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3D IC产业链依制程可概略区分成3大技术主轴,分别是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵盖芯片前段CMOS制程、晶圆穿孔、绝缘层(Isolation)、铜或钨电镀(Plating),由晶圆厂负责。为了日后芯片堆叠需求,TSV芯片必须经过晶圆研磨薄化(Wafer Thinning)、布线(RDL)、晶圆凸块等制程,称之为中段,可由晶圆厂或封测厂负责。后段则是封装测试制程,包括晶圆切割、芯片堆叠、覆晶、覆晶强化(Underfill)、高分子封模(Molding)、雷射印码等。

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精通IC-CPD设计:关于线缆内置控制与保护器件的软硬件基本指南

Metalens 提升显微 3D 打印精度

3D 打印 超构透镜 2025-12-19

长江存储对美国国防部、商务部发起诉讼

长江存储 3D NAND 2025-12-11

算力巨头入局 EDA、头部晶圆厂押3D IC EDA新范式

算力巨头 EDA 2025-12-10

中国集成电路行业投入超过100亿元人民币

集成电路 半导体 2025-12-09

IEEE Wintechon 2025 通过数据、多样性与协作驱动印度半导体未来

量子传感器初创公司寻找三维芯片的缺陷

提高效率:IC推动AI发展,AI改变了IC制造

提高效率 IC 2025-10-27

IC China 2025携手全产业链领军企业邀您相约北京

IC China 2025-10-20

3D-IC将如何改变芯片设计

3D-IC 芯片设计 2025-10-10

长江存储全面完成股改,估值已超1600亿元

长江存储 半导体 2025-10-09

第一次深入真正的3D-IC设计

3D-IC设计 2025-09-28

“RISC-V商用落地加速营伙伴计划”在北京亦庄发布 聚力推动RISC-V产品方案从原型走向商用落地

RISC-V IC World 2025-09-26

国产厂商切入下一代存储技术:3D DRAM

3D DRAM 2025-09-12

汽车应用3D-IC:利用人工智能驱动的EDA工具打破障碍

汽车应用 3D-IC 2025-09-05

实现120层堆叠,下一代3D DRAM将问世

3D DRAM 2025-09-02

铠侠第九代BiCS FLASH™ 512Gb TLC存储器开始送样

铠侠 3D 闪存 2025-07-28

在EDA禁令的33天里,四大EDA巨头更关注3D IC和数字孪生

EDA 3D IC 2025-07-04

西门子EDA推新解决方案,助力简化复杂3D IC的设计与分析流程

西门子EDA 3D IC 2025-07-01

2.5D/3D 芯片技术推动半导体封装发展

2.5D/3D 芯片技术 2025-06-24

Neo Semiconductor将IGZO添加到3D DRAM设计中

Neo Semiconductor IGZO 2025-05-14

3D打印高性能射频传感器

3D 射频传感器 2025-05-12

闪迪提议HBF取代HBM,在边缘实现 AI

Sandisk 3D-NAND 2025-04-24

EiceDRIVER™ 650V+/-4A高压侧栅极驱动器1ED21x7系列

栅极驱动器 IC 2025-03-19

新型高密度、高带宽3D DRAM问世

3D DRAM 2025-03-04

打破 BMS IC 的复杂性

BMS IC 2025-03-01

紫光国微2.5D/3D先进封装项目将择机启动

紫光国微 2D/3D 2025-02-10

国际最新研究将3D NAND深孔蚀刻速度提升一倍

3D NAND 深孔蚀刻 2025-02-07

李飞飞对计算机视觉的愿景:World Labs 正为机器提供 3D 空间智能

谷歌DeepMind发布Genie 2模型 可一键生成超逼真3D互动世界

谷歌 DeepMind 2024-12-05

Teledyne推出用于在线3D测量和检测的Z-Trak 3D Apps Studio软件工具

Teledyne 3D测量 2024-11-27

三星大幅减少未来生产NAND所需光刻胶使用量

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官宣了!IC China 2024将于11月18日在北京举行

IC China 2024 2024-11-01

台积电OIP推3D IC设计新标准

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倒计时5天!ICDIA-IC Show & AEIF 2024 蓄势待发

东芝推出全新可重复使用的电子熔断器(eFuse IC)系列产品

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内存制造技术再创新,大厂新招数呼之欲出

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铠侠公布蓝图:2027年实现1000层3D NAND堆叠

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