全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）与联发科（MediaTek）合作，为未来汽车打造先进、AI驱动的汽车座舱体验。联发科现已完成英飞凌车规级NOR Flash存储器解决方案512 Mb Quad SPI NOR Flash在其天玑汽车座舱平台C-X1上的认证，为整车厂、汽车Tier-1供应商，以及开发下一代智能座舱系统的设计合作伙伴提供了一种经过认证且便于导入的存储器选项。 英飞凌512 Mb QSPI NOR Flash
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英飞凌
联发科
NORFlash
存储器
智能座舱系统
MirrorBit技术
在航天、国防与空间应用高速发展的背景下，行业对于可耐受恶劣环境的高性能高可靠电子产品需求空前旺盛。系统设计师在电源管理与存储电路选型时，需要在抗辐照裸片半导体和成品封装器件之间做出关键取舍。本文对比传统封装器件，阐述选用抗辐照裸片功率、存储半导体带来的各项优势。认识抗辐照半导体抗辐照半导体经过特殊设计，能够抵御宇宙射线、太阳耀斑、核事件带来的电离辐射损伤。总电离剂量效应、单粒子效应以及位移损伤会造成器件工作异常、数据损坏乃至永久性失效，空间、国防及核环境相关设备必须依靠这类高可靠器件，保障关键任务顺利完成
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存储器
裸片芯片
日本野村证券认为，AI推论与AI代理将推动记忆体需求进入超级周期，未来五年供需缺口恐持续扩大，因此大幅上调三星与SK海力士目标价，并认为两者估值模式未来有望逐步向台积电靠拢，而非继续被视为受存储传统周期循环影响的股票。野村狂调三星、SK海力士目标价：估值正向台积电靠拢。野村证券于上周五（15日）发布最新研究报告，大幅上调三星电子与SK海力士目标价，分别从34万韩元、234万韩元调升至59万韩元、400万韩元，两者隐含涨幅均逾118%，并同步维持买入评级。野村证券指出，AI推论需求爆发所带动的结构性供需失衡
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存储器
三星
SK海力士
估值
台积电
AI服务器带动高容量DDR5 RDIMM与高容量QLC/TLC，成为单片晶圆产值最高的内存产品。 在高阶产能稀缺下，韩系及美系内存原厂产能配置，全面倾斜AI相关高产值产品。另一方面，随Agentic AI推动模型由训练转向推理，AI数据中心CPU需求快速提升，带动DDR5 RDIMM需求快速成长，对已高度短缺的供给，形成更大压力。法人认为，未来RDIMM、HBM、eSSD与Switch等服务器相关内存产品，将逐步摆脱过去Commodity属性，转变为AI基础建设中的核心战略资源，台系存储器制造厂如南亚科、
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存储器
AI
据Digitimes报道，力积电在2026年第1季法说会上透露，未来三年内将推动3D AI Foundry与存储器、逻辑代工业务形成营收三足鼎立的局面，各占20%-30%的比重。力积电2026年第1季营收达新台币135.7亿元（约 29.4 亿元人民币），环比增长9%，同比增长22%；税后净利为142.3亿元（约 30.9 亿元人民币），每股税后收益（EPS）为3.36元，终结了连续10个季度的亏损。发言人谭仲民指出，若不计入铜锣厂出售给美光（Micron）带来的一次性收益，力积电本业在第1季已实现盈利，
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力积电
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逻辑代工
本轮半导体行业复苏的核心引擎，当属NAND闪存的价格暴涨。据摩根士丹利证券预测，MLC（及成熟制程TLC）产品价格从今年首季到第四季涨幅将超过200%，下半年供需失衡幅度或达40%，缺口持续扩大助推价格飙升。DRAM涨幅逐步收敛，反观NAND价格动能转强，甚至超越DRAM：预估一般型DRAM在第二季度合约价格将上涨约58%-63%，NAND闪存则上涨约70%-75%。目前全球2GB至64GB容量的NAND产能几近消失，终端客户库存普遍仅剩六至九个月，供需结构转趋紧绷。大摩科技产业分析师在最新释出的报告中指
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NAND
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AI爆发，存储器市场进入「缺货、涨价、抢产能」局面。 据估计，2026年服务器内存需求将年增将超过40%，占整体储存应用比重超过50%，近日Google发表最新AI压缩技术，引发市场担忧内存需求反转疑虑。尽管如此，台湾、中国存储器相关业界，多认为无须担忧，群联电子执行长潘健成直言，NAND Flash大缺货将会延续更久。大普微董事长杨亚非认为，AI推理数据呈现指数级成长，国际大厂技术创新可能带来局部缺货缓解，但降低内存的建置成本，反而将刺激更大应用需求; 阿里云的千问大模型高级产品方案架构师李彬也表示，压
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超高速非易失性存储器（UltraRAM）虽前景广阔，但接口、器件差异性及可制造性方面的长期难题，是否会使其商业落地功亏一篑？若能打造一款理想的计算存储器，它会是何种形态？尽管细节上众说纷纭，但多数人会认同，它需兼具闪存这类存储型存储器的非易失性，以及动态随机存取存储器（DRAM）这类工作型存储器的高速、高能效与高耐久性。新兴的 UltraRAM 技术在上述所有维度均展现出巨大潜力。这一设计精妙、极具学术价值的存储器概念，依托精密设计的Ⅲ-Ⅴ 族异质结结构，实现了高速存取与非易失性的融合。早期实验室验证结果
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超高速非易失性存储器
UltraRAM
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DRAM 平均现货价格（2 月 25 日 - 3 月 3 日）DDR5 16Gb 4800/5600（2G×8）：77.36→79.14，涨幅 2.25%DDR5 16Gb（2G×8）eTT 版 3200：38.67→39.17，涨幅 1.29%DDR4 16Gb（2G×8）eTT 版：32.34→33.02，涨幅 2.48%DDR4 16Gb（1G×8）3200：20.20→20.70，涨幅 2.10%DDR4 8Gb：13.53→13.66，涨幅 1.02%最新更新时间：2026 年 3 月 4 日
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合约价
集邦咨询
2026 年一季度至今，存储器价格较 2025 年四季度暴涨 80%-90%，动态随机存取存储器（DRAM）、闪存（NAND）和高带宽存储器（HBM）价格均创历史新高。为缓解成本压力，原始设备制造商（OEM）正减少每台设备的存储器搭载量，或优先打造配备低功耗双倍数据率 5 代内存（LPDDR5）的高端产品线，这类产品的价格压力相对可控。2025 年四季度，传统动态随机存取存储器的利润率已反超高带宽存储器；而存储器厂商的营业利润率预计将在 2026 年一季度创下历史峰值，营收也将刷新纪录。counterpo
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存储器股利空消息连环爆，传出长江存储下半年提前量产，以及长鑫科技祭出流血价销售DDR4，冲击台厂华邦电逼近跌停，晶豪科跌近8%，南亚科、威刚重挫逾5%; 相比之下，韩国存储器股逆势强弹，显示国际市场对该消息的解读存在明显落差。目前SK海力士约上涨8.6%左右、三星及铠侠大涨逾10%，未受中国大陆厂商提前量产等消息影响。综合分析师观点指出，台股存储器相关个股独自下跌，主因今年农历年休市长达11天，内存属于高度循环股，法人与融资户为避开长假不确定性，选择提前获利了结，使得卖压在封关前集中释放，进一步加剧股价波
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存储器
半导体行业观察人士表示，内存市场已进入长期上升周期，DRAM和NAND可能至少要到2028年才会供应短缺。历史上，存储器供应商在供给过剩和不足之间摇摆，时而高需求和短缺，时而出现库存过剩、利润繁荣与萧条，以及供应过剩随后引发干旱。然而，这一次，由AI训练和推理工作负载驱动的需求正在重塑这一循环。内存需求的激增如此强烈，制造商需要数年时间才能扩展容量以赶上。看看美光从其记忆产品带来的收入和利润，可以说明传统的供过于求到干旱模式：需求在2016年至2018年间大幅上升，2019年和2020年降至低谷，2021
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记忆半导体
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内存芯片能成为全球升值最快的资产之一背后是人工智能（AI）公司对其的旺盛需求，而其中超过90%的芯片都由三家公司生产：SK海力士、三星以及美光。据Counterpoint Research称，2025年第四季度内存价格飙升了50%，预计到2026年第一季度末还将再上涨40%至50%，这主要是因为数据中心建设者愿意支付巨额溢价。由于AI公司正在挤占其他内存买家的市场份额，这可能会在无数行业产生意想不到的连锁反应。全行业集体买单在消费电子领域，利润空间本就极其微薄，而提价可能会抑制需求。IDC更新了其对智能手
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存储器
据路透社消息，中国NAND闪存制造商长江存储已就其被列入“实体清单”一事分别向美国国防部、美国商务部发起了诉讼。12月5日，长江存储于美国华盛顿联邦法院对美国防部提起诉讼，要求法官阻止国防部将公司列入所谓“涉军名单”并撤销这一认定。长江存储成立于2016年7月，是国内专注于3D NAND闪存及存储器解决方案的半导体集成电路厂商，旗下有零售存储品牌致态。长江存储以1600亿元的估值成功入围了胡润研究院最新发布的《2025全球独角兽榜》，位列中国十大独角兽第9、全球第21，成为半导体行业估值最高的新晋独角兽。
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长江存储
3D NAND
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10月8日，复旦大学集成电路与微纳电子创新学院周鹏、刘春森团队在《自然》（Nature）期刊上发表题为《全功能二维-硅基混合架构闪存芯片》（A full-featured 2D flash chip enabled by system integration）论文，率先研发出全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片。复旦大学集成电路与微纳电子创新学院、集成芯片与系统全国重点实验室研究员刘春森和教授周鹏为论文通讯作者，刘春森研究员和博士生江勇波、沈伯佥、袁晟超、曹振远为论文第一作者。今年4月，周鹏、刘春森团队研发
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闪存
芯片
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各大存储器企业正专注于1c DRAM量产的新投资和转换投资。主要内存公司正在加快对 1c（第 6 代 10nm 级）DRAM 的投资。三星电子从今年上半年开始建设量产线，据报道，SK海力士正在讨论其近期转型投资的具体计划。美光本月还获得了日本政府的补贴，用于其新的 1c DRAM 设施。1c DRAM是各大内存公司计划在今年下半年量产的下一代DRAM。三星电子已决定在其 HBM1（第 4 代高带宽内存）中主动采用 6c DRAM。SK海力士和美光计划在包括服务器在内的通用DRAM中使用1c DRAM。三星
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美光
全球存储器市场在生成式AI与大型云端服务商（CSP）急单带动下，正式进入新一轮长线上行。 随着业界开始惜售，业者预期，10月DDR4与DDR5合约价及现货价，皆将出现双位数涨幅。产业界大老指出，这一波内存行情涨得又快又急，可望一路延续到2026年底。根据业界对10月涨幅最新预估，DDR5合约价将上涨10~15%，现货价涨15~25%; DDR4合约价将上涨逾10%，现货价涨幅则超过15%，随着市场供货趋紧，现货价涨幅还有进一步拉升的可能。业者分析，此波涨幅的原因有二：一是AI应用与储存需求强劲，推升NAN
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存储器
DRAM
华为定于8月27日召开「AI SSD，加速智能经济涌现」新品发布会，剑指AI存储器赛道，计划以技术创新推出大容量AI SSD，突破传统HBM的容量限制。在当前的AI存储器领域，HBM占据重要地位 —— HBM是一种通过3D堆叠和超宽接口，实现极高数据传输带宽的先进内存技术，通常直接封装在GPU卡中。问题在于，传统HBM受容量制约，难以满足AI大模型等场景需求，HBM牺牲容量换取极致带宽和能效的策略导致现有算力卡上HBM的容量比较有限。华为将发布的全新AI SSD产品，可以有效满足AI训练推理过程中的超大容
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华为
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SSD
（图片来源：Getty / Comezora）科学家们工程化的一种突破性新型分子，可能为存储技术开启100倍于当前容量的新大门，这得益于一种能在所需低温下用常见冷却剂保持的单分子磁体，这是单分子磁体技术上的重大突破。曼彻斯特大学和澳大利亚国立大学（ANU）的化学家在《 自然 》上发表了研究结果。正如 Phys 所解释的那样，现代硬盘通过磁化由许多原子共同组成的小区域来存储数据，而单分子磁体可以单独存储数据，无需邻近分子的帮助，为超高密度数据存储铺平了道路。技术挑战在
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存储
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硬盘
据媒体报道，近期存储器产业急单出货表现强劲，主要受中美关税战缓和的影响，供应链客户拉货节奏有望逐步回归正常。随着中美双方在日内瓦发布联合声明，美国对中国商品的关税暂时降至30%，中国对美国商品的关税也降至10%。这一调整为全球关税谈判设立了新的“隐形区间”，即10%至30%。业内人士指出，尽管30%的关税仍对部分企业构成较大压力，但相较于此前的高税率，供应链的紧张情绪已有所缓解。特别是在存储器领域，由于韩系厂商三星电子逐步停产DDR4，市场一度出现急单拉货潮。随着关税局势改善，客户已建立一定库存，急单备货
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关税战
全球存储器市场正在从谷底回升，看好存储器将成为AI运算的核心之一，但钰创董事长卢超群示警，中国大陆厂商正加速扩张中低阶DRAM产能，未来2年市占率将可望跃升至4成，恐将冲击全球价格与产业结构。对于短期需求，卢超群表示，是否处于真实需求或库存拉货，仍需进一步观察，但从第2季起需求已逐步浮现，预期第3~4季有望逐季转强，包括车用产品在关税政策压力下，目前尚未接获任何来自客户的负面回馈，因此将审慎态度因应短期变动，推进长期的应用布局。钰创观察，旗下存储器产品较少直接出货至美国市场，但近期在对等关税90天豁免期间
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存储器
卢超群
根据TrendForce集邦咨询最新调查，近期国际形势变化已切实改变了存储器供需方操作策略。TrendForce资深研究副总吴雅婷表示，由于买卖双方急于完成交易、推动生产出货，以应对未来市场不确定性，预期第二季存储器市场的交易动能将随之增强。基于对未来国际形势走向不明的担忧，采购端普遍秉持“降低不确定因素、建立安全库存”的策略，积极提高DRAM和NAND Flash的库存水位。TrendForce集邦咨询表示，受到积极备货潮带动，第二季的DRAM和NAND
Flash合约价调涨幅度皆较原本预期扩大。然
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集邦咨询
存储器
超紧凑、弹性的存储器芯片提高了面向通信、地球观测、科学和边缘计算的卫星的高级任务的SWaP。8GB DDR4的合格工程样片 (EM) 现已发布，飞行正片 (FM) 正在制造中，计划于2025年初推出。超快、高密度8GB DDR4存储器提供与较小的4GB DDR4选项相同的外形尺寸和引脚兼容性-是下一代设计的理想选择。新的高速8GB DDR4存储器支持2400MT/s的传输速率。它对高达60 MeV.cm2/mg 的单粒子闩锁 (SEL) 具有免疫力。此外，该器件提供100 krad总电离剂量 (TID)，
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DDR4
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根据韩国媒体Pulse的报道，复杂国际形势下，三星已经开始与全球主要客户进行价格调整的谈判，三星计划对DRAM和NAND闪存产品进行3%至5%的提价。报道指出，在过去的几个月里，存储器芯片的需求因为客户的储备行为而急剧上升，这使得三星开始重新考虑其定价策略。此前，该公司由于市场供应过剩和需求疲软，长期维持稳定价格。然而，随着国际形势以及存储市场变化，加上竞争对手宣布提价，三星也开始加入涨价阵营。根据TrendForce集邦咨询预测，DRAM价格在第二季度有望上涨3%至8%，而NAND闪存的价格也将随着需求
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三星电子
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11 月 7 日消息，铠侠日本当地时间昨日表示，其“创新型存储制造技术开发”提案已获日本新能源・产业技术综合开发机构（NEDO）“加强后 5G 信息和通信系统基础设施研究开发项目 / 先进半导体制造技术开发”计划采纳。铠侠表示，在后 5G 信息和通信系统时代，AI 普及等因素产生的数据量预计将变得极其庞大，从而导致数据中心的数据处理和功耗增加。因此数据中心使用的存储器必须能够在高性能处理器之间高速传输数据，提高容量并降低功耗。铠侠计划开发新型 CXL 接口存储，目标打造出较 DRAM
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铠侠
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随着GDDR7存储器标准规格于今年确定，存储器业者开始推出GDDR7解决方案。与目前的GDDR6和GDDR6X相比，GDDR7提供大升级，提高游戏和其它类型工作负载的性能。什么是GDDR7存储器呢？其实GDDR（Graphics Double Data Rate）的「G」，可以得知是用于GPU的显示存储器，如即将推出的NVIDIA Blackwell RTX 50系列。新一代GDDR6于2018年问世，首先用于NVIDIA RTX 20系列和AMD RX 5000系列GPU，其起始的显存时脉频率为14
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HBM
存储器
GDDR7
根据TrendForce集邦咨询最新调查，存储器模组厂从2023年第三季后开始积极增加DRAM（内存）库存，到2024年第二季库存水位已上升至11-17周。然而，消费电子需求未如预期回温，如智能手机领域已出现整机库存过高的情况，笔电市场也因为消费者期待AI
PC新产品而延迟购买，市场继续萎缩。这种情况下，以消费产品为主的存储器现货价格开始走弱，第二季价格较第一季下跌超过30%。尽管现货价至八月份仍与合约价脱钩，但也暗示合约价的潜在趋势。TrendForce集邦咨询表示，2024年第二季模组厂在消费
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现货市场
TrendForce
日本横滨2024年8月20日
/美通社/ -- 富士通半导体存储器解决方案株式会社（Fujitsu Semiconductor Memory Solution
Limited）欣然宣布，自2025年1月1日起，公司名称将变更为RAMXEED
LIMITED。在更名的同时，公司的电子邮件地址和网站网址也将提前更新，而邮政地址和电话号码则保持不变。新公司徽标：https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202408074740/_p
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富士通半导体
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RAMXEED LIMITED
简单解释一、ROM：只读存储器，内容写入后就不能更改了，制造成本比较低，常用于电脑中的开机启动如启动光盘bios，在系统装好的电脑上时，计算机将C盘目录下的操作系统文件读取至内存，然后通过cpu调用各种配件进行工作这时系统存放存储器为RAM。PROM：可编程程序只读存储器，但是只可以编写一次。EPROM：可抹除可编程只读存储器，可重复使用。EEPROM：电子式可抹除可编程只读存储器，类似于EPROM但是摸除的方式是使用高电场完成。二、RAM：随机存取存储器，也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器，可
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存储
存储器
AI人工智能应用持续推动存储器市场前行，其中HBM（高带宽内存）是当之无愧的“宠儿”，不断吸引存储器厂商加大资本支出与扩产。与此同时，存储器市场新的力量已经悄然形成，GDDR7有望接过HBM大棒，在AI浪潮下继续推动存储器市场稳步向前。GDDR7与HBM的差异GDDR7与HBM同属于图形DRAM，二者均具备高带宽和高速数据传输能力，可为AI计算提供强大支持，不过GDDR7与HBM在技术、应用场景与性能表现方面略有不同。GDDR7主要用于增强GPU的可用带宽和内存容量，是GDDR家族的最新一代技术。今年3月
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存储器介绍
什么是存储器
存储器（Memory）是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中的全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。
存储器的构成
构成存储器的存储介质，目前主要采用半导体器件和磁性材料。存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材 [
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