9月8日，江波龙正式登陆港交所主板。本次全球发售约2998.95万股H股，发行价为每股236港元，募资总额约70.78亿港元，扣除上市开支后所得款项净额约68.03亿港元。按照发售文件披露的用途，约78.3%的净募资将投入芯片设计及高级存储产品开发，约11.7%用于战略投资或收购，约10%用于营运资金及一般公司用途。
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江波龙
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2026年9月第二周，全球存储芯片市场呈现出鲜明的结构性分化特征：DRAM端在供给紧缺支撑下价格持续走强，而NAND闪存端则在消费需求疲软与库存压力下价格承压下行。DRAM维持供给紧缺格局根据TrendForce 9月9日发布的最新内存现货价格报告，本周DRAM现货市场交投整体有限，但不同产品线表现各异。DDR5价格延续小幅上涨态势：9月8日DDR5 16Gb（2Gx8）4800/5600现货均价较9月2日上涨0.15%；DDR5 16Gb（2Gx8）eTT则保持不变。当前仅个别原厂对核心战略客户供应少量
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存储芯片
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铠侠向着其宏伟目标又迈进了一步：在部分承载 AI 工作负载的内存场景中，用闪存替代 DRAM。铠侠在东京的简报会上展示了一款 Compute Express Link（CXL）模组；该模组以 XL‑Flash 为核心，这是一款经过专项开发、处理性能大幅提升的 NAND 芯片。这款 CXL 模组旨在配合 AI 计算设备，承担部分原本由 DRAM 负责的内存任务，采用专为高速处理优化的 NAND 闪存。铠侠称，使用 CXL 模组替换部分 DRAM，能够在同等成本下将内存容量提升一倍，同时实现 30% 的性能提
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Kioxia
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AI工作负载
今天一份强有力的供应链传闻报告称，苹果公司已通过一项长期供应协议确保NAND闪存的供应，这标志着该公司在管理iPhone日益昂贵的组件之一——NAND闪存方面，可能发生了重大转变，因为内存价格正在飙升。韩国《经济论坛报》报道称，苹果公司最近与日本铠侠（Kioxia）签署了一项NAND闪存的长期供应协议（LTA），市场观察人士认为铠侠是最有可能的供应商。目前尚未披露交易对手方的身份、采购量和价格，苹果公司也未对此协议予以证实。此次事件的意义不在于NAND闪存本身，而在于苹果公司的采购策略。多年期长期供应协议
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苹果
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LTA
2026年9月2日，SK集团董事长崔泰源在接受媒体采访时释放了一个重磅信号：SK海力士正考虑与日本半导体巨头铠侠控股（Kioxia）开展联合生产，并将日本列为海外半导体生产基地的候选地。崔泰源明确表示，联合生产是“一种选择”，双方可在联合生产、研发以及供应链共享等领域展开合作。这一表态意味着，全球NAND闪存市场排名第二的SK海力士与排名第三的铠侠，正从长期的竞争对手走向潜在的联合体。若合作落地，两家合计36%的市场份额将超越三星电子的25%，全球存储芯片竞争格局将迎来深刻变革。铠侠方面也展现出开放态度，
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NAND
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三星
据报道，美光正在探索研发高耐久度 NAND 闪存模块的方案：将闪存部署在更靠近 GPU 的位置，而非远端存储池、经过多层协议转发访问。该公司正在研究把 NAND 闪存向 GPU 侧迁移，用于处理那些不需要传统 HBM 或者普通 DRAM 所具备的低延迟、高带宽的业务负载。这套架构目前被称作GPU 近存 NAND（near‑GPU NAND），定位在存储密度与耐久度之间的折中方案。该构想下的 NAND 闪存，存储密度不及传统 TLC、QLC NAND，但重点优化 I/O 速度、带宽以及读取时延。举例来说，该
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美光
GPU
近存
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闪存
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SK 海力士正在日本物色建厂地块，计划建设一座以合资模式运营的存储芯片工厂。SK 海力士董事长崔泰源向彭博社表示：“我们正在日本全境考察，只要电力与水资源条件优良的地区都在考虑范围内。”铠侠（Kioxia）是最合乎逻辑的合作方。2018 年贝恩资本主导收购铠侠时，海力士作为合作方购入相关债券；若将这批债券转成股权，海力士将成为铠侠的第一大股东。完成债转股后，海力士将持有铠侠 14.19% 的股份。上周，SK 海力士 CEO 郭鲁正表示，公司对于这笔股权 “尚未制定确定方案”，同时补充道：“但我们正在审慎研
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海力士
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闪存合资
近日，智谱上线并开源GLM-5.3-Flash (320B-A18B)。摩尔线程快速响应，基于AI训推一体智算卡MTT S5000及MUSA软件栈，实现对该模型的极速适配与高效运行，标志着国产算力在超大规模多模态模型支持上迈出关键一步。全球前沿性能，匿名公测登顶双榜作为GLM-5系列的首个原生多模态模型，GLM-5.3-Flash总参数为320B，激活参数仅18B，在全球权威的Artificial Analysis Intelligence Index（AA综合智能指数）中取得57分，进入全球前沿模型能力
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摩尔线程
智谱
GLM-5.3-Flash
SK hynix 发布技术说明，系统阐述 Cu-Cu 混合键合在存储产品中的演进路径。混合键合通过裸片表面的铜焊盘直接对接实现互连，间距可压到 1μm 以下；作为对比，传统焊料凸块的互连间距约 100μm，微凸块约 20μm。SK hynix 把这项技术指向 16 层以上 HBM、NAND、3D DRAM、AI 加速器、HBF（高带宽闪存）、背面供电和 CPO 等场景，并明确给出时间表判断：HBM4 仍可在现有工艺上应用混合键合，HBM4E 之后结构与性能约束增强，HBM5 则可能转向新的封装流程。&nb
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SKhynix
混合键合
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NAND
HBF
先进封装
SK hynix 8 月 7 日批准约 54 万亿韩元的新投资，在韩国龙仁与清州新建两座面向 AI 内存的晶圆厂。其中龙仁"Y2"约 35.2 万亿韩元、清州"M17"约 19.1 万亿韩元，两座工厂的首个洁净室分别计划于 2029 年 6 月和 2028 年 12 月启用。这不是一轮单纯的产品扩产，而是把竞争从当季 HBM 供货，提前到数年后的 DRAM、NAND、先进封装与配套制造能力。 图源：SK hynix NewsroomY2 是龙仁半导体集群规
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SKhynix
晶圆厂
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先进封装
三星电子在2026年闪存峰会（FMS 2026）上展示了多款面向AI数据中心的新一代存储产品，其中最受关注的是采用晶圆键合（wafer bonding）技术的zHBM、zNAND-O，以及第十代垂直堆叠NAND——V10 BV-NAND。 （图片来源：Samsung Semiconductor Newsroom）zHBM是三星将晶圆键合工艺引入HBM的产品。传统HBM依赖微凸块互连，层数堆叠与互连密度受限于凸块间距；zHBM通过裸片间的直接键合，将互连间距大幅压缩，在同等功耗下实现约8倍于HBM
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zHBM
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TrendForce最新的内存合同价格调查显示，DRAM和NAND闪存价格持续上涨，PC DRAM模块、DDR4和DDR5芯片保持两位数涨幅。由于供应紧张，7月份成熟的SLC NAND工艺激增35%至50%。根据TrendForce统计，7月PC DRAM模块合同价格环比上涨13%至17%，DDR4和DDR5芯片上涨12%至14%。然而，与6月的大幅上涨相比，涨幅有所缩小。 在6月份细分市场DRAM飙升近30%后，7月涨幅收窄至4%至16%，表明部分紧急订单正在逐步消化。NAND闪存产品趋势出现分歧。 S
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AI
成熟工艺
SLC NAND
汽车究竟需要多大容量存储器？全球存储器紧缺、价格暴涨问题愈发严峻，苹果甚至因此上调部分 Mac 电脑售价。而在智能手机、个人电脑、AI 数据中心之外，汽车行业正悄然成长为存储器核心消耗大户。那么一台现代化汽车实际需要配置多大容量存储？美光此前曾预测，四级自动驾驶车辆存储总容量将突破 300GB。而纵观当下最顶尖车型配置不难发现，300GB 的预估并不算夸张，甚至偏保守。据 TechNews 报道，特斯拉 HW4.0 自动驾驶平台搭载 32GB GDDR6/LPDDR 内存，今年全新 AI 4 + 平台直接
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智能汽车
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闪存
TrendForce最新存储器价格调查，由于高层数3D NAND等高附加价值产品排挤成熟制程产能，MLC NAND供给极度短缺，迫使部分工控、车用和网通客户计划改采用SLC NAND，将导致原已吃紧的SLC NAND供应情况更加紧绷。此外，预期下半年整体SLC NAND价格，将较上半年再成长120%~170%。同时，AI边缘运算、数据中心、汽车电子等对SLC NAND的需求持续提升，供需缺口急遽扩大，预估将激励2026下半年SLC NAND合约价格较上半年调涨120%~170%，不排除有上修机会。Tren
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内存
SLC
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今日早些时候，铠侠于岩手县北上工厂举办投产仪式，正式启动第十代 BiCS 闪存的量产工作。该厂商现已对外送样这款芯片 —— 一款具备 332 层堆叠结构、单颗容量达 2 太比特的 NAND 闪存存储芯片。第十代 BiCS（BiCS10）工艺核心特性如下：采用先进 CBA 架构（CMOS 电路与存储阵列直接键合），优化芯片尺寸并提升能效；相较于第九代 BiCS，比特存储密度提升 59%；NAND 接口传输速率达 4.8 吉比特每秒；相比第八代 BiCS，读取能耗最高降低 29%，整体功耗也实现大幅下降。该芯
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铠侠
332层
NAND
闪存芯片
AI服务器带动内存需求爆发，NVIDIA新一代Vera Rubin平台年将于2026年下半放量出货，存储器业界传出，华邦电NOR Flash将配合客户出货进度，下半年正式打入NVIDIA供应链，未来可望在Vera Rubin平台取得主要市占率，预料AI服务器对产能强势排挤效应显现，持续推升高容量NOR Flash的后势价格走扬。根据预估2026~2027年服务器相关的内存位需求，将呈现40%年复合成长率（CAGR），不仅排挤DRAM产能供应，AI数据中心与边缘运算需求爆发，导致单机搭载的NOR Flash
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华邦
NOR Flash
NVIDIA
一辆汽车启动时，车载 MCU 需要在极短时间内完成固件读取；一台工业设备断电重启后，控制系统需要第一时间恢复运行；一次 OTA 升级过程中，系统也必须保证固件能够被完整、准确地写入与调用。在这些汽车电子、工业控制与 AIoT 场景中，高性能xSPI NOR Flash 已经成为嵌入式系统中非常关键的存储器件。对于很多高性能系统来说，NOR Flash 存储的不只是数据，更是设备启动与运行的基础。一旦数据出现错误，轻则系统异常，重则导致设备无法启动。因此，相比单纯追求容量和速度，高性能 xSPI NOR F
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xSPI
NOR
Flash
ECC
CRC
写保护
UID
GD25
兆易创新
车规存储
根据TrendForce最新发布的NAND闪存行业调查，由于高速数据传输的需求以及构建AI服务器基础设施所需的海量数据存储容量，全球通信服务提供商（CSP）在2026年第一季度经历了企业级固态硬盘（SSD）需求的指数级增长。此外，传统硬盘（HDD）持续的结构性短缺也导致大量存储相关订单转向QLC企业级SSD。在需求激增和供应受限的背景下，NAND闪存供应商的平均售价普遍超出预期。因此，全球前五大NAND闪存供应商的总营收环比增长83.7%，超过389亿美元。进入2026年第二季度，供需失衡的局面预计将持续
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NAND
闪存
AI
HDD
三星电子在存储器堆叠技术上再度写下里程碑。 据韩国业界消息，公司已成功打造出全球首个 900 层级 V-NAND（垂直型闪存）整合系统原型。 这项突破不仅象征三星正式跨入千层NAND时代门槛，也在竞争激烈的次世代内存战局中，重新巩固其技术领先地位。三星冲破900层NAND门槛 技术大反攻剑指海力士。 （图：shutterstock）随着生成式 AI 服务器、智能手机与数据中心固态硬盘（SSD）对大容量、高能效储存元件的需求呈爆发式成长，NAND 闪存的堆叠层数已成为检视元件效能的关键指标。三星此次研发出的
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900层
NAND
SK海力士
据韩媒ZDNet Korea引述业界消息，铠侠（Kioxia）计划在2027年实现第10代NAND Flash（BiCS 10）的量产。与此同时，三星电子与SK海力士对第10代NAND的投资时机仍持审慎态度。铠侠在近期的财报会议上明确表示，BiCS 10是其2026财年（2026年4月~2027年3月）的重要战略之一。近期，其资本支出也主要集中于第8代和第10代NAND的研发与生产。不过，目前BiCS 10的具体量产规模尚未确定。业界人士透露，铠侠原计划从2025年下半年开始推进第10代NAND的投资，但
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铠侠
NAND
5月20日，韩国三星电子的劳资谈判再度宣告破裂，明天起将举行大罢工，这也将是该公司史上最大规模罢工。据韩联社报道，三星电子作为全球重要的存储芯片制造商，一旦发生罢工，可能进一步加剧由全球人工智能数据中心建设持续升温带来的全球半导体供应趋紧局面，其影响或波及汽车、计算机及智能手机等多个行业。今年3月中旬，由超过6.6万名三星电子工会成员参与表决的投票结果显示，93.1%的工会成员赞成罢工。全面罢工将于5月21日至6月7日举行。不过，韩国水原地方法院5月18日批准了三星电子公司提出的部分禁令请求，责令该公司工
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三星
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NAND
HBM
2026年，全球存储芯片行业正经历一场前所未有的结构性剧变。在人工智能算力需求的狂飙式增长下，全球存储芯片大厂正以前所未有的力度将生产资源全面集中至HBM（高带宽内存）与先进3D NAND等高端领域，导致2D NAND、MLC NAND等传统旧型产品的供应体系面临系统性崩塌，一场由“断供”引发的产业链冲击波正在向汽车、工业、医疗、消费电子等领域蔓延。过去十年，随着TLC（三层单元）和QLC（四层单元）凭借高容量、低成本迅速占领消费级市场，SLC（单层单元）和MLC（多层单元）逐渐退居幕后，被视为低端、过时
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AI
芯片
2D NAND
HBM
2026年4月23日，SK海力士今日发布截至2026年3月31日的2026财年第一季度财务报告。 SK海力士2026年第一季度主要数据：营收52.58万亿韩元（2429.2亿元人民币），较上一季度的32.83万亿韩元增长60%，同比增长198%；营业利润 37.61 万亿韩元（1737.6 亿元人民币），同比增长 405.5%；净利润 40.34 万亿韩元（1863.7 亿元人民币），同比增长 397.6%。从季度业绩来看，销售额首次突破50万亿韩元大关，营业利润为37.6万亿韩元，营业利润率达
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SK海力士
DRAM
NAND
闪存
AI
国际存储器原厂退出2D NAND闪存将成定局，受到供货稀缺已推升低容量2D NAND价格快速飙升，近期市场传出，联电可能接获SLC、MLC Flash的代工订单，或将打破未来2D NAND寡占供货的局面。不过相关业者向DIGITIMES透露，过去数个月来，确实曾与联电讨论闪存的代工机会，但人力、制程整合与开发能力以及设备等三大关键因素欠缺，成为最重要的卡关限制。据供应链人士指出，NAND Flash价格从2026年以来涨势凶猛，涨幅甚至已超过DRAM，但相比于MLC NAND或SLC NAND的供货缺口更
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联电
2D NAND
本轮半导体行业复苏的核心引擎，当属NAND闪存的价格暴涨。据摩根士丹利证券预测，MLC（及成熟制程TLC）产品价格从今年首季到第四季涨幅将超过200%，下半年供需失衡幅度或达40%，缺口持续扩大助推价格飙升。DRAM涨幅逐步收敛，反观NAND价格动能转强，甚至超越DRAM：预估一般型DRAM在第二季度合约价格将上涨约58%-63%，NAND闪存则上涨约70%-75%。目前全球2GB至64GB容量的NAND产能几近消失，终端客户库存普遍仅剩六至九个月，供需结构转趋紧绷。大摩科技产业分析师在最新释出的报告中指
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NAND
LTA
存储器
闪存
DRAM
AI
闪迪
中东冲突的蔓延正通过氦气短缺影响半导体供应链。伊朗对全球主要氦气生产国卡塔尔的设施发动袭击，导致现货价格翻番，并加剧了合同压力。氦气在晶圆刻蚀中不可替代，这对芯片生产构成重大风险，尤其对三星电子和SK海力士等韩国企业造成严重影响 —— 市值蒸发超过2000亿美元。最新报告显示，伊朗对卡塔尔能源设施的袭击严重影响了氦气（被誉为“黄金气体”）的供应。这种看似“小众”的工业气体正逐渐成为全球芯片产业的关键风险因素。据报道，卡塔尔占全球氦气供应量的30%以上，其核心生产设施受损导致全球供应骤减。短短两周内，氦气现
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芯片
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溴
DRAM
NAND
最新消息，由超过6.6万名韩国三星电子工会成员参与表决的投票结果显示，93.1%的工会成员赞成罢工。若无重大变化，三星电子工会成员将于5月21日至6月7日全面罢工。据悉，本次罢工将是三星史上最大规模的罢工计划。关键诉求：取消绩效奖金上限三星劳资双方此前就2026年薪资问题进行了多轮谈判，但双方就部分议题的分歧持续扩大，谈判最终破裂。如果此次罢工得以实施，这将是三星自1969年成立以来遭遇的第二次大罢工，距离上一次2024年7月的25天总罢工仅不到两年。三星工会要求提高绩效奖金计算标准的透明度，取消绩效奖金
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三星
存储
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HBM
据韩媒Chosun Biz、韩联社等援引市调机构Counterpoint Research数据显示，2026年第一季度，64GB服务器级DRAM模块（RDIMM）DDR5价格较2025年第四季度上涨150%，移动终端用12GB LPDDR5X上涨130%。即使是前代的8GB SO-DIMM DDR4，价格也暴涨180%。不仅是DRAM价格出现130%~180%的大幅上涨，NAND产品线也上涨约130%~150%，涨幅远超此前预期的季度增长100%。业界预测，存储供应短缺状况预计将持续至2027年下半年。A
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NAND
3 月 13 日消息，得益于 AI 需求，包括 HBM 和 NAND 闪存在内的各种存储芯片已经普遍处于供不应求的局面。在此背景下，英伟达正加强与战略伙伴的前瞻性技术合作，而不仅仅停留在简单的供应关系上。据《首尔经济日报》昨日报道，英伟达现已加入了三星电子的研发行列，共同开发新的 AI 技术并合作研发铁电 NAND 闪存。英伟达直接参与内存研发，尤其是尚未商业化的铁电 NAND 这类未来技术，实属罕见之举。铁电 NAND 正被视作一项有望同时破解大型科技公司当前面临的两大难题的突破性技术：内存芯片短缺与
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随着人工智能热潮推动存储需求增长，半导体设备制造商在收获红利的同时，也在加深与头部存储厂商的合作。据路透社报道，应用材料（Applied Materials）已与美光科技（Micron）、SK 海力士达成合作，共同开发对人工智能与高性能计算至关重要的下一代芯片。3 月 10 日，应用材料发布新闻稿称，已与 SK 海力士签署长期合作协议，加速 DRAM 与 HBM 技术研发。双方将在应用材料新建的研发中心 ——设备与工艺创新与商业化中心（EPIC Center），聚焦存储材料、工艺整合及 3D 先进封装技术
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nand flash介绍
Nand-flash内存是flash内存的-种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数 [
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