据外媒报道，按iPhone所搭载的A系列芯片制程工艺不断升级的惯例，在iPhone 15 Pro系列搭载由台积电采用第一代3nm制程工艺代工的A17 Pro芯片之后，苹果明年秋季将推出的iPhone 16系列，就将部分或全部搭载由第二代3nm制程工艺代工的A18芯片。也就意味着台积电的这一制程工艺，在明年苹果推出iPhone 16系列之前，就将具备大批量代工的能力，能为iPhone 16的备货提供芯片上的支持。苹果在iPhone 15 Pro和iPhone 15 Pro Max两款机型上，装备了采用N3B
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作为当前全球最先进的制程工艺，台积电和三星的3nm制程工艺均已在去年量产，其中三星电子是在6月30日开始量产，台积电则是在12月29日开始商业化生产。从外媒最新的报道来看，这两大厂商3nm制程工艺的良品率，目前均还在60%以下，在将良品率提升到60%以上都遇到了挑战。此前预计三星的良品率在今年将超过60%，台积电的良品率在8月份时就已在70%-80%，高于三星电子。虽然三星电子3nm制程工艺为一家客户代工的芯片，良品率达到了60%，但由于并不包括逻辑芯片的SRAM，不被认为是完整的3nm制程工艺产品。3n
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9 月 10 日消息，英特尔此前曾宣布与 Arm 建立合作关系，在 Intel 18A 制程上优化 Arm IP，进一步降低采用 Arm IP 的客户采用 Intel 18A 的成本与风险。郭明錤最新的调查显示，Arm 和 Intel 之间的合作不仅限于先进的制程优化。Arm 很可能成为 Intel 18A 客户，这意味着 Intel 将使用 18A 生产 ARM 自家芯片。当然，由于没有基带 IP，而且考虑到现有智能手机客户（如苹果、高通等），Arm 芯片大概率不会涉及手机方面。郭明錤认为，如果 Arm
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近年来，Intel制定了4年掌握5代制程技术的IDM 2.0战略，决心在2025年重回半导体领先地位。在IDM 2.0战略中，IFS芯片代工业务的重要性与x86芯片生产相当，为了推动IFS芯片代工业务的发展，Intel对该部分业务进行了独立核算并积极争取客户。其中，备受关注的18A工艺是其重现辉煌的关键，Intel表示18A工艺不仅在技术水平上超过了台积电、三星等公司的2nm工艺，而且在进度上也领先于它们。据悉，Intel正全力以赴地推进内部和外部测试18A工艺芯片，有望在2024年下半年实现生产准备就绪
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最新调查显示，高通已经停止开发基于Intel 20A工艺的芯片。郭明錤发布最新研究报告认为，高通关于Intel 20A芯片的决定可能会对英特尔的RibbonFET和PowerVia技术产生负面影响。这意味着Intel 20A可能无法在明年的预期时间内上市，进一步使得Intel 18A研发与量产面临更高不确定性与风险。英特尔处于不利地位先进制程进入7nm后，一线IC设计业者的高端订单对晶圆代工来说更为重要。一线IC设计厂商的设计能力、订单规格（尤其是最高端）、订单规模相比一般订单可以显著改善代工的技术实力，
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台积电的 3nm 晶圆厂制程良率在 70%-80% 之间，但苹果不会替这些缺陷产品买单。
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IT之家 8 月 9 日消息，据台湾地区《经济日报》报道，台积电昨日宣布，因应先进制程强劲市场需求，高雄厂确定以 2 纳米的先进制程技术生产规划。台积电在 4 月法说会上证实高雄厂将 28 纳米产线调整为更先进制程技术，但当时未提到改为何种制程。台积电目前 2 纳米生产基地已规划竹科、中科，后续若高雄纳入，该公司将拥有三个 2 纳米生产基地。另外，据台湾地区“中央社”消息，台积电规划 2 纳米制程将于 2025 年量产，采用纳米片晶体管结构。同时，台积电在 2 纳米发展出背面电轨解决方案，适用于
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消费电子市场持续疲软、人工智能火热的大环境下，晶圆制造厂商积极瞄准高性能芯片，2nm先进制程之争愈演愈烈。2nm芯片能带来什么？对传统晶圆代工龙头而言，2nm能带来更高性能，满足AI时代下业界对高性能半导体的需求。而对新兴企业而言，2nm则可以提升半导体产品价值，并助力其积极追赶龙头企业。目前传统龙头企业台积电、三星电子以及新兴企业Rapidus正积极布局2nm芯片，2nm制程之争将全面打响，这三家企业进展如何？台积电：3nm、2nm路线规划曝光台积电认为，在相同功率下，2nm（N2）速度相比N3E提高1
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近日，比利时微电子研究中心(IMEC)发表1纳米以下制程蓝图，分享对应晶体管架构研究和开发计划。外媒报导，IMEC制程蓝图显示，FinFET晶体管将于3纳米到达尽头，然后过渡到Gate All Around(GAA)技术，预计2024年进入量产，之后还有FSFET和CFET等技术。△Source：IMEC随着时间发展，转移到更小的制程节点会越来越贵，原有的单芯片设计方案让位给小芯片(Chiplet)设计。IMEC的制程发展愿景，包括芯片分解至更小，将缓存和存储器分成不同的晶体管单元，然后以3D排列堆叠至其
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据媒体引述半导体设备业者表示，2023全年，台积电3nm产能仍以N3（N3B）为主，整体良率接近75%。根据报道，由于台积电3nm在PPA表现下与4nm差异不大，且3nm报价涨至2万美元，只有苹果有8折优惠，目前有多家客户已修正制程规划，调整投片与订单，包括拉长4/5nm世代周期，放缓N3E、N3P采用进度，等待2nmGAA制程世代再重押。报道称，虽然台积电产能布局可能被打乱，但客户黏着度更高，对于2nm GAA世代相当有信心，已采用4/3nm的客户，几乎皆有2nm投片规划。从3nm工艺上看，台积电曾表示
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三星似乎已经解决了4nm工艺的一系列障碍。据Digitimes报道，三星在第三代4nm工艺的进步可能超出外界预期，从之前的60%提高到70%以上。
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此次合作将首先聚焦于移动SoC的设计，未来有望扩展到汽车、物联网、数据中心、航空和政府应用领域。此次合作也代表半导体行业两个巨头之间产生新的重要合作关系，有可能对全球芯片制造市场产生重大影响。
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本周，Intel在IEDM大会期间，公布了新的制程工艺路线图。内容显示Intel 4/3/20A均按部就班推进，且18A（相当于友商1.8nm）更是提前到了2024下半年准备投产。据悉，Intel 4相当于友商4nm，也就是Intel此前口径中的7nm，它会导入先进的EUV光刻技术，并在14代酷睿Meteor Lake上首发。Meteor Lake（流星湖）也会是Intel第一款采用多芯片混合封装技术的处理器，GPU核显单元预计将由台积电3nm/5nm代工。活动上，Inte副总裁、技术开发总经理Ann K
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研调机构预估，全球AR／VR产品出货量至2026年上看5,050万台，2022年至2026年年均复合成长率为35.1％。法人表示，AR／VR智能穿戴装置为目前进入元宇宙世界的唯一入口，而元宇宙又是上网、通讯、影像传输、运算等功能的集大成应用，PCB涵盖到元宇宙多个端点，预期如软板、HDI、软硬结合板、ABF载板都在受惠行列。尽管元宇宙相关AR／VR智能穿戴装置仍未普及，但不少科技巨擘或零组件厂积极抢进，如Meta、Sony、hTC、微软等，一些PCB供货商也看好明年元宇宙穿戴会是不错的成长动能来源。工研院
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