长江存储进入加速期，三期项目计划今年建成投产

近日，长江存储三期项目正在安装巨型洁净厂房设备，项目负责人透露，计划今年建成投产。

湖北省委书记王忠林来到长江存储三期项目建设现场

三期扩产与未来目标

长江存储成立于2016年7月，是我国存储芯片制造领域的龙头企业，主要为市场提供3D NAND闪存晶圆及颗粒，嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案。2021年12月，长江存储二期科技有限责任公司成立，注册资本600亿元。

2025年9月，长存三期（武汉）集成电路有限责任公司成立，注册资本达207.2亿元 —— 由长江存储持股50.19%、湖北长晟三期投资发展有限责任公司持股49.81%，后者为湖北国资旗下企业。项目主体长存三期（武汉）集成电路有限责任公司同时成立，这一动作标志着长江存储规划已久的三期扩产项目进入实施阶段。

在胡润研究院最新发布的《2025全球独角兽榜》中，长江存储以1600亿元估值首次入围，位列中国十大独角兽第9、全球第21，成为半导体行业估值最高的新晋独角兽。

去年11月，《日经亚洲》曾援引行业消息称，2025年长江存储在全球产能中的份额约为7%至8%，如果三期扩产按计划完成，长江存储有望在2026年占据全球超过10%的市场份额，并有可能超越美国存储芯片巨头美光，成为全球第四大存储芯片制造商。

调查公司TechInsights的数据显示，中国生产的NAND比其他国家生产的便宜1-2成左右，这一价格优势正在转化为市场份额。2025年，长江存储在全球NAND出货量中的份额在第一季度首次突破10%，第三季度进一步攀升至13%，直逼全球第四的美国美光科技。

市场调研机构Omdia估计，2025年长江存储的资本支出比其全球同行更为积极，约占全球NAND闪存总投资的20%，预计还将继续加速增长。长江存储全力扩产之际，正值全球AI算力热潮持续推高存储芯片需求，行业处于新一轮成长周期。市场调研机构Counterpoint数据显示，NAND闪存价格预计将在今年一季度上涨超过40%。

政策加持与市场认可

长江存储已成为全球存储产业中“不可忽视的中国力量”，一场围绕供应链自主的深刻变革正在中国存储产业内部发生。2025年11月底，湖北省委书记王忠林专程调研长江存储并主持召开座谈会，王忠林在调研中明确表示，长江存储是国家重大生产力布局的“国之重器”，要求保障项目早建成早达效。此次调研释放了强有力的政策信号。

湖北省领导在调研中明确表示，要以长江存储为核心，打造世界级存算一体化产业基地，并围绕其加强以链招商，带动形成万亿级集成电路产业集群。此前，东湖高新区提出将以长江存储为核心，在周边60平方公里范围内打造世界级存算一体化产业基地，联合推进“梧桐树计划”，通过需求、设计、技术路线与供应链的协同对齐，构建高效联动的产业协作生态。

伴随全球存储行业步入高景气周期，海外头部厂商将更多先进产能向高毛利率产品倾斜，为国产成熟制程存储产品释放出更多市场空间，长江存储的相关产品市场布局迎来新的发展机遇。

实现技术赶超

技术追赶与市场份额提升同步发生，成为这家中国存储龙头2025年的主旋律。当行业关注点仍停留在其2023年推出的232层芯片时，长江存储已在2026年初展现出更宏大的产发行业震动。但直到2025年，这一技术突破才真正转化为市场影响力。

按销量计算，长江存储已跻身全球前四，仅次于三星、SK海力士和美光。与份额增长同步的是技术的持续迭代。在232层芯片量产后，长江存储已将堆叠层数提升至约270层，进一步缩小了与三星等领先企业的技术差距。

自主研发的Xtacking架构是长江存储实现技术赶超的关键。该架构通过垂直分离存储单元与外围电路，实现了效率与密度的双重提升，为更高层数的堆叠提供了技术基础。

国产化产线进入关键阶段

自2022年底被美国列入实体清单后，长江存储获取先进晶圆制造设备的能力受到极大限制。这一外部压力反而加速了其设备国产化的进程。据摩根士丹利估计，长江存储的设备国产化率已达到45%，远超中芯国际、华虹等国内其他主要晶圆厂的平均水平。

2025年下半年，长江存储在武汉建设的首条完全使用国产设备的试验生产线开始试生产。这条产线被视为中国在减少对外国半导体生产设备依赖目标上的重要一步。

长江存储的国内供应商包括中微公司（蚀刻工具）、北方华创（蚀刻、CVD工具）和拓荆科技等，这些国内设备厂商在蚀刻和沉积工具领域已达到世界一流水平。不过，在光刻等关键领域，中国仍存在明显差距，上海微电子装备目前能量产的光刻设备主要用于90纳米工艺技术。