Synopsys支持英特尔18A-P、E工艺技术

Synopsys 为 Intel Foundries 的 18A 和 18A-P 更高性能工艺技术开发了生产就绪型设计流程。这些产品将于今年晚些时候进入量产，用于使用 RibbonFET 全环绕栅极 （GAA） 晶体管和第一个背面供电架构的 1.8nm 设计。

两家公司还致力于英特尔 14A-E 高效低功耗工艺的早期设计技术协同优化。这是 Intel Foundry 和 Synopsys 工程团队之间广泛设计技术协同优化 （DTCO） 努力的结果。

Synopsys 还针对 Intel 18A 优化了其 IP，并扩展了对 Intel 18A-P 的设计支持。英特尔 18A 工艺的每瓦性能比之前的 3nm 技术提高了 15%，面积增加了 30%。18-P 将提高性能，而 18-E 将增加密度。

适用于 18A 和 18A-P 的 AI 支持 EDA 参考流程具有统一的探索到签核平台，可加速英特尔嵌入式多晶片互连桥接 T （EMIB-T） 小芯片封装技术的 2.5D/3D 多晶粒设计。

这可用于最近推出的 Intel Foundry Accelerator Chiplet Alliance 以及 Intel Foundry Accelerator Design Service Alliance。

EMIB-T 结合了 EMIB 2.5D 和 Foveros 3D 封装技术的优势，可在超过掩线限制的基板尺寸下实现高互连密度。EMIB-T 参考流程允许早期凸块和 TSV 规划和优化，具有自动 UCIe 和 HBM 布线。

Synopsys IP 事业部高级副总裁 John Koeter 表示：“我们的生产就绪型 EDA 流程、IP 和多晶粒解决方案为我们的共同客户提供了全面的技术，以加速开发满足或超过其要求的芯片设计。

英特尔代工生态系统技术办公室副总裁兼总经理Suk Lee表示：“我们与Synopsys的持续合作使工程团队能够利用我们独特的系统代工能力和优化的Synopsys EDA流程和Intel 18A-P工艺节点上的IP，加速'芯片系统'创新，以创建差异化设计，更快地获得结果。

Synopsys IP 和 EDA 流程还针对英特尔 18A 和英特尔 18A-P 工艺节点上的功耗和面积进行了优化，以使用热感知分析来利用 PowerVia 背面电源。英特尔 18A 工艺节点上的 IP，包括 224G 以太网、PCIe 7.0、UCIe、USB4、嵌入式存储器、逻辑库、IO 和 PVT 传感器。