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据《ZDNet Korea》报道，三星电子存储部门新业务规划团队董事总经理Choi Jang-seok近日表示，即将推出的内存模块被指定为CMM-D2.0，将符合CXL2.0协议。这些模块将利用使用第二代20-10nm工......
美光18日宣布，该公司多重存取双列直插式内存模块（MRDIMM）开始送样，针对内存需求高达每DIMM 插槽128GB以上的应用，其效能更胜目前的硅晶穿孔型（TSV）RDIMM。光第一代MRDIMM，与IntelR Xeo......
美光宣布旗下消费级品牌英睿达推出新款固态硬盘P310，这也是其首款M.2 2230 PCIe 4.0 SSD，将SSD带到了最小尺寸的M.2规格上。据悉，此次发布的P310系列，精心准备了1TB与2TB两种大容量选项，以......
美光科技股份有限公司近日宣布，已出样多路复用双列直插式内存模块（MRDIMM）。该款 MRDIMM 将赋能美光客户应对日益繁重的工作负载，从而最大化计算基础设施的价值。对于需要每个 DIMM 插槽内存超过 128GB 的......
近期在智慧手机、PC、数据中心服务器上，用于暂时储存数据的DRAM价格涨势停歇，买家拉货不积极，影响DRAM报价涨势。 业者期待，SK海力士、三星及美光前三大厂HBM产能增开，对一般型DRAM产生的排挤效应，加上产业旺季......
在英伟达一步步站稳万亿市值脚根的道路上，少不了两项关键技术支持，其中之一是由台积电主导的 CoWoS 先进封装，另一个便是席卷当下的 HBM（高带宽存储）。英伟达 H200 是首次采用 HBM3E 存储器规格的 AI 加......
三星今日宣布，已成功在联发科技的下一代天玑旗舰移动平台完成其最快的10.7千兆比特/秒（Gbps）LPDDR5X DRAM验证。三星半导体LPDDR5X移动内存产品图此次10.7Gbps运行速度的验证，使用三星的16GB......
在2024年慕尼黑上海电子展的璀璨舞台上，华邦电子以其卓越的产品、领先的技术和广泛的应用解决方案吸引了众多业界目光。作为存储芯片领域的佼佼者，华邦电子不仅展示了其在DRAM、闪存及安全闪存等方面的最新成果，还带来了极具性......
在半导体存储领域，参与HBM市场竞争的存储厂商主要为SK海力士、三星和美光，三者的竞争已经延续到HBM3e。而近日，行业标准制定组织固态技术协会JEDEC宣布HBM4即将完成的消息引发了业界关注，这似乎也预示着HBM领域......
NAND 闪存已经达到了一定的密度极限，无法再进一步扩展。......
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