11 月 7 日消息，铠侠日本当地时间昨日表示，其“创新型存储制造技术开发”提案已获日本新能源・产业技术综合开发机构（NEDO）“加强后 5G 信息和通信系统基础设施研究开发项目 / 先进半导体制造技术开发”计划采纳。铠侠表示，在后 5G 信息和通信系统时代，AI 普及等因素产生的数据量预计将变得极其庞大，从而导致数据中心的数据处理和功耗增加。因此数据中心使用的存储器必须能够在高性能处理器之间高速传输数据，提高容量并降低功耗。铠侠计划开发新型 CXL 接口存储，目标打造出较 DRAM
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铠侠 存储器 CXL接口
随着GDDR7存储器标准规格于今年确定，存储器业者开始推出GDDR7解决方案。与目前的GDDR6和GDDR6X相比，GDDR7提供大升级，提高游戏和其它类型工作负载的性能。什么是GDDR7存储器呢？其实GDDR（Graphics Double Data Rate）的「G」，可以得知是用于GPU的显示存储器，如即将推出的NVIDIA Blackwell RTX 50系列。新一代GDDR6于2018年问世，首先用于NVIDIA RTX 20系列和AMD RX 5000系列GPU，其起始的显存时脉频率为14
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HBM 存储器 GDDR7
根据TrendForce集邦咨询最新调查，存储器模组厂从2023年第三季后开始积极增加DRAM（内存）库存，到2024年第二季库存水位已上升至11-17周。然而，消费电子需求未如预期回温，如智能手机领域已出现整机库存过高的情况，笔电市场也因为消费者期待AI
PC新产品而延迟购买，市场继续萎缩。这种情况下，以消费产品为主的存储器现货价格开始走弱，第二季价格较第一季下跌超过30%。尽管现货价至八月份仍与合约价脱钩，但也暗示合约价的潜在趋势。TrendForce集邦咨询表示，2024年第二季模组厂在消费
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存储器 现货市场 TrendForce
日本横滨2024年8月20日
/美通社/ -- 富士通半导体存储器解决方案株式会社（Fujitsu Semiconductor Memory Solution
Limited）欣然宣布，自2025年1月1日起，公司名称将变更为RAMXEED
LIMITED。在更名的同时，公司的电子邮件地址和网站网址也将提前更新，而邮政地址和电话号码则保持不变。新公司徽标：https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202408074740/_p
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富士通半导体 存储器 RAMXEED LIMITED
简单解释一、ROM：只读存储器，内容写入后就不能更改了，制造成本比较低，常用于电脑中的开机启动如启动光盘bios，在系统装好的电脑上时，计算机将C盘目录下的操作系统文件读取至内存，然后通过cpu调用各种配件进行工作这时系统存放存储器为RAM。PROM：可编程程序只读存储器，但是只可以编写一次。EPROM：可抹除可编程只读存储器，可重复使用。EEPROM：电子式可抹除可编程只读存储器，类似于EPROM但是摸除的方式是使用高电场完成。二、RAM：随机存取存储器，也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器，可
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AI人工智能应用持续推动存储器市场前行，其中HBM（高带宽内存）是当之无愧的“宠儿”，不断吸引存储器厂商加大资本支出与扩产。与此同时，存储器市场新的力量已经悄然形成，GDDR7有望接过HBM大棒，在AI浪潮下继续推动存储器市场稳步向前。GDDR7与HBM的差异GDDR7与HBM同属于图形DRAM，二者均具备高带宽和高速数据传输能力，可为AI计算提供强大支持，不过GDDR7与HBM在技术、应用场景与性能表现方面略有不同。GDDR7主要用于增强GPU的可用带宽和内存容量，是GDDR家族的最新一代技术。今年3月
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HBM 存储器
2024年第一季DRAM产业，受到主流产品合约价走扬、且涨幅较2023年第四季扩大，带动营收较前一季度成长5.1％，达183.5亿美元，推动多数业者营收呈季增趋势。TrendForce指出，第一季三大原厂出货皆季减，反映产业淡季效应，加上下游业者的库存水平垫高，采购量明显衰退。三大原厂延续着2023年第四季合约价上涨氛围，再加上库存仍处于健康水位，涨价意图强烈。其中，中系手机销售畅旺，带动mobile DRAM的价格涨幅领先所有应用，而consumer DRAM的原厂库存仍待去化，拖累价格涨幅居所有应用之
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存储器 DRAM TrendForce
数字存储需求不断增长，这需要更先进的存储技术来支持强大的数字海量存储层次结构。
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存储器
前几天看到群里在讨论存储器，有些人一直搞不懂，今天给大家分享一篇文章总结一下。存储器分为两大类：RAM 和 ROM。RAM 就不讲了，今天主要讨论 ROM。rom最初不能编程，出厂什么内容就永远什么内容，不灵活。后来出现了prom，可以自己写入一次，要是写错了，只能换一片，自认倒霉。人类文明不断进步，终于出现了可多次擦除写入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外线上照一下，想一下你往单片机上下了一个程序之后发现有个地方需要加一句话，为此你要把单片机放紫外灯下照半小时
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存储器 flash EEPROM
AI、大数据等应用催生海量存储数据需求，也对存储技术提出了更高要求，这一背景下，存储大厂技术竞争愈演愈烈。闪存方面，大厂聚焦层数突破。近期，韩媒报道，三星电子预计将于本月晚些时候量产第九代V-NAND闪存，该公司已于2022年量产了236层第八代V-NAND闪存，即将量产的第九代V-NAND闪存将继续使用双闪存堆栈的结构，层数将达到290层。另据业界预测，三星未来第十代V-NAND层数有望达到430层，届时三星将换用三堆栈结构。而更遥远的未来，三星、铠侠两家厂商透露将发力1000层闪存。三星计划2030年
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存储器 DRAM TrendForce
AI浪潮正持续改变各行各业，此前历经下行周期的PC市场也开始迎来新的机会。今年以来，无论是美国消费电子展（CES）还是巴塞罗那世界移动通信大会（MWC），AI
PC都成为了当之无愧的焦点，包括英特尔、AMD、英伟达等芯片大厂，以及联想、戴尔、宏碁、华硕、荣耀等下游厂商纷纷推出相关产品，布局AI
PC。业界直言，2024年或是AI PC元年，这一风口下，半导体领域NPU以及存储器等有望持续受益。一 AI PC一触即发，半导体大厂瞄准NPUChatGPT的横空出世，让人见识到了AI大模型的威力，随后，
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AI PC 存储器 NPU
DMA，全称Direct Memory Access，即直接存储器访问。DMA传输将数据从一个地址空间复制到另一个地址空间，提供在外设和存储器之间或者存储器和存储器之间的高速数据传输。我们知道CPU有转移数据、计算、控制程序转移等很多功能，系统运作的核心就是CPU.CPU无时不刻的在处理着大量的事务，但有些事情却没有那么重要，比方说数据的复制和存储数据，如果我们把这部分的CPU资源拿出来，让CPU去处理其他的复杂计算事务，是不是能够更好的利用CPU的资源呢？因此：转移数据（尤其是转移大量数据）是可以不需要
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DMA CPU 存储器
近日，国产主控芯片厂商英韧科技宣布量产其第九款主控芯片——YRS820。这也是继去年9月宣布量产PCIe 5.0 SSD企业级主控YRS900后，英韧科技官宣量产的最新款主控芯片。YRS820的4“高”2“低”据英韧科技联合创始人、数据存储技术副总裁陈杰介绍，YRS820主控芯片具备四“高”二“低”的技术亮点，即超高安全性、超高可靠性、超高容量支持、超高性能、超低功耗及超低延时。陈杰表示，YRS820主控芯片采用RISC-V（开源指令架构），配备4通道PCIe 5.0接口，8个NAND闪存通道，支持NVM
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存储器 AI
近日，中国科学家铁电隧道结存储器研发取得了新的进展。据中国科学院金属研究所官网介绍，在最新完成的研究中，其研究团队提出利用缓冲层定量调控薄膜应变，延迟铁电薄膜晶格弛豫从而增强铁电极化强度的策略，成功揭示极化强度同铁电隧道结存储器隧穿电阻之间的内在关联，并实现巨大隧穿电致电阻(或器件开关比)。铁电隧道结具有简洁的金属-超薄铁电-金属叠层器件结构。利用铁电极化翻转调控量子隧穿效应获得不同的电阻态，从而实现数据存储功能，具有高速读写、低功耗和高存储容量等优点，属于下一代信息存储技术，近年来在信息存储领域备受关注
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存储器是电子信息处理系统中不可或缺的组成部分。在过去，依靠CMOS工艺的不断进步，存储器的性能得以不断提高。但近年来，一方面，尺寸微缩导致的晶体管漏电问题越来越严重，在增大存储器功耗的同时，恶化了存储单元的保持特性，存储器的发展遇到较为明显的瓶颈；另一方面，人工智能和物联网等领域的快速发展又对存储器的容量速度以及功耗等性能指标提出了更高的要求。在这样的背景下，由于嵌入式铁电随机存取存储器(Embedded Ferroelectric Random Access Memory，eFeRAM)具有非易失、高密
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存储器介绍
什么是存储器
存储器（Memory）是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中的全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。
存储器的构成
构成存储器的存储介质，目前主要采用半导体器件和磁性材料。存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材 [
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