- 近日，格芯2017技术大会（GLOBALFOUNDRIES Technology Conference或GTC）于上海举行，格芯盛邀数百位半导体行业领导者、客户、研究专家与核心媒体齐聚一堂，并精心为与会者准备了公司的核心业务、市场推进方向与创新成果，以及包括制程工艺、设计实现、IP、射频以及生态圈的发展等方面的最新进展，共同聚焦格芯面向5G互联时代的技术解决方案。作为格芯的年度技术盛会，本次大会格芯分享的技术主题十分广泛，包括FDX®设计和生态系统、IoT，5G/网络和汽车解决方案智能应用，FDX®、Fi
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GTC FDSOI FINFET 制程
- 法国研究机构CEA-Leti宣布开发出可为全耗尽型绝缘体上覆矽(FDSOI)矽通道制程诱导局部应变的2种新技术，可望用于实现更快速、低功耗与高性能的下一代FDSOI电路。 意法半导体(STMicroelectronics;ST)和Globalfoundries倡议为先进晶片中采用FDSOI，并视其为能够达到世界级能效的方法，而且不必面对像FinFET制程的复杂性与高成本。 晶格上的应变通常用于增加传统平面CMOS与FinFET CMOS的行动性。如今，Leti则提议将它用在下一代的FDSOI电路上
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FDSOI
- 法国两家半导体研究机构CEA-Leti和Circuits Multi Projets日前宣布，他们将在一项定于明年9月份启动的300mm多项目晶片研究计划中采用基于20nm制程的全耗尽型SOI工艺制作这种芯片。这次 多项目晶片研究计划是由欧洲一个专门研究SOI技术的学术团体EuroSOI+负责参与支持的。
所谓的多项目芯片(multi-project wafer：MPW)，指的是在同一片晶圆上采用相同的制程制出不同电路设计的IC芯片，这样可以为多家厂商或研究机构的IC设计验证节约成本，非常适用于
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FDSOI 20nm
fdsoi介绍
FDSOI技术即全耗尽型SOI技术，有些文献上也写成ETSOI即超薄型SOI，具有非常强的竞争力，适合20nm及更高级别制程的移动/消费电子产品使用。 FD-SOI是下一代晶体管结构的热门技术之一。目前制造晶体管的主流技术是采用体硅技术制作的32/28nm制程平面型晶体管。 AMD，IBM以及其它部分厂商目前则在使用基于部分耗尽型SOI技术的平面型晶体管制造自己的处理器产品。相比之下，In [
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