美光 宣布推出业内最高密度的抗辐射 SLC NAND 闪存。新发布的 256Gb SLC NAND 是美光航空航天级 NAND、NOR 和 DRAM 内存解决方案组合中的首款产品，现已实现商业化。该产品专为航空航天及其他极端严苛环境使用而设计。该产品已根据 NASA 的 PEM-INST-001 标准进行了严格的测试，包括极端温度循环、缺陷筛选和动态老化。它还基于美国军用标准 MIL-STD-883 和 JEDEC JESD57 通过了辐射耐受性验证，确保其在高辐射环境中的可靠性。这
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美光 内存 NAND
全球存储解决方案领导者铠侠宣布，其采用第九代 BiCS FLASH™ 3D 闪存技术的 512Gb TLC存储器已开始送样（1）。该产品计划于 2025 年投入量产，旨在为中低容量存储市场提供兼具卓越性能与能效的解决方案。此外，这款产品也将集成到铠侠的企业级固态硬盘中，特别是需要提升 AI 系统 GPU 性能的应用。为应对尖端应用市场的多样化需求，同时提供兼具投资效益与竞争力的产品，铠侠将继续推行“双轨并行
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铠侠 3D 闪存 TLC存储器 闪存 3D闪存
(图片来源：YMTC)长江存储技术有限公司（YMTC），中国领先的 NAND 存储器生产商，自 2022 年底以来一直被美国商务部列入实体清单，这基本上禁止了其获取先进制造设备。尽管面临制裁和限制，YMTC 计划今年扩大其生产能力，目标是在 2026 年底前占据 NAND 存储器生产市场的 15%，据《Digitimes》报道。该公司还计划建设一条仅使用中国制造设备的试验生产线。YMTC 将扩大产能至每月 15 万片晶圆启动据 DigiTimes 报道，预计到 2024 年底，YMTC 的月产能将达到每月
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长江存储 NAND 内存
中国存储半导体公司长鑫存储科技 （CXMT） 和长江存储科技 （YMTC） 正在加强其在全球存储半导体市场的影响力，在大约一年后将其产能几乎翻了一番。自去年以来，中国内存开始在三星电子和 SK 海力士主导的通用 DRAM 市场中崭露头角，从传统 DRAM 开始，在国内市场需求和政府补贴的推动下，中国内存正在提高其竞争力。此外，它还对高带宽内存 （HBM） 和 300 层 3D NAND 闪存等先进产品线提出了挑战，缩小了与三星电子和 SK 海力士的差距。根据 ChosunBiz 21 日获得的 Omdia
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CXMT YMTC DRAM NAND
根据TrendForce预估，第三季NAND Flash价格走势，预估平均合约价将季增5%至10%，但eMMC、UFS产品，因智慧手机下半年展望不明，涨幅较低。client SSD市场因OEM/ODM上半年去化库存情况优于预期，增强第三季回补动能。 而Windows 10停止支持、新一代CPU推出引发换机潮，以及DeepSeek一体机热潮，皆带动client SSD需求。此外，部分原厂积极推动大容量QLC产品，带动出货规模。 综合以上因素，预估第三季client SSD将季增3%至8%。随NVIDIA B
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NAND Flash
从5月29日美国政府颁布对华EDA禁令到7月2日宣布解除，33天时间里中美之间的博弈从未停止，但对于EDA公司来说，左右不了的是政治禁令，真正赢得客户的还是要靠自身产品的实力。作为芯片设计最前沿的工具，EDA厂商需要深刻理解并精准把握未来芯片设计的关键。 人工智能正在渗透到整个半导体生态系统中，迫使 AI 芯片、用于创建它们的设计工具以及用于确保它们可靠工作的方法发生根本性的变化。这是一场全球性的竞赛，将在未来十年内重新定义几乎每个领域。在过去几个月美国四家EDA公司的高管聚焦了三大趋势，这些趋
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EDA 3D IC 数字孪生
SSD 对于提升 PC 及客户端设备的用户体验和系统性能至关重要。Micron Technology Inc.近日宣布，推出美光 2600 NVMe™ SSD，专为原始设备制造商（OEM）设计的高性价比客户端存储解决方案。2600 SSD 搭载业界首款应用于SSD的第九代 QLC NAND（G9 QLC NAND），并采用美光创新的自适应写入技术（Adaptive Write Technology™，AWT），在兼顾 QLC
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美光 自适应写入 QLC NAND
● 全新 Innovator3D IC 套件凭借算力、性能、合规性及数据完整性分析能力，帮助加速设计流程● Calibre 3DStress 可在设计流程的各个阶段对芯片封装交互作用进行早期分析与仿真西门子数字化工业软件日前宣布为其电子设计自动化 (EDA) 产品组合新增两大解决方案，助力半导体设计团队攻克 2.5D/3D 集成电路 (IC) 设计与制造的复杂挑战。西门
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西门子EDA 3D IC
TrendForce最新释出的存储器市场观察指出，2025年第二季以来快速上涨的DDR4价格涨势，恐将在第四季触顶回落; 而NAND市场虽受惠AI需求带动，但因供需未形成紧张态势，价格预期多呈持平。TrendForce表示，DDR4近期的强劲涨势，主要来自供应商削减产出与市场抢货潮，但这波动能可能难以延续至年底。根据通路查核，随着价格进入高档区间，供应商正逐步释出库存，预期第四季整体供应将逐步改善。DDR5方面，目前价格趋势稳定，2025年第二、三季价格季增幅度预估介于3%至8%之间。 不过，部分二线OE
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DDR4 NAND
纵观整个电子行业，往更高密度的集成电路发展无疑是主流趋势。相对于逻辑电路追求晶体管密度提升，类似于FLASH NAND这样的非易失性存储还需要考虑到电子的稳定保存，单纯的提升制造工艺并不能很好的解决所有存储问题，在稳定保存的前提下追求更高的存储密度才能确保新技术、新产品可持续发展，存储单元向上要空间成为顺理成章的事情，因此在SLC（Single-Level Cell）之后才有MLC（Multi-Level Cell），TLC（Triple-Level Cell），以及日渐成为主流的QLC（Quad-Lev
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AI推理 QLC NAND Flash
来自日本东京科学研究所 （Science Tokyo） 的一组研究人员构思了一种名为 BBCube 的创新 2.5D/3D 芯片集成方法。传统的系统级封装 （SiP） 方法，即使用焊料凸块将半导体芯片排列在二维平面 （2D） 中，具有与尺寸相关的限制，因此需要开发新型芯片集成技术。对于高性能计算，研究人员通过采用 3D 堆栈计算架构开发了一种新颖的电源技术，该架构由直接放置在动态随机存取存储器堆栈上方的处理单元组成，标志着 3D 芯片封装的重大进步。为了实现 BBCube，研究人员开发了涉及精确和高速粘合
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2.5D/3D 芯片技术 半导体封装
韩国顶尖国家级研究机构 KAIST 发布了一份 371 页的论文，详细介绍了到 2038 年高带宽内存（HBM）技术的演进，展示了带宽、容量、I/O 宽度以及热量的增加。该路线图涵盖了从 HBM4 到 HBM8 的发展，包括封装、3D 堆叠、以内存为中心的架构以及嵌入 NAND 存储，甚至基于机器学习的方法来控制功耗。 请记住，该文件是关于 HBM 技术假设演进的，基于当前行业和研究方向，而不是任何商业公司的实际路线图。（图片来源：KAIST）每堆叠的 HBM 容量将从 288GB 增加到 34
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HBM.NAND
上半年，时至过半。回顾这半年的半导体市场，似是相对平静，但是仔细回想也有不少芯片巨头在该背景下做了诸多调整。它们接连「动刀」，果断退出部分产品领域。在这个过程中会对半导体产业造成哪些影响？又有哪些公司同步受益？芯片巨头，放弃这些芯片存储三巨头，计划停产 DDR3 和DDR4关于三星、SK 海力士、美光等主要 DRAM 制造商计划停产 DDR3 和 DDR4 内存的消息，想必业内人士早有耳闻。今年 2 月，这则消息正式传来，这一决策是由于对 HBM（高带宽内存）和 DDR5 等
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DDR3 DDR4 NAND HDD
据消息人士透露，三星计划在下个月停止接收MLC NAND芯片的订单，标志着其将逐步退出MLC NAND（多层单元NAND）业务。同时，三星还提高了MLC NAND的价格，促使部分客户开始寻找替代供应商。LG显示（LG Display）正是受影响的客户之一。该公司此前在其用于大型OLED面板的4GB eMMC（嵌入式多媒体卡）中使用三星的MLC NAND。目前，LG显示正在寻求其他供应商，以填补这一空缺。据悉，LG显示此前的eMMC产品还使用了ESMT和铠侠的产品。其中，ESMT的eMMC采用了三星的MLC
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三星 MLC NAND TLC QLC
业界传出，全球BT载板用基材龙头的日本三菱瓦斯化学株式会社（MGC），近日向客户发出BT材料「延迟交付」通知。 随着原料缺货日益严峻，载板供应中长期将出现短缺。 供应链业者同步透露，金价持续上涨、产品交期延长，NAND Flash控制芯片等领域，也可望转嫁成本上涨，包括群联、慧荣等主控业者有机会受惠。多家BT载板业者证实，确实2025年5月上旬时，陆续接获日本MGC书面通知，部分高阶材料订单交期将进一步拉长，显示先前传出ABF载板材料供不应求的情形，已进一步向BT载板供应链蔓延。据三菱发出的通知内容指出，
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台积电 CoWoS BT载板基材 NAND 主控芯片
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