2 月 18 日消息，科技媒体 WccFTech 昨日（2 月 17 日）发布博文，报道称英伟达正积极研发名为“SOCAMM”的全新内存模块，主要用于 Project DIGITS 等个人 AI 超级计算机，可在性能方面带来巨大飞跃。该模块不仅体积小巧，而且功耗更低，性能更强，有望成为内存市场的新增长点。目前正与三星电子、SK 海力士和美光等内存厂商进行 SOCAMM 原型机的性能测试，预计最快将于今年年底实现量产。援引博文介绍，SOCAMM 拥有最多 694 个 I/O 端口，远超 PC DRAM 和
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英伟达 SOCAMM 内存 AI 计算
2月17日消息，据BK最新报道，NVIDIA正与包括三星电子、SK海力士在内的主要内存半导体公司进行秘密谈判，合作开发新型内存标准SOCAMM，并推动其商业化。16日，业内人士证实了这一消息。此举标志着内存半导体领域的重大转转变，对B2B服务器市场和蓬勃发展的设备端AI领域都有潜在影响。据悉，SOCAMM被誉为新一代HBM（高带宽存储器），是系统级芯片高级内存模块的缩写，这是一种尖端的DRAM内存模块，可极大增强个人AI超级计算机的性能。与小型PC和笔记本电脑中使用的现有DRAM模块相比，SOCAMM的性
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英伟达 内存 HBM
树莓派工程师调整了 Pi 的 SDRAM 时序和其他内存设置，在默认的 2.4 GHz 时钟下实现了 10-20%的速度提升。我当然要测试超频，这让我在 3.2 GHz 时获得了 32% 的速度提升！这些更改可能很快就会在所有 Pi 5 和 Pi 4 用户的固件更新中推出。树莓派的工程师们正在进一步调整内存时序，他们与美光公司进行了沟通，并实施了一系列小的调整，这些调整——连同 NUMA 模拟——真正为多核工作负载带来了性能提升。甚至对单核也有小小的改进！SDRAM 刷新间隔目前使用默认数据表设置。实际上
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树莓派 SDRAM 时序 内存
日前，紫光国微在投资者互动平台透露，公司在无锡建设的高可靠性芯片封装测试项目已于2024年6月产线通线，现正在推动量产产品的上量和更多新产品的导入工作，2.5D/3D等先进封装将会根据产线运行情况择机启动。据了解，无锡紫光集电高可靠性芯片封装测试项目是紫光集团在芯片制造领域的重点布局项目，也是紫光国微在高可靠芯片领域的重要产业链延伸。拟建设小批量、多品种智能信息高质量可靠性标准塑料封装和陶瓷封装生产线，对保障高可靠芯片的产业链稳定和安全具有重要作用。
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紫光国微 2D/3D 芯片封装
据媒体报道，近日，研究人员发现了一种使用先进的等离子工艺在3D NAND闪存中蚀刻深孔的更快、更高效的方法。通过调整化学成分，将蚀刻速度提高了一倍，提高了精度，为更密集、更大容量的内存存储奠定了基础。这项研究是由来自Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校和美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室（PPPL）的科学家通过模拟和实验进行的。根据报道，前PPPL研究员、现就职于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等离子体中发现的带电粒子是创建微电子学所需的非常小但很深的圆孔的最简
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3D NAND 深孔蚀刻
三星Galaxy S25系列可能会选择美光作为第一内存供应商，而非自家的产品。这一决定标志着三星在旗舰智能手机中首次没有优先使用自家的内存解决方案，这也让外界对三星内存技术的竞争力产生了质疑。美光此前多年一直是三星旗舰Galaxy智能手机中的第二内存供应商，这次却打败三星成为了第一供应商，似乎折射出内部部门竞争的微妙行情。2024年9月就有报道指出因良率问题，三星DS（设备解决方案）部门未能按时足量向三星MX（移动体验）部门交付Galaxy S25系列手机开发所需的LPDDR5X内存样品，导致MX部门的手
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三星 Galaxy S25 内存 美光 DRAM LPDDR5X
随着人工智能技术的广泛应用，移动产品对内存性能的需求日益增长，尤其需要相较LPDDR5X更为高效的数据处理能力以支撑端侧AI模型的运行。一直悬而未决的LPDDR6标准也进入最终的敲定期，预计到2025年下半年我们有望看到采用新一代LPDDR6的产品上市。此前有报道称，高通第四代骁龙8平台将支持LPDDR6，以进一步提升定制Oryon内核的性能。LPDDR6带来了哪些变化？目前，LPDDR最新的主流版本是LPDDR5（6.4Gbps），于2019年2月发布。之后，业界又陆续发布了小幅更新、改进版的LPDDR
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LPDDR6 AI 内存 CAMM2
斯坦福大学教授李飞飞已经在 AI 历史上赢得了自己的地位。她在深度学习革命中发挥了重要作用，多年来努力创建 ImageNet 数据集和竞赛，挑战 AI 系统识别 1000 个类别的物体和动物。2012 年，一个名为 AlexNet 的神经网络在 AI 研究界引起了震动，它的性能远远超过了所有其他类型的模型，并赢得了 ImageNet 比赛。从那时起，神经网络开始腾飞，由互联网上现在提供的大量免费训练数据和提供前所未有的计算能力的 GPU 提供支持。在 ImageNe
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李飞飞对计算机视觉的愿景：World Labs 正在为机器提供 3D 空间智能
12 月 10 日消息，2024 IEEE IEDM 国际电子设备会议目前正在美国加州旧金山举行。据分析师 Ian Cutress 的 X 平台动态，英伟达在本次学术会议上分享了有关未来 AI 加速器的构想。英伟达认为未来整个 AI 加速器复合体将位于大面积先进封装基板之上，采用垂直供电，集成硅光子 I/O 器件，GPU 采用多模块设计，3D 垂直堆叠 DRAM 内存，并在模块内直接整合冷板。IT之家注：Ian Cutress 还提到了硅光子中介层，但相关内容不在其分享的图片中。在英伟达给出的模型中，每个
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英伟达 硅光子 内存
12 月 5 日消息，据 Businesses Korea 今日报道，SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和组织架构优化。本次调整任命了 1 位总裁、33 位新高管及 2 位研究员。为提升决策效率，该公司推行“C-Level”管理体系，依据核心职能分工明确责任与权限，业务单元被划分为包括 AI 基础设施（CMO）、未来技术研究院（CTO）、研发（CDO）和生产（CPO）在内的五大部门。据介绍，新设的 AI 芯片开发部门整合了 DRAM、NAND 和解决方案的开发能力，着眼于下一代 AI 内存等
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SK海力士 内存 NAND
12月5日消息，美国当地时间周三，谷歌旗下人工智能研究机构DeepMind推出了一款新模型，能够创造出“无穷无尽”且各具特色的3D世界。这款模型名为Genie 2，是DeepMind在今年早些时候推出的Genie模型的升级版。仅凭一张图片和一段文字描述，例如“一个可爱的机器人置身于茂密的森林中”，Genie 2就能构建出一个交互式的实时场景。在这方面，它与李飞飞创立的World Labs以及以色列新兴企业Decart所开发的模型有着异曲同工之妙。DeepMind宣称，Genie 2能够生成“丰富多样的3D
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12 月 3 日消息，据韩媒 Business Korea 昨日报道，三星电子和 SK 海力士正在合作标准化 LPDDR6-PIM 内存产品。该合作伙伴关系旨在加快专门用于人工智能（AI）的低功耗存储器标准化。报道提到，两家公司已经确定，有必要建立联盟，以使下一代存储器符合这一趋势。报道还称，三星电子和 SK 海力士之间的合作尚处于早期阶段，正在进行向联合电子设备工程委员会（JEDEC）注册标准化的初步工作。目前正在讨论每一个需要标准化项目的适当规格。▲ 图源三星PIM 内存技术是一种将存储和计
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三星电子 SK 海力士 内存
12月2日消息，据韩国媒体报道， 在全球内存市场上长期竞争的三星电子和SK海力士，近日出人意料地结成联盟，共同推动LPDDR6-PIM内存的标准化。这也意味着两家公司在面对AI内存技术商业化的共同挑战时，愿意搁置竞争，共同推动行业标准的制定。双方合作旨在加速专为人工智能优化的低功耗内存技术的标准化进程，以适应设备内AI技术的发展。随着设备内AI技术的兴起，PIM内存技术越来越受到重视。PIM技术通过将存储和计算结合，直接在存储单元进行计算，有效解决了传统芯片在运行AI算法时的“存储墙”和“功耗墙
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三星 SK海力士 内存 LPDDR6
Teledyne DALSA推出在线3D机器视觉应用开发的软件工具Z-Trak™ 3D Apps Studio。该工具旨在与Teledyne DALSA的Z-Trak系列激光扫描仪配合使用，可简化生产线上的3D测量和检测任务。Z-Trak 3D Apps Studio能够处理具有不同表面类型、尺寸和几何特征的物体的3D扫描，是电动汽车（电动汽车电池、电机定子等）、汽车、电子、半导体、包装、物流、金属制造、木材等众多行业工厂自动化应用的理想之选。Z-Trak 3D Apps Studio具有简化的工具，用于
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Teledyne 3D测量 Z-Trak 3D Apps Studio
据韩媒报道，称三星电子在生产 3D NAND 闪存方面取得重大突破，在其中光刻工艺中大幅缩减光刻胶（PR）用量，降幅达到此前用量的一半。报道称，此前每层涂层需要7-8cc的光刻胶，而三星通过精确控制涂布机的转速（rpm）以及优化PR涂层后的蚀刻工艺，现在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻胶，通常情况下一次工艺形成1层涂层，而使用更厚的光刻胶，三星可以一次形成多个层，从而提高工艺效率，但同时也有均匀性问题。东进半导体一直是三星KrF光刻胶的独家供应商，为三星第7代（11微米）和第
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三星 光刻胶 3D NAND
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