Intel 18A制程技术细节曝光：性能与密度全面提升

据报道，在2025年英特尔代工大会及VLSI研讨会上，英特尔进一步公布了其最新一代Intel 18A制程的技术细节。
Intel 18A采用了RibbonFET环绕栅极晶体管（GAA）技术，相比FinFET技术实现了重大突破。这一技术不仅提升了栅极静电性能，还显著降低了寄生电容，提高了设计灵活性。同时，Intel 18A率先引入了PowerVia背面供电技术，该技术将单元密度和利用率提升了5%-10%，并显著降低了供电电阻，使ISO功率性能提升4%。
与Intel 3工艺节点相比，Intel 18A的每瓦性能提高了15%，芯片密度提升了30%。具体来看，Intel 18A在低电压（<0.65V）和高电压（>1.1V）下均表现出色。在相同功耗下，其性能比Intel 3提升18%-25%；在相同频率下，功耗则降低36%-38%。这些改进得益于RibbonFET晶体管、背面供电技术以及前端互联优化的协同作用。
在芯片面积缩放和利用率方面，Intel 18A相比Intel 3带来了最高39%的密度提升（平均约30%），单元利用率也提升了6.5个百分点。此外，PowerVia技术的应用使单元能源利用率提高了8%-10%，并将最坏情况下的固有电阻下降降低了10倍。
Intel 18A还提供了高密度单元库（160nm）和高性能单元库（180nm），相比Intel 3的密度提升了30%以上。尽管其M0间距略高于Intel 3，但得益于PowerVia技术的集成，M2间距缩小了30%以上，进一步优化了工艺复杂度和成本。
在互连性能方面，Intel 18A显著降低了通孔电阻。相比Intel 3，其M0/M3/M6层的通孔电阻分别降低了24%、30%和49%，M40-M42层降低了12%，M80-M84层降低了13%。此外，在SRAM缩放方面，Intel 18A的HCC和HDC单元面积分别缩小了23.3%和12.5%。不过，与台积电N2制程相比，Intel 18A的SRAM密度仍存在一定差距。
英特尔表示，Intel 18A目前已进入风险试产阶段，预计将在年底实现大规模量产，首发应用于Panther Lake客户端处理器和Clearwater Forest服务器处理器。尽管英特尔与NVIDIA、博通等合作伙伴已展开基于Intel 18A的芯片测试验证，但其财务总监戴维·津斯纳表示，目前该技术对外部客户的代工规模尚不显著。