4月14日，全球最大的芯片代工制造商台积电公布了截至3月31日的2017财年第一季度财报。财报显示，台积电第一季度总营收为2339.1亿新台币(约人民币530亿元，单位下同)，净利润达到198.54亿元，同比增长高达35.3%，充分显示了其全球晶圆代工的霸主地位。
按制程看，台积电28nm以下先进制程工艺占据晶圆代工收益的56%，其中16/20nm工艺、28nm工艺占营收的比重为31%、25%。
中芯国际28nm尚待放量
而反观大陆28nm进展最快的中芯国际，其2016年第四
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中芯国际 制程
半导体制程节点名称出现前所未有的“增生”情况，产业界需要一种优良的公用性能基准，才能对不同业者的半导体制程技术进行比较。
这段时间以来，晶圆代工业者纷纷将他们自己的最新制程节点以自己想要的市场定位来命名，并非依据任何透明化的性能基准，而现在该是时候阻止这种“欺骗”行为。
英特尔(Intel)最近提出了一种简单、但在某种程度上有点“自私自利”的电晶体密度量测标准，其他晶圆代工竞争对手则以“震耳欲聋的沉默&rd
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晶圆 制程
这项新策略意谓英特尔的发展重心及注意力已从PC移到其他领域。
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英特尔 制程
Intel 14nm=三星10nm，Intel领先了整整三年？
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英特尔 制程
手机芯片好比一部手机的大脑。一款智能手机的程序运行速度、流畅度、拍照、续航、网络制式等大量的基础性能的优劣，其决定权均来自于手机处理器。因此，手机芯片对整个手机的性能有着决定性的作用。 近日，鲁大师数据中心发布了2016年Q3季度的芯片排行榜。通过该排行榜，我们可以大致了解本季度手机芯片市场发展。
芯片市场变化
事实上，2016年的手机芯片几乎已在上半年就大批量投入使用了，从鲁大师发布的2016年Q3季度报告中的CPU纯逻辑运算性能测试TOP20可以了解到，本季
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芯片 制程
适用了20余年的摩尔定律近年逐渐有了失灵的迹象。从芯片的制造来看，7nm就是硅材料芯片的物理极限。不过据外媒报道，劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限，采用碳纳米管复合材料将现有最精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm。那么，为何说7nm就是硅材料芯片的物理极限，碳纳米管复合材料又是怎么一回事呢?面对美国的技术突破，中国应该怎么做呢?
XX nm制造工艺是什么概念?
芯片的制造工艺常常用90nm、65nm、40nm、28nm、22nm、14nm来表示，比如Intel最新的六代酷
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制程 1nm
半导体先进制程发展持续升温，相关封装、材料及设备需求也跟着水涨船高。为因应先进制程技术发展趋势，半导体业者纷纷祭出新型机台、设备或化学材料解决方案，藉以强化自身竞争优势，并抢占庞大的先进制程需求大饼。
2016 年Semicon Taiwan展的摊位数量达一千六百个摊位，预估参观人数则上看4.3万人，展会规模将创历年之最。从本次Semicon Taiwan展会盛况可看出，整体而言，半导体产业未来仍具有相当大的发展潜力，特别是10奈米以下先进制程，更是推动半导体材料、设备需求的关键因素。 为满足先
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半导体 制程
要判定FinFET、FD-SOI与平面半导体制程各自的市场版图还为时过早…
尽管产量仍然非常少，全空乏绝缘上覆矽(fully depleted silicon-on-insulator，FD-SOI)制程有可能继Globalfoundries宣布12奈米计画(参考阅读)之后快速成长;而市 场研究机构International Business Strategies (IBS)资深分析师Handel Jones表示，三星(Samsung)或将在中国上海成立的一座新晶圆厂是否会采用FD
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制程 FinFET
背景：2015年前三季度我国集成电路进口额1629亿美元，出口额473亿美元，逆差1156亿美元，较2014年同期进一步扩大。芯片自给率不足30%，高额利润被海外巨头继续垄断，国产任重道远。
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芯片 制程
市场对设备秏电量的要求也越来越严格，电源问题已经快速成为芯片设计时最棘手的问题之一。
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芯片 制程
2008年1月15日，中国北京-全球领先的可编程逻辑器件(PLD)供应商赛灵思公司(Xilinx, Inc. (NASDAQ: XLNX))宣布推出其最新的90nm低成本Spartan™-3A FPGA器件。针对数字显示、机顶盒以及无线路由器等应用而优化的这些小封装器件满足了业界对更小器件封装尺寸的需求，为成本极为敏感的消费电子设计提供将更好的支持。 Spartan-3系列平台:低成本消费应用的首选 赛灵思在大批量消费应用领域所取得的成功很大程度上依赖于其S
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Xilinx FPGA IC 制程
由于ASIC的研发成本居高不下，加上近来FPGA不断整合更多的功能，同时也突破了过往功耗过高的问题，尤其当进入28奈米制程之后，其性价比开始逼近ASSP与ASIC，促使FPGA开始取代部分ASIC市场，应用范围也逐步扩张。
掌握这样的趋势，让FPGA大厂Xilinx在28奈米的产品营收持续成长。Xilinx企业策略与行销资深副总裁SteveGlaser指出，预估今年在28奈米产品线将会有1亿美元的营收，市占率高达61%，而2014年更将大幅成长，目标将成长至2亿5千万营收表现，市占率也将成长
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Xilinx 制程
行动运算产品市场持续朝产品薄化方向设计，目前相关设计多使用整合晶片减少元件用量，对于异质核心的封装整合，若仍使用旧有的封装技术将会造成成品元件仍具一定程度占位面积，必须利用堆叠与更复杂的3DIC技术进行元件整合的积极微缩设计…
矽晶片的制程技术，一直是推进行动终端产品跃进式升级、改善的关键驱动力，以往透过SoC(systemonachip)将不同用途的异质核心进行整合，目前已经产生简化料件、缩减关键元件占位面积的目的，但随着使用者对于行动装置或可携式装置的薄化、小型化要求越来越高，
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3D 制程 矽穿孔
就在市场普遍关注晶圆代工厂的28纳米制程竞争之际，晶圆代工龙头台积电(2330)仍积极将现有技术升级为特殊技术制程产能，原因就是持续看好行动装置及智能穿戴装置的强劲成长动能，包括嵌入式快闪存储器(eFlash)、CMOS影像传感器、指纹辨识元件、微机电及光感测元件等，都是台积电未来2～3年的布局重点。
台积电董事长张忠谋在上周法说会中，特别提及特殊技术重要性，因为行动装置及智能穿戴装置的ARM架构核心处理器芯片，会大量用到28纳米以下先进制程，但其它的类比或感测芯片同样重要，而这些芯片虽不需应用
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台积电 制程 NFC
自从ARM决定从行动装置跨足到伺服器市场后，无不加快自己在制程技术上的脚步，好能跟Intel一决高下，不过当然还是必须协同主要合作夥伴(台积电与三星)的技术进度。对ARM来说，去年年底宣布成功试产(Tape Out)14nm FinFET制程技术的三星，将是有助于提高自家处理器效能的关键，但目前仍有技术上的问题必须克服。
日前ARM已正式对外公布2013年Q1财报，营收同样继续维持成长，主要营收的大多比重皆是来自于IP技术授权(ARMv8、Mali、big.LITTLE技术)。而低功耗一直以来都
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