据报道,在2025年英特尔代工大会及VLSI研讨会上,英特尔进一步公布了其最新一代Intel 18A制程的技术细节。Intel 18A采用了RibbonFET环绕栅极晶体管(GAA)技术,相比FinFET技术实现了重大突破。这一技术不仅提升了栅极静电性能,还显著降低了寄生电容,提高了设计灵活性。同时,Intel 18A率先引入了PowerVia背面供电技术,该技术将单元密度和利用率提升了5%-10%,并显著降低了供电电阻,使ISO功率性能提升4%。与Intel 3工艺节点相比,Intel 18A的每瓦性能
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在持续进行的半导体行业竞争中,台积电和三星电子正激烈争夺2纳米芯片制造的领先地位。据最新报道,两家公司计划于2025年下半年开始2纳米芯片的大规模生产。然而,由于良率优势,台积电在获取订单方面处于领先地位。台积电已开始接收其 2 纳米工艺的订单,预计将在其新竹宝山和高雄晶圆厂进行生产。这标志着该公司首次采用环绕栅极(GAA)架构。新工艺预计将比当前的 3 纳米工艺提升 10%至 15%的性能,降低 25%至 30%的功耗,并增加 15%的晶体管密度。主要客户据报包括 AMD、苹果、英伟达、高通和联发科。值
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据报道,全球晶圆代工厂(GF)将在未来几年内投资 11 亿欧元,将其位于德国德累斯顿的芯片工厂产能翻倍。这消息传来之际,该公司还宣布为位于纽约马耳他和佛蒙特州的 CMOS 芯片工厂和氮化镓(GaN)芯片工厂追加 30 亿美元资金。公司此前已宣布为这些地点投入 130 亿美元资金,以及最近启动的纽约先进封装和光子中心。然而,美国政府在减少对佛蒙特州和包装中心的资金支持。这是否属于当前的欧盟芯片法案,还是属于下一阶段芯片法案的谈判,还有待观察。当前的欧盟芯片法案因缺乏资金提供、成果和效益的透明度而受到欧洲审计
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电子集成技术分为三个层次,芯片上的集成,封装内的集成,PCB板级集成,其代表技术分别为SoC,SiP和PCB(也可以称为SoP或者SoB)芯片上的集成主要以2D为主,晶体管以平铺的形式集成于晶圆平面;同样,PCB上的集成也是以2D为主,电子元器件平铺安装在PCB表面,因此,二者都属于2D集成。而针对于封装内的集成,情况就要复杂得多。电子集成技术分类的两个重要依据:1.物理结构,2.电气连接(电气互连)。目前先进封装中按照主流可分为2D封装、2.5D封装、3D封装三种类型。2D封装012D封装是指在基板的表
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电子集成 工艺 制程
5月6日消息,据报道,台积电的2nm制程技术正在引发前所未有的市场需求,有望成为该公司下一个"淘金热"。报道称,台积电的2nm节点需求远超以往任何制程,甚至在大规模量产之前就已经展现出强劲的吸引力,有望超越目前极为成功的3nm节点。台积电的2nm制程技术在成熟度上取得了快速进展,其缺陷密度率已与3nm和5nm相当,并采用了新的环绕栅极晶体管(GAAFET)架构。此外,与3nm增强版(N3E)相比,2nm制程的速度提升了10%至15%。在市场需求方面,苹果被认为是2nm制程的最大客户,可
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Synopsys 为 Intel Foundries 的 18A 和 18A-P 更高性能工艺技术开发了生产就绪型设计流程。这些产品将于今年晚些时候进入量产,用于使用 RibbonFET 全环绕栅极 (GAA) 晶体管和第一个背面供电架构的 1.8nm 设计。两家公司还致力于英特尔 14A-E 高效低功耗工艺的早期设计技术协同优化。这是 Intel Foundry 和 Synopsys 工程团队之间广泛设计技术协同优化 (DTCO) 努力的结果。Synopsys 还针对 Intel 18A 优化了其 IP
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一文带你看懂英特尔的先进制程工艺和高级系统级封装技术的全部细节... 1. 制程技术Intel 18A 英特尔18A制程节点正在按既定计划推进,首个外部客户的流片工作将于2025年上半年完成。Intel 18A预计将在2025年下半年实现量产爬坡,基于该制程节点的首款产品,代号为Panther Lake,将于2025年年底推出,更多产品型号将于2026年上半年发布。【英特尔新篇章:重视工程创新、文化塑造与客户需求;英特尔发布2025年第一季度财报
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4 月 30 日消息,英特尔新任 CEO 陈立武今日在美国加州圣何塞举行的 Intel Foundry Direct Connect2025 活动中亮相,概述了公司在晶圆厂代工项目上的进展。陈立武宣布,公司现在正在与即将推出的 14A 工艺节点(1.4nm 等效)的主要客户进行接触,这是 18A 工艺节点的后续一代。英特尔已有几个客户计划流片 14A 测试芯片,这些芯片现在配备了公司增强版的背面电源传输技术,称为PowerDirect。陈立武还透露,公司的关键 18A 节点现在处于风险生产阶段,预计今年晚
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据日本共同通信社和日经新闻报道,日本政府计划在2025年下半年对半导体企业Rapidus出资1,000亿日元,并成为其股东。这一计划的法律基础已经确立,日本参议院于4月25日通过了《信息处理促进法》等修正案,正式为相关支持铺平道路。日本经济产业省(经产省)主管的信息处理推进机构(IPA)将新增金融业务,向民间金融机构为下一代半导体企业提供债务担保。这一机制将使日本政府能够通过IPA对Rapidus进行出资,出资对象将通过公开招募选定,预计为Rapidus。经产省已在2025年度预算中预留了1,000亿日元
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作为全球晶圆代工产业的龙头,2024年台积电全年合并营收达900亿美元,同比增长30%;税后净利达365亿美元,同比大幅增长35.9%。毛利率达到56.1%,营业利益率达45.7%,皆创历史新高。2025年首季,台积电的营运表现远超市场预期。据晶圆代工业内人士透露,台积电首季毛利率达58.8%,且预计第二季毛利率有望介于57%-59%的高位区间;美元营收有望实现环比增长13%、同比增长近40%。与之形成鲜明对比的是,二线代工厂首季营运并未出现明显回暖迹象。具体来看,联电2025年首季合并营收为新台币578
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财联社4月23日讯(编辑 马兰)据媒体报道,英特尔正委托台积电使用其2纳米制程生产Nova Lake CPU。考虑到英特尔自己拥有18A工艺,且一直宣传该工艺胜过台积电的2纳米技术,这份代工合同可能透露出一些引人深思的讯号。英特尔声称将为客户提供最好的产品,而这可能是其将Nova Lake生产外包给台积电的一个原因。但业内也怀疑,既然18A工艺已经投入了试生产,英特尔将生产外包可能是由于产能需求的驱动,而不是性能或回报等方面的问题。还有传言称,英特尔可能采取双源战略:既使用台积电的2纳米技术生产旗舰产品,
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4 月 21 日消息,2025 年超大规模集成电路研讨会(VLSI Symposium)定于 2025 年 6 月 8 日至 12 日在日本京都举行,这是半导体领域的顶级国际会议。VLSI 官方今日发布预览文档,简要介绍了一系列将于 VLSI 研讨会上公布的论文,例如 Intel 18A 工艺技术细节。相较于 Intel 3 制程,Intel 18A 节点在性能、能耗及面积(PPA)指标上均实现显著提升,将为消费级客户端产品与数据中心产品带来实质性提升。英特尔声称,在相同电压(1.1V)和复杂度条件下,I
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4月15日,AMD宣布其新一代Zen 6 EPYC处理器「Venice」正式完成投片(tape out),成为业界首款采用台积电2nm(N2)制程技术的高效能运算(HPC)处理器,预计将于明年上市。这也是AMD首次拿下台积电最新制程工艺的首发,而以往则都是由苹果公司的芯片首发。N2是台积电首个依赖于全环绕栅极晶体管(Gate All Around,GAA)的工艺技术,预计与N3(3nm)相比,可将功耗降低24%至35%,或者在相同运行电压下的性能提高15%,同时晶体管密度是N3的1.15倍,这些提升主要得
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英特尔的代工服务高级副总裁 Kevin O'Buckley 在 2025 年愿景大会上宣布了公司 18A 工艺节点的进展。 在 2025 年愿景会议上,英特尔今天宣布已进入其 18A 工艺节点的风险生产,这是一个关键的生产里程碑,标志着该节点现在处于小批量测试制造运行的早期阶段。英特尔的代工服务高级副总裁 Kevin O'Buckley 宣布了这一消息,因为英特尔即将完全完成其“四年五个节点”(5N4Y) 计划,该计划最初由前首席执行官帕特·基辛格 (Pat Gelsinger)
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18a 制程介绍
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