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3D IC产业链依制程可概略区分成3大技术主轴,分别是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵盖芯片前段CMOS制程、晶圆穿孔、绝缘层(Isolation)、铜或钨电镀(Plating),由晶圆厂负责。为了日后芯片堆叠需求,TSV芯片必须经过晶圆研磨薄化(Wafer Thinning)、布线(RDL)、晶圆凸块等制程,称之为中段,可由晶圆厂或封测厂负责。后段则是封装测试制程,包括晶圆切割、芯片堆叠、覆晶、覆晶强化(Underfill)、高分子封模(Molding)、雷射印码等。查看更多>>

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多裸片芯片设计中凸点与硅通孔的高效规划方案

多裸片芯片 凸点 2026-03-11

线缆内置控制与保护装置(IC‑CPD)的电动汽车供电设备(EVSE)软硬件设计指南

英飞凌推出带光耦仿真输入的隔离式栅极驱动IC,加速SiC方案设计

英飞凌 IC 2026-02-10

长江存储进入加速期,三期项目计划今年建成投产

长江存储 半导体 2026-02-05

Material公司的电池为每个角落提供电力

Material 3D 打印 2026-02-04

精通IC-CPD设计:关于线缆内置控制与保护器件的软硬件基本指南

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DTAS 3D尺寸公差分析-如何定量选择孔销基准?

DTAS 3D 2024-07-17

深入分析:常说的3H原则在PCB设计中的应用

串扰 3H 2024-07-15

AP5127 DC-DC降压恒流IC 输入12-100V 输出2.5A LED车灯方案

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3D DRAM 2024-04-07

3D芯片技术是Meta AR原型芯片获得巨大性能提升的关键

VR 3D 2024-03-14
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