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意法半导体 (ST) 推出了一系列内置128位唯一只读ID码 (UID) 的串口EEPROM芯片，以满足市场对产品识别、溯源和维修的需求。除了常规的用于存储参数和数据的EEPROM用户存储空间外，只读UID码是在意法半导......
5 月 7 日消息，当地时间 5 月 5 日，英特尔宣布成为唯一在 MLPerf Client v0.6 基准测试中实现全 NPU 支持的企业。英特尔表示，该结果标志着行业首个针对客户端 NPU 的大语言模型（LLM）性......
据韩国媒体ZDNet Korea报道，三星电子在2025年2月左右已提前开始量产12层堆叠的HBM3E高带宽内存，但尚未通过GPU巨头英伟达的认证，因此目前无法向其供货。这一决定让三星面临积累大量库存的风险。市场消息人士......
全球存储器市场近期出现显著价格上涨，消费级存储器产品价格持续攀升。 根据最新市场动态，SK海力士消费级DRAM颗粒价格已上涨约12%，落实先前市场的涨价传言。美商威腾旗下品牌SanDisk则于先前发布NAND Flash......
NAND闪存将单元串联排列以实现高密度存储，优先考虑写入/擦除速度而不是直接寻址。......
1. 定义DDR：Double Date Rate 双倍速率同步动态随机存储器。DDR、DDR2、DDR3常用规格：2. 阻抗控制要求单端走线控制 50 欧姆，差分走线控制 100 欧姆3. DDR 布局要求通常，根据器......
快科技5月4日消息，Cerabyte表示，其新型玻璃存储器的使用寿命可达5000年。据TH报道，近日，存储初创公司Cerabyte分享了一段视频，对其玻璃存储介质进行了严苛测试。该公司取下其玻璃存储介质的薄片，放入装满盐......
快科技4月30日消息，随着AI应用的快速普及，数据存储需求也在快速增长，Windows 10停止更新也推动了PC换机潮，使得知名存储大厂希捷在2025财年第三季度交出了一份亮眼的成绩单。根据希捷最新发布的财报，2025会......
据最新消息，三星电子已制定明确的技术路线图，计划在第7代10nm级DRAM内存工艺（1d nm）后引入VCT垂直通道晶体管技术。相关产品预计将在未来2到3年内问世。在规划下一代DRAM工艺时，三星电子曾面临两种选择：1e......
全球存储器市场正在从谷底回升，看好存储器将成为AI运算的核心之一，但钰创董事长卢超群示警，中国大陆厂商正加速扩张中低阶DRAM产能，未来2年市占率将可望跃升至4成，恐将冲击全球价格与产业结构。对于短期需求，卢超群表示，是......
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