各个阶段对芯片封装交互作用进行早期分析与仿真西门子数字化工业软件日前宣布为其电子设计自动化 (EDA) 产品组合新增两大解决方案，助力半导体设计团队攻克 2.5D/3D 集成电路 (IC) 设计与制造的复杂挑战。西门
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西门子EDA
3D IC
来自日本东京科学研究所 （Science Tokyo） 的一组研究人员构思了一种名为 BBCube 的创新 2.5D/3D 芯片集成方法。传统的系统级封装 （SiP） 方法，即使用焊料凸块将半导体芯片排列在二维平面 （2D） 中，具有与尺寸相关的限制，因此需要开发新型芯片集成技术。对于高性能计算，研究人员通过采用 3D 堆栈计算架构开发了一种新颖的电源技术，该架构由直接放置在动态随机存取存储器堆栈上方的处理单元组成，标志着 3D 芯片封装的重大进步。为了实现 BBCube，研究人员开发了涉及精确和高速粘合
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2.5D/3D
芯片技术
半导体封装
3d-ic介绍
3D IC产业链依制程可概略区分成3大技术主轴，分别是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵盖芯片前段CMOS制程、晶圆穿孔、绝缘层(Isolation)、铜或钨电镀(Plating)，由晶圆厂负责。为了日后芯片堆叠需求，TSV芯片必须经过晶圆研磨薄化(Wafer Thinning)、布线(RDL)、晶圆凸块等制程，称之为中段，可由晶圆厂或封测 [
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