台积电为全球晶圆代工龙头，追兵英特尔来势汹汹，瑞银分析师Timothy Arcuri最新报告指出，英特尔在新任执行长陈立武带领下，着重发展半导体设计与代工能力，正积极争取英伟达与博通下单18A制程。Timothy Arcuri表示，英伟达比博通更有机会下单英特尔晶圆代工，可能用于游戏产品，但效能与功耗仍是英伟达考虑的重点。 另一方面，英特尔透过改善先进封装技术，缩小与台积电的差距，英特尔EMIB接近台积电的CoWoS-L希望能吸引以英伟达为首的大客户支持。此外，英特尔与联电的合作相当顺利，最快可能在202
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3月24日消息，中国科学院（CAS）研究人员成功研发突破性的固态深紫外（DUV）激光，能发射 193 纳米的相干光（Coherent Light），与当前被广泛采用的DUV曝光技术的光源波长一致。相关论坛已经于本月初被披露在了国际光电工程学会（SPIE）的官网上。目前，全球主要的DUV光刻机制造商如ASML、Canon和Nikon，均采用氟化氩（ArF）准分子激光技术。这种技术通过氩（Ar）和氟（F）气体混合物在高压电场下生成不稳定分子，释放出193纳米波长的光子。这些光子以短脉冲、高能量形式发射，输出功
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Intel新CEO陈立武上任之际，Intel工厂传出了捷报，位于亚利桑那州的新晶圆厂的Intel 18A工艺开始初始批量生成，新工艺的量产计划有望提早实现。Intel工程经理Pankaj
Marria在LinkedIn的帖子中以“雄鹰已着陆”为喻，强调这一节点开发是先进制程研发的重要里程碑。从中我们了解到Intel
18A节点已开始批量生产首批晶圆，供客户进行测试与评估。这标志着英特尔18A节点的工艺设计套件（PDK）正式进入1.0版本，客户已开始利用该套件进行定制芯片的测试。Intel
18
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尽管英特尔希望减少对台积电制造服务的使用，但该公司将在可预见的未来继续从这家总部位于中国台湾的代工厂订购芯片，一位高级管理人员昨天在一次技术会议上表示。英特尔的宏伟计划是在英特尔代工内部生产尽可能多的产品，但由于这可能不是最佳策略，它目前正在评估其产品的百分比应该在台积电生产。“我认为一年前我们在谈论尽快将[TSMC的使用量]降至零，但这已经不是策略了，”英特尔企业规划和投资者关系副总裁John Pitzer在摩根士丹利技术、媒体和电信会议上说。“我们认为，至少与台积电合作的一些晶圆总是好的。他们是一个很
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在半导体制程技术的竞赛中，2纳米制程成为各大厂商争夺的下一个重要里程碑。 台积电（TSMC）正在积极研发2纳米制程，于2024年开始试产，并计划于2025年实现量产。 台积电将在2纳米节点引入GAA（环绕栅极）纳米片晶体管技术，这是从传统的FinFET转向新一代晶体管架构的重大转变。 台积电也计划兴建2纳米晶圆厂，以满足未来的生产需求。台积电在制程技术上一直保持领先，拥有稳定的制造流程和广泛的客户基础。 与苹果、AMD、高通等大客户的紧密合作，使其在市场上具有强大的影响力。 且需面对来自三星和英特尔在GA
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近日，英特尔宣布，其18A制程节点（1.8纳米）已经准备就绪，并计划在今年上半年开始设计定案。该制程将导入多项先进半导体技术。18A制程相较于英特尔3nm制程，可将芯片密度提升30%，并提高每瓦性能约15%。英特尔计划将18A制程应用于即将推出的Panther
Lake笔电处理器与Clearwater Forest服务器CPU，这两款产品预计将于年底前上市。18A制程的一大突破是PowerVia背面供电技术。该技术透过将粗间距金属层与凸块移至芯片背面，并采用纳米级硅穿孔（through-silicon
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英特尔在国际固态电路会议 (ISSCC) 上公布了半导体制造领域的一些有趣进展，展示了备受期待的英特尔 18A
工艺技术的功能。演示重点介绍了 SRAM 位单元密度的显著改进。PowerVia 系统与 RibbonFET (GAA)
晶体管相结合，是英特尔节点的核心。该公司展示了其高性能 SRAM 单元的坚实进展，实现了从英特尔 3 的
0.03 µm² 减小到英特尔 18A 的 0.023 µm²。高密度单元也显示出类似的改进，缩小到 0.021 µm²。这些进步分别代表了
0.77 和
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2月13日消息，虽然受到美国制裁，但中国一直是以光刻机为主的晶圆/芯片制造设备的最大采购国，而根据半导体研究机构TechInsights的最新报告，2025年中国半导体厂商的采购将首次出现大幅下降。报告称，2024年，中国对半导体制造设备的采购额为410亿美元，而在2025年预计会降至380亿美元，降幅超过7％。TechInsights认为，这一方面是美国的出口管制政策越发收紧，另一方面是中国半导体本身不断取得突破，同时芯片供应超过了需求。30亿美元的下降很大，不过380亿美元的采购规模，仍然让中国稳居世
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在CES 2025上的处理器大厂英特尔演讲中，英特尔临时联合执行长Michelle Johnston宣布，首款Intel 18A节点制程芯片，也就是英特尔Panther Lake处理器将于2025年下半年发表。演讲中，Johnston还展示了 Panther Lake 芯片的样品，并表示芯片已经在测试中，她对 intel 18A 节点制程的成果非常满意。Johnston宣布Intel 18A节点制程将于2025年晚些时候发表。 她强调，英特尔会在2025年及以后继续增强AI PC产品组合，向客户提供领先的
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12月25日消息，据媒体报道，三星正计划对其先进半导体封装供应链进行全面整顿，以加强技术竞争力。这一举措将从材料、零部件到设备进行全面的“从零检讨”，预计将对国内外半导体产业带来重大影响。报道称，三星已经开始审查现有供应链，并计划建立一个新的供应链体系，优先关注设备，并以性能为首要要求，不考虑现有业务关系或合作。三星甚至正在考虑退回已采购的设备，并重新评估其性能和适用性，目标是推动供应链多元化，包括更换现有的供应链。三星过去一直执行“联合开发计划”与单一供应商合作开发下一代产品，然而，由于半导体技术日益复
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在欧洲开放创新平台（OIP）论坛上，台积电表示电子设计自动化（EDA）工具和第三方IP模块已为性能增强型N2P/N2X制程技术做好准备。目前，Cadence和Synopsys的所有主要工具以及Siemens EDA和Ansys的仿真和电迁移工具，都已经通过N2P工艺开发套件（PDK）版本0.9的认证，该版本PDK被认为足够成熟。这意味着各种芯片设计厂商现在可以基于台积电第二代2nm制程节点开发芯片。据悉，台积电计划在2025年末开始大规模量产N2工艺，同时A16工艺计划在2026年末开始投产。台积电N2系
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据外媒报道，美国商务部已向台积电发函，对7nm及以下制程的芯片实施更为严格的出口管控措施，特别是针对人工智能（AI）和图形处理器（GPU）领域。对此台积电计划提高与客户洽谈与投片的审核标准，扩大产品审查范围 —— 同时，已通知中国大陆的部分芯片设计公司，从即日起暂停向它们提供7nm或以下制程的芯片。台积电回应称，对于传言不予置评。从最新的传闻来看，虽然美国目前尚未正式出台相关的限制细则，但三星似乎也受到了来自美国商务部的压力，不得不采取与台积电类似的举措。有消息称，三星与台积电近日向他所投资的企业发送邮件
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10 月 24 日消息，根据 TrendForce 集邦咨询最新调查，受国产化浪潮影响，2025 年国内晶圆代工厂将成为成熟制程增量主力，预估 2025 年全球前十大成熟制程代工厂的产能将提升 6%，但价格走势将受压制。TrendForce 集邦咨询表示，目前先进制程与成熟制程需求呈现两极化，5/4nm、3nm 因 AI 服务器、PC / 笔电 HPC 芯片和智能手机新品主芯片推动，2024 年产能利用率满载至 2024 年底。28nm (含) 以上成熟制程仅温和复苏，今年下半年平均产能利用率较上半年增加
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市场消息传出，台积电正在提前试产2nm芯片，预期将在明年iPhone17上首度亮相，但也面临一些挑战。两位消息人士透露，台积电去年12月已向苹果和NVIDIA在内的最大客户展示首款「N2」原型的制程测试结果；2nm制造设备已于第二季开始进驻宝山厂并进行安装、于第三季试产，比市场预期的第四季还早。市场解读，台积电在量产前加快速度是为了确保良率稳定。有报导称，苹果可能已预留台积电所有2nm产能，和首次用于iPhone 15 Pro 的3nm芯片一样。虽然台积电能制造芯片，但需要其他供应商协助，2nm更是凸显出
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根据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询调查显示，第二季中国618年中消费季的到来，以及消费性终端库存已回归健康水平，客户陆续启动消费性零部件备货或库存回补，推动晶圆代工厂接获急单，产能利用率显著提升，较前一季明显改善。同时，AI服务器相关需求续强，推升第二季全球前十大晶圆代工产值季增9.6%至320亿美元。从排名来看，前五大晶圆代工厂商第二季保持不变，依次为TSMC（台积电）、Samsung（三星）、SMIC（中芯国际）、UMC（联电）与GlobalFoundries（格芯）。在六至十名中，VI
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