- IT之家 9 月 4 日消息，据韩媒 ZDNET Korea 报道，三星电子 MX 部门 8 月向 DS 部门表达了对面向 Galaxy S25 系列手机的 1b nm （IT之家注：即 12nm 级） LPDDR 内存样品供应延误的担忧。三星电子于 2023 年 5 月启动 1b nm 工艺 16Gb DDR5 内存量产，后又在当年 9 月发布 1b nm 32Gb DDR5，并一直在内部推进 1b nm LPDDR 移动内存产品的开发工作。然而该韩媒此前就在今年 6 月
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三星 内存 DDR5
- 根据TrendForce最新调查，消费型电子需求未如预期回温，中国大陆地区的智能型手机，出现整机库存过高的情形，笔电也因为消费者期待AI PC新产品而延迟购买，市场持续萎缩。此一现象，导致以消费型产品为主的内存现货价走弱，第二季价格较第一季下跌超过30％。尽管现货价至8月份仍与合约价脱钩，但也暗示合约价可能的未来走向。TrendForce表示，2024年第二季模块厂在消费类NAND Flash零售通路的出货量，已大幅年减40％，反映出全球消费性内存市场正遭遇严峻挑战。内存产业虽一向受周期因素影响，但202
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- IT之家 8 月 20 日消息，据韩媒 MK 报道，SK 海力士负责 HBM 内存业务的副总裁 Ryu Seong-soo 当地时间昨日在 SK 集团 2024 年度利川论坛上表示，M7 科技巨头都表达了希望 SK 海力士为其开发定制 HBM 产品的意向。IT之家注：M7 即 Magnificent 7，指美股七大科技巨头苹果、微软、Alphabet（谷歌）、特斯拉、英伟达、亚马逊以及 Meta。Ryu Seong-soo 提到其在周末仍不断工作，与 M7 企业进行电话沟通，并为满足这些企业的需
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海力士 HBM 内存
- IT之家 8 月 13 日消息，据 IDC 北京时间本月 7 日报告，三大内存原厂三星电子、SK 海力士、美光分列 2024 年一季度半导体 IDM（IT之家注：整合组件制造）企业营收榜单第 1、3、4 位，第二位则是英特尔。▲ 图源 IDC报告表示，数据中心对 AI 训练与推理的需求飙升，其中对 HBM 内存的需求提升尤为明显。HBM 自身的高价和对通用 DRAM 产能的压缩也推动 DRAM 平均价格上升，使总体内存市场营收大幅成长。此外终端设备市场回稳，AI PC、智能手机逐步发售，同样提升
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内存 存储 HBM
- 8 月 9 日消息，小鹏汽车今日官宣，小鹏 MONA M03 首批量产车下线，全系标配高通 8155 芯片和 16GB 内存。博主@孙少军09 称，小鹏 MONA M03的门店展车已经提前到店，开票价 15 万多，所以起步价只会在 14 万以下。博主还提到，对于小鹏自己，最麻烦的永远不是产品本身，而是前几次上市交不出来（车）的“无语”。所以小鹏这次一定要强调量产下线，这个比其他的都重要。据此前报道，小鹏 MONA M03 已出现在工信部的新车申报名单中，车身尺寸 4780 x 1896 x 1445mm，
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小鹏 MONA M03 高通 8155 芯片 内存
- 全球领先的硅智财供货商M31宣布与高塔半导体（Tower Semiconductor）达成重要合作里程碑。双方连手成功开发出65纳米制程的SRAM（静态随机存取内存）和ROM（只读存储器）IP产品，并已将设计模块交付客户端完成验证，为半导体产业带来全新的先进内存解决方案。M31与高塔半导体共同优化的设计架构，巧妙结合低功耗组件Analog FET（模拟场效晶体管），不仅能够完美满足当前SoC芯片对低功耗的严格要求，更为未来物联网（IoT）、智能型穿戴装置、车联网（V2X）以及人工智能（AI）等新兴应用领域
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M31 高塔半导体 65纳米 内存
- IT之家 8 月 1 日消息，韩媒 ETNews 报道称，SK 海力士将加速下一代 NAND 闪存的开发，计划 2025 年末完成 400+ 层堆叠 NAND 的量产准备，2026 年二季度正式启动大规模生产。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 层堆叠 NAND 闪存的样品，并称这一颗粒计划于 2025 上半年实现量产。▲ SK 海力士 321 层 NAND 闪存按照韩媒的说法，SK 海力士未来两代 NAND 的间隔将缩短至约 1 年，明显短于业界平均水平。IT之家注：从代际发布间隔
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SK海力士 内存 NAND
- IT之家 7 月 29 日消息，综合外媒《韩国经济日报》（Hankyung）与 Blocks & Files 报道，SK 海力士考虑推动 NAND 闪存与固态硬盘子公司 Solidigm 在美 IPO。SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收购英特尔 NAND 与 SSD 业务，而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收购第一阶段后成立的独立美国子公司。▲ Solidigm D5-P5336，E1.L 规格，61.44TB由于内外部因素的共同影响，Sol
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- HBM4是目前发布的HBM3标准的进化版，旨在进一步提高数据处理速率，同时保持基本特性，例如更高的带宽、更低功耗和更大的每个芯片和/或堆栈容量 —— 这些对于需要高效处理大数据集和复杂计算的应用至关重要，包括生成人工智能（AI）、高性能计算、高端显卡和服务器。
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- 全面现货供应、提供快速交付的全球电子元器件和自动化产品分销商DigiKey今天宣布与Kingston Technology（金士顿）合作，向全球分销其内存产品和存储解决方案。作为全球最大的独立存储器产品制造商之一，Kingston面向各种规模的工业和嵌入式OEM客户，提供包括eMMC、eMCP、ePoP、UFS和DRAM组件在内的各种存储产品。该公司还提供一系列专为系统设计师和制造者打造的工业级 SATA 和 NVMe 固态硬盘 (SSD)。DigiKey与Kingston Technology合作，提供
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- IT之家 7 月 22 日消息，据外媒 Tomshardware 报道，中国 3D NAND 闪存制造商长江存储，日前再次将美光告上法院，在美国加州北区指控美光侵犯了长江存储的 11 项专利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 产品。长江存储还要求法院命令美光停止在美国销售侵权的存储产品，并支付专利使用费。长江存储指控称，美光的 96 层（B27A）、128 层（B37R）、176 层（B47R）和 232 层（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRA
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- 据《ZDNet Korea》报道，三星电子存储部门新业务规划团队董事总经理Choi Jang-seok近日表示，即将推出的内存模块被指定为CMM-D2.0，将符合CXL2.0协议。这些模块将利用使用第二代20-10nm工艺技术生产的DRAM内存颗粒。除了CMM-D模块，三星还在开发一系列CXL存储产品。其中包括集成多个CMM-D模块的CMM-B内存盒模块，以及将DRAM内存与NAND闪存颗粒相结合的CMM-H混合存储模块。Choi Jang-seok强调，随着CXL3.1技术的采用，CXL内存资源可以在多
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- 7 月 13 日消息，韩媒 businesskorea 报道，英伟达、台积电和 SK 海力士将组建“三角联盟”，为迎接 AI 时代共同推进 HBM4 等下一代技术。SEMI 计划今年 9 月 4 日举办 SEMICON 活动（其影响力可以认为是半导体行业的 CES 大展），包括台积电在内的 1000 多家公司将展示最新的半导体设备和技术，促进了合作与创新。预计这次会议的主要焦点是下一代 HBM，特别是革命性的 HBM4 内存，它将开启市场的新纪元。IT之家援引该媒体报道，SK 海力士总裁 Kim Joo-
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- 在不同AI运算领域中，依照市场等级的需要，大致上可以分成三种，一种是作为高性能运算中心的人工智能、机器学习与图形处理的超高速运算与传输需求；一种是一般企业的AI服务器、一般计算机与笔电的演算应用；另一种是一般消费电子如手机、特殊应用装置或其它边缘运算的应用。现阶段三种等级的应用，所搭配的内存也会有所不同，等级越高内存的性能要求越高，业者要进入的门坎也越高。不过因为各类AI应用的市场需求庞大，各种内存的竞争也异常的激烈，不断地开发更新产品，降低成本，企图向上向下扩大应用，所以只有随时保持容量、速度与可靠度的
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- 内存是现代电子产品不可或缺的组件，随着科技的进步，内存的容量、速度、功耗等特性也不断提升，为各种应用带来了新的机遇和挑战。本文将从应用端出发，探讨各类内存的机会与挑战。动态随机存取内存（DRAM）DRAM是当前计算器系统中最常见的主存储器技术，具备高速读写和相对较低的成本。它广泛应用于PC、服务器、移动设备和游戏机中。随着人工智能和大数据应用的兴起，DRAM的需求持续增长，尤其是在需要高速数据处理和低延迟的应用场景。DRAM的主要挑战在于其挥发性和功耗问题。DRAM需要持续供电以维持数据，这限制了其在移动
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