- 据称，可靠性和供应链问题迫使 Nvidia 推迟 SOCAMM 开发下一代零件。据称，Nvidia 推迟了即将推出的 SOCAMM 技术的推出，并推出了即将推出的 Blackwell 企业级 GPU。ZDNet 报道称，SOCAMM 现在计划与代号为“Rubin”的下一代 Nvidia GPU 一起推出。SOCAMM 最初应该与 GB300 一起首次亮相，GB300 是一款即将推出的 Blackwell Ultra 产品，针对工作站而不是服务器。GB300
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Nvidia SOCAMM 内存
- 存储设备研发公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亚州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技术的铟-镓-锌-氧化物（IGZO）变体。3D-X-DRAM 于 2023 年首次发布。Neo 表示，它已经开发了一个晶体管、一个电容器 （1T1C） 和三个晶体管、零电容器 （3T0C） X-DRAM 单元，这些单元是可堆叠的。该公司表示，TCAD 仿真预测该技术能够实现 10ns 的读/写速度和超过 450 秒的保持时间，芯片容量高达 512Gbit。这些设计的测试芯片预计将于 2026 年推出
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Neo Semiconductor IGZO 3D DRAM
- 三星计划在其 HBM4 中采用混合键合技术，以减少热量并实现超宽内存接口，该公司在韩国首尔举行的 AI 半导体论坛上透露。相比之下，该公司的竞争对手 SK 海力士可能会推迟采用混合键合技术，EBN 报道。高带宽内存 （HBM） 将多个存储器件堆叠在基础芯片上。目前，HBM 堆栈中的内存芯片通常使用微凸块（在堆叠芯片之间传输数据、电源和控制信号）连接在一起，并使用模塑底部填充质量回流 （MR-MUF） 或使用非导电膜 （TC-NCF） 的热压缩等技术进行键合。这些晶粒还使用嵌入在每个晶粒内的硅通孔
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三星 HBM4 内存 混合键合
- 一、测试目的DDR3的测试分为三类：1、直流参数测试（DC Parameter Testing）：校验工作电流、电平、功率、扇出能力、漏电流等参数特性。内存的工作电流与功耗、负载有关，工作电流过高时，将造成功耗过高，给系统造成的负载过大，严重情况下将造成系统无法正常工作。存储芯片也存在漏电流，当漏电流超出阈值时可能造成系统无法正常工作。2、交流参数测试（AC Parameter Testing）：检测诸如建立时间、保持时间、访问时间等时间参数特性。3、可靠性测试（Functional Testing）：测
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内存 DDR3 测试测量
- 中国的研究人员开发了一种开创性的方法，可以为射频传感器构建分辨率低于 10 微米的高纵横比 3D 微结构。该技术以 1：4 的宽高比实现了深沟槽，同时还实现了对共振特性的精确控制并显着提高了性能。这种混合技术不仅提高了 RF 超结构的品质因数 （Q 因子） 和频率可调性，而且还将器件占用空间减少了多达 45%。这为传感、MEMS 和 RF 超材料领域的下一代应用铺平了道路。电子束光刻和纳米压印等传统光刻技术难以满足对超精细、高纵横比结构的需求。厚度控制不佳、侧壁不均匀和材料限制限制了性能和可扩展性。该技术
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3D 射频传感器
- 三星已向其供应链传达消息，多款基于1y nm（第二代10nm级别）工艺制造的DDR4产品本月即将停产，以及1z nm（第三代10nm级别）工艺制造的8Gb LPDDR4也将进入EOL阶段。与此同时，美光已通知客户将停产服务器用的旧版DDR4模块，而SK海力士也被传将DDR4产能削减至其生产份额的20%。这意味着内存制造商正加速产品过渡，把更多资源投向HBM和DDR5等高端产品。ddr4和ddr5的区别· 带宽速度：DDR4带宽为25.6GB/s，DDR5带宽为32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度为
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DDR4 DDR5 三星 SK海力士 内存 HBM
- 在一项新的 Nature Communications 研究中，研究人员开发了一种内存铁电微分器，能够直接在内存中执行计算，而无需单独的处理器。拟议的差异化因素承诺能源效率，尤其是对于智能手机、自动驾驶汽车和安全摄像头等边缘设备。图像处理和运动检测等任务的传统方法涉及多步骤的能源密集型流程。这从记录数据开始，这些数据被传输到存储单元，存储单元进一步将数据传输到微控制器单元以执行差分作。由于差分运算是多项计算任务的基础，研究人员利用铁电材料的特性来制造他们的设备。Tech Xplore
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铁电RAM 内存 执行计算
- Sandisk Corp. 正在寻求 3D-NAND 闪存的创新，该公司声称该创新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高带宽内存）用于 AI 推理应用。当 Sandisk 于 2025 年 2 月从数据存储公司 Western Digital 分拆出来时，该公司表示，它打算在提供闪存产品的同时追求新兴颠覆性内存技术的开发。在 2 月 11 日举行的 Sandisk 投资者日上，即分拆前不久，即将上任的内存技术高级副总裁 Alper Ilkbahar 介绍了高带宽闪存以及他称之为 3D 矩阵内存的东西。在同
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Sandisk 3D-NAND
- 内存产业在美国对等关税政策反复变动下，提前出现备货热潮。 根据TrendForce最新调查，美方虽释出90天宽限期，却已实质改变内存供需方的作策略，买卖双方急于在宽限期内完成交易、生产出货，预期将推升第二季市场交易热度，DRAM、NAND Flash价格也同步上修。TrendForce资深研究副总吴雅婷指出，尽管关税宽限期暂时缓解市场对需求下滑的疑虑，品牌与通路商仍普遍抱持「降低不确定因素、建立安全库存」的心态，拉货力道显著升温，积极提高DRAM及NAND Flash的库存水位，进而带动供应链产能，尤其以
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备货热潮 内存
- 4月7日消息，据国外媒体报道称，三星公司领导层将对主要全球客户提高内存芯片价格——从当前水平提高3-5%。在三星看来，“需求大幅增长”导致DRAM、NAND闪存和HBM产品组合的价格上涨，预计2025年和2026年价格都会上涨。一位不愿透露姓名的半导体业内人士表示：去年全年供应过剩，但随着主要公司开始减产，供应量最近有所下降，目前三星涨价后部分新合同的谈判已然启动。此外，人工智能 (AI) 设备在中国接连出现，由于工业自动化，对半导体的需求正在逐渐增加。市场研究机构DRAMeXchange给出的统计显示，
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- 美光已确认其提高内存价格的计划，理由是未来几年对 DRAM 和 NAND 闪存的需求强劲。该公司的最新公告表明，随着供应限制以及人工智能、数据中心和消费电子产品的需求增长推高了成本，价格将在 2025 年和 2026 年继续上涨。价格上涨之际，内存市场正从供应过剩和收入下降的时期反弹。在过去的一年里，由于主要供应商的减产以及对高性能计算和 AI 工作负载的需求增加，DRAM 和 NAND 闪存的价格稳步回升。随着美光确认有意提高价格，三星和 SK 海力士等其他内存制造商预计将效仿，进一步巩固价格上涨趋势。
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- 专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 与Micron合作推出了全新电子书，探讨内存在AI边缘应用中的重要性，以及有效部署边缘人工智能 (AI) 的关键设计考虑因素。Micron是创新内存和存储解决方案的行业知名企业，在边缘计算、数据中心、网络连接和移动等关键市场领域，为AI、机器学习和自动驾驶汽车的发展提供支持。在《5 Experts On Addressing The Hidden Challe
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- 3月21日消息，NVIDIA近日宣布了未来三代AI服务器，不但规格、性能越来越强，HBM内存也是同步升级，容量、频率、带宽都稳步前进。其中，基于GB300芯片的Blackwell Ultra NVL72今年下半年发布，继续采用HBM3E内存；明年下半年的Vera Rubin NVL144升级为下一代HBM4内存；后年下半年的Rubin Ultra NVL576继续升级为加强版HBM4E内存；而到了2028年的Feynman全新架构有望首次采用HBM5内存。与此同时，SK海力士、三星、美光三大原厂也纷纷展示
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- 3D DRAM 将成为未来内存市场的重要竞争者。
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3D DRAM
- 2月24日消息，Intel放弃了广为看好的傲腾存储业务，与之合作的美光也结束了3DX Point存储技术的研发，但是来自中国的新存科技，却在非易失性存储方面取得了重大突破，无论容量还是性能都是一流水准。新存科技2022年7月成立于武汉，是一家专注于新型存储芯片研发、生产、销售的高科技企业，主要产品包括阻变存储、相变存储、铁电存储、磁阻存储，目前员工约200人，其中约90％为研发人员，硕士及以上学历占比77％。去年9月，新存科技发布了中国首款最大容量新型存储芯片“NM101”，现在又宣布了非易失性新型存储芯
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英特尔 傲腾 内存 非易失性存储 新存科技
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