三星Galaxy S25系列可能会选择美光作为第一内存供应商,而非自家的产品。这一决定标志着三星在旗舰智能手机中首次没有优先使用自家的内存解决方案,这也让外界对三星内存技术的竞争力产生了质疑。美光此前多年一直是三星旗舰Galaxy智能手机中的第二内存供应商,这次却打败三星成为了第一供应商,似乎折射出内部部门竞争的微妙行情。2024年9月就有报道指出因良率问题,三星DS(设备解决方案)部门未能按时足量向三星MX(移动体验)部门交付Galaxy S25系列手机开发所需的LPDDR5X内存样品,导致MX部门的手
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三星 Galaxy S25 内存 美光 DRAM LPDDR5X
随着人工智能技术的广泛应用,移动产品对内存性能的需求日益增长,尤其需要相较LPDDR5X更为高效的数据处理能力以支撑端侧AI模型的运行。一直悬而未决的LPDDR6标准也进入最终的敲定期,预计到2025年下半年我们有望看到采用新一代LPDDR6的产品上市。此前有报道称,高通第四代骁龙8平台将支持LPDDR6,以进一步提升定制Oryon内核的性能。LPDDR6带来了哪些变化?目前,LPDDR最新的主流版本是LPDDR5(6.4Gbps),于2019年2月发布。之后,业界又陆续发布了小幅更新、改进版的LPDDR
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LPDDR6 AI 内存 CAMM2
斯坦福大学教授李飞飞已经在 AI 历史上赢得了自己的地位。她在深度学习革命中发挥了重要作用,多年来努力创建 ImageNet 数据集和竞赛,挑战 AI 系统识别 1000 个类别的物体和动物。2012 年,一个名为 AlexNet 的神经网络在 AI 研究界引起了震动,它的性能远远超过了所有其他类型的模型,并赢得了 ImageNet 比赛。从那时起,神经网络开始腾飞,由互联网上现在提供的大量免费训练数据和提供前所未有的计算能力的 GPU 提供支持。在 ImageNe
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李飞飞对计算机视觉的愿景:World Labs 正在为机器提供 3D 空间智能
12 月 10 日消息,2024 IEEE IEDM 国际电子设备会议目前正在美国加州旧金山举行。据分析师 Ian Cutress 的 X 平台动态,英伟达在本次学术会议上分享了有关未来 AI 加速器的构想。英伟达认为未来整个 AI 加速器复合体将位于大面积先进封装基板之上,采用垂直供电,集成硅光子 I/O 器件,GPU 采用多模块设计,3D 垂直堆叠 DRAM 内存,并在模块内直接整合冷板。IT之家注:Ian Cutress 还提到了硅光子中介层,但相关内容不在其分享的图片中。在英伟达给出的模型中,每个
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英伟达 硅光子 内存
12 月 5 日消息,据 Businesses Korea 今日报道,SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和组织架构优化。本次调整任命了 1 位总裁、33 位新高管及 2 位研究员。为提升决策效率,该公司推行“C-Level”管理体系,依据核心职能分工明确责任与权限,业务单元被划分为包括 AI 基础设施(CMO)、未来技术研究院(CTO)、研发(CDO)和生产(CPO)在内的五大部门。据介绍,新设的 AI 芯片开发部门整合了 DRAM、NAND 和解决方案的开发能力,着眼于下一代 AI 内存等
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SK海力士 内存 NAND
12月5日消息,美国当地时间周三,谷歌旗下人工智能研究机构DeepMind推出了一款新模型,能够创造出“无穷无尽”且各具特色的3D世界。这款模型名为Genie 2,是DeepMind在今年早些时候推出的Genie模型的升级版。仅凭一张图片和一段文字描述,例如“一个可爱的机器人置身于茂密的森林中”,Genie 2就能构建出一个交互式的实时场景。在这方面,它与李飞飞创立的World Labs以及以色列新兴企业Decart所开发的模型有着异曲同工之妙。DeepMind宣称,Genie 2能够生成“丰富多样的3D
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谷歌 DeepMind Genie 2 模型 3D 互动世界
12 月 3 日消息,据韩媒 Business Korea 昨日报道,三星电子和 SK 海力士正在合作标准化 LPDDR6-PIM 内存产品。该合作伙伴关系旨在加快专门用于人工智能(AI)的低功耗存储器标准化。报道提到,两家公司已经确定,有必要建立联盟,以使下一代存储器符合这一趋势。报道还称,三星电子和 SK 海力士之间的合作尚处于早期阶段,正在进行向联合电子设备工程委员会(JEDEC)注册标准化的初步工作。目前正在讨论每一个需要标准化项目的适当规格。▲ 图源三星PIM 内存技术是一种将存储和计
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三星电子 SK 海力士 内存
12月2日消息,据韩国媒体报道, 在全球内存市场上长期竞争的三星电子和SK海力士,近日出人意料地结成联盟,共同推动LPDDR6-PIM内存的标准化。这也意味着两家公司在面对AI内存技术商业化的共同挑战时,愿意搁置竞争,共同推动行业标准的制定。双方合作旨在加速专为人工智能优化的低功耗内存技术的标准化进程,以适应设备内AI技术的发展。随着设备内AI技术的兴起,PIM内存技术越来越受到重视。PIM技术通过将存储和计算结合,直接在存储单元进行计算,有效解决了传统芯片在运行AI算法时的“存储墙”和“功耗墙
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三星 SK海力士 内存 LPDDR6
Teledyne DALSA推出在线3D机器视觉应用开发的软件工具Z-Trak™ 3D Apps Studio。该工具旨在与Teledyne DALSA的Z-Trak系列激光扫描仪配合使用,可简化生产线上的3D测量和检测任务。Z-Trak 3D Apps Studio能够处理具有不同表面类型、尺寸和几何特征的物体的3D扫描,是电动汽车(电动汽车电池、电机定子等)、汽车、电子、半导体、包装、物流、金属制造、木材等众多行业工厂自动化应用的理想之选。Z-Trak 3D Apps Studio具有简化的工具,用于
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Teledyne 3D测量 Z-Trak 3D Apps Studio
据韩媒报道,称三星电子在生产 3D NAND 闪存方面取得重大突破,在其中光刻工艺中大幅缩减光刻胶(PR)用量,降幅达到此前用量的一半。报道称,此前每层涂层需要7-8cc的光刻胶,而三星通过精确控制涂布机的转速(rpm)以及优化PR涂层后的蚀刻工艺,现在只需4-4.5cc。此外,三星使用了更厚的氟化氪(KrF)光刻胶,通常情况下一次工艺形成1层涂层,而使用更厚的光刻胶,三星可以一次形成多个层,从而提高工艺效率,但同时也有均匀性问题。东进半导体一直是三星KrF光刻胶的独家供应商,为三星第7代(11微米)和第
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三星 光刻胶 3D NAND
11 月 4 日消息,SK 海力士 CEO 郭鲁正今日在韩国首尔举行的 SK AI Summit 2024 上介绍了全球首款 16-High HBM3E 内存。该产品可实现 48GB 的单堆栈容量,预计明年初出样。虽然一般认为 16 层堆叠 HBM 内存直到下一世代 HBM4 才会正式商用,但参考内存领域 IP 企业 Rambus 的文章,HBM3E 也有扩展到 16 层的潜力。此外注意到,SK 海力士为今年 2 月 IEEE ISSCC 2024 学术会议准备的论文中也提到了可实现 1280G
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SK海力士 内存 HBM3E
10 月 30 日消息,芝奇国际今日宣布再度刷新内存频率超频世界纪录,由华硕 ROG 极限超频者 SAFEDISK 上传的成绩,通过液态氮极限超频技术,创下 DDR5-12112 的超频纪录。该纪录使用的是芝奇 Trident Z5 旗舰系列 DDR5 内存,搭配最新英特尔酷睿 Ultra 9 285K 处理器及华硕 ROG MAXIMUS Z890 APEX 主板。IT之家附图如下:此成绩已上传至 HWBOT 及 CPU-Z,超越了 10 月 25 日微星 MEG Z890 UNIFY-X
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芝奇 内存 DDR5
10 月 17 日消息,据韩媒 ZDNET Korea 当地时间昨日报道,SK 海力士正缩减 CIS (注:即 CMOS 图像传感器)等次要业务规模,全力聚焦高利润产品 HBM 以及 CXL 内存、PIM、AI SSD 等新兴增长点。SK 海力士今年减少了对 CIS 业务的研发投资,同时月产能已低于 7000 片 12 英寸晶圆,不足去年一半水平。而这背后是 2023 年 CIS 市场三大巨头索尼、三星、豪威共占据 3/4 市场份额,SK 海力士仅以 4% 排在第六位,远远落后于竞争对手。同时,SK 海力
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SK 海力士 CIS HBM 内存
台积电OIP(开放创新平台)于美西当地时间25日展开,除表扬包括力旺、M31在内之业者外,更计划推出3Dblox新标准,进一步加速3D IC生态系统创新,并提高EDA工具的通用性。 台积电设计构建管理处负责人Dan Kochpatcharin表示,将与OIP合作伙伴一同突破3D IC架构中的物理挑战,帮助共同客户利用最新的TSMC 3DFabric技术实现优化的设计。台积电OIP生态系统论坛今年由北美站起跑,与设计合作伙伴及客户共同探讨如何通过更深层次的合作,推动AI芯片设计的创新。 Dan Kochpa
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台积电 OIP 3D IC设计
IT之家 9 月 9 日消息,TrendForce 集邦咨询今天下午发布报告指出,由于服务器终端库存调整接近尾声,加上 AI 推动了大容量存储产品需求,今年第二季度 NAND Flash(闪存)价格持续上涨。但由于 PC 和智能手机厂商库存偏高,导致 Q2 NAND Flash 位元出货量环比下降 1%,平均销售单价上涨了 15%,总营收达 167.96 亿美元(IT之家备注:当前约 1193.37 亿元人民币),较前一季实现环比增长 14.2%。各厂商营收情况如下:三星:第二季时积极回应客户对
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内存 NAND Flash
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