根据TrendForce最新发布的NAND闪存行业调查，由于高速数据传输的需求以及构建AI服务器基础设施所需的海量数据存储容量，全球通信服务提供商（CSP）在2026年第一季度经历了企业级固态硬盘（SSD）需求的指数级增长。此外，传统硬盘（HDD）持续的结构性短缺也导致大量存储相关订单转向QLC企业级SSD。在需求激增和供应受限的背景下，NAND闪存供应商的平均售价普遍超出预期。因此，全球前五大NAND闪存供应商的总营收环比增长83.7%，超过389亿美元。进入2026年第二季度，供需失衡的局面预计将持续
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三星电子在存储器堆叠技术上再度写下里程碑。 据韩国业界消息，公司已成功打造出全球首个 900 层级 V-NAND（垂直型闪存）整合系统原型。 这项突破不仅象征三星正式跨入千层NAND时代门槛，也在竞争激烈的次世代内存战局中，重新巩固其技术领先地位。三星冲破900层NAND门槛 技术大反攻剑指海力士。 （图：shutterstock）随着生成式 AI 服务器、智能手机与数据中心固态硬盘（SSD）对大容量、高能效储存元件的需求呈爆发式成长，NAND 闪存的堆叠层数已成为检视元件效能的关键指标。三星此次研发出的
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据韩媒ZDNet Korea引述业界消息，铠侠（Kioxia）计划在2027年实现第10代NAND Flash（BiCS 10）的量产。与此同时，三星电子与SK海力士对第10代NAND的投资时机仍持审慎态度。铠侠在近期的财报会议上明确表示，BiCS 10是其2026财年（2026年4月~2027年3月）的重要战略之一。近期，其资本支出也主要集中于第8代和第10代NAND的研发与生产。不过，目前BiCS 10的具体量产规模尚未确定。业界人士透露，铠侠原计划从2025年下半年开始推进第10代NAND的投资，但
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5月20日，韩国三星电子的劳资谈判再度宣告破裂，明天起将举行大罢工，这也将是该公司史上最大规模罢工。据韩联社报道，三星电子作为全球重要的存储芯片制造商，一旦发生罢工，可能进一步加剧由全球人工智能数据中心建设持续升温带来的全球半导体供应趋紧局面，其影响或波及汽车、计算机及智能手机等多个行业。今年3月中旬，由超过6.6万名三星电子工会成员参与表决的投票结果显示，93.1%的工会成员赞成罢工。全面罢工将于5月21日至6月7日举行。不过，韩国水原地方法院5月18日批准了三星电子公司提出的部分禁令请求，责令该公司工
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2026年，全球存储芯片行业正经历一场前所未有的结构性剧变。在人工智能算力需求的狂飙式增长下，全球存储芯片大厂正以前所未有的力度将生产资源全面集中至HBM（高带宽内存）与先进3D NAND等高端领域，导致2D NAND、MLC NAND等传统旧型产品的供应体系面临系统性崩塌，一场由“断供”引发的产业链冲击波正在向汽车、工业、医疗、消费电子等领域蔓延。过去十年，随着TLC（三层单元）和QLC（四层单元）凭借高容量、低成本迅速占领消费级市场，SLC（单层单元）和MLC（多层单元）逐渐退居幕后，被视为低端、过时
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2026年4月23日，SK海力士今日发布截至2026年3月31日的2026财年第一季度财务报告。 SK海力士2026年第一季度主要数据：营收52.58万亿韩元（2429.2亿元人民币），较上一季度的32.83万亿韩元增长60%，同比增长198%；营业利润 37.61 万亿韩元（1737.6 亿元人民币），同比增长 405.5%；净利润 40.34 万亿韩元（1863.7 亿元人民币），同比增长 397.6%。从季度业绩来看，销售额首次突破50万亿韩元大关，营业利润为37.6万亿韩元，营业利润率达
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国际存储器原厂退出2D NAND闪存将成定局，受到供货稀缺已推升低容量2D NAND价格快速飙升，近期市场传出，联电可能接获SLC、MLC Flash的代工订单，或将打破未来2D NAND寡占供货的局面。不过相关业者向DIGITIMES透露，过去数个月来，确实曾与联电讨论闪存的代工机会，但人力、制程整合与开发能力以及设备等三大关键因素欠缺，成为最重要的卡关限制。据供应链人士指出，NAND Flash价格从2026年以来涨势凶猛，涨幅甚至已超过DRAM，但相比于MLC NAND或SLC NAND的供货缺口更
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本轮半导体行业复苏的核心引擎，当属NAND闪存的价格暴涨。据摩根士丹利证券预测，MLC（及成熟制程TLC）产品价格从今年首季到第四季涨幅将超过200%，下半年供需失衡幅度或达40%，缺口持续扩大助推价格飙升。DRAM涨幅逐步收敛，反观NAND价格动能转强，甚至超越DRAM：预估一般型DRAM在第二季度合约价格将上涨约58%-63%，NAND闪存则上涨约70%-75%。目前全球2GB至64GB容量的NAND产能几近消失，终端客户库存普遍仅剩六至九个月，供需结构转趋紧绷。大摩科技产业分析师在最新释出的报告中指
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中东冲突的蔓延正通过氦气短缺影响半导体供应链。伊朗对全球主要氦气生产国卡塔尔的设施发动袭击，导致现货价格翻番，并加剧了合同压力。氦气在晶圆刻蚀中不可替代，这对芯片生产构成重大风险，尤其对三星电子和SK海力士等韩国企业造成严重影响 —— 市值蒸发超过2000亿美元。最新报告显示，伊朗对卡塔尔能源设施的袭击严重影响了氦气（被誉为“黄金气体”）的供应。这种看似“小众”的工业气体正逐渐成为全球芯片产业的关键风险因素。据报道，卡塔尔占全球氦气供应量的30%以上，其核心生产设施受损导致全球供应骤减。短短两周内，氦气现
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最新消息，由超过6.6万名韩国三星电子工会成员参与表决的投票结果显示，93.1%的工会成员赞成罢工。若无重大变化，三星电子工会成员将于5月21日至6月7日全面罢工。据悉，本次罢工将是三星史上最大规模的罢工计划。关键诉求：取消绩效奖金上限三星劳资双方此前就2026年薪资问题进行了多轮谈判，但双方就部分议题的分歧持续扩大，谈判最终破裂。如果此次罢工得以实施，这将是三星自1969年成立以来遭遇的第二次大罢工，距离上一次2024年7月的25天总罢工仅不到两年。三星工会要求提高绩效奖金计算标准的透明度，取消绩效奖金
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据韩媒Chosun Biz、韩联社等援引市调机构Counterpoint Research数据显示，2026年第一季度，64GB服务器级DRAM模块（RDIMM）DDR5价格较2025年第四季度上涨150%，移动终端用12GB LPDDR5X上涨130%。即使是前代的8GB SO-DIMM DDR4，价格也暴涨180%。不仅是DRAM价格出现130%~180%的大幅上涨，NAND产品线也上涨约130%~150%，涨幅远超此前预期的季度增长100%。业界预测，存储供应短缺状况预计将持续至2027年下半年。A
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3 月 13 日消息，得益于 AI 需求，包括 HBM 和 NAND 闪存在内的各种存储芯片已经普遍处于供不应求的局面。在此背景下，英伟达正加强与战略伙伴的前瞻性技术合作，而不仅仅停留在简单的供应关系上。据《首尔经济日报》昨日报道，英伟达现已加入了三星电子的研发行列，共同开发新的 AI 技术并合作研发铁电 NAND 闪存。英伟达直接参与内存研发，尤其是尚未商业化的铁电 NAND 这类未来技术，实属罕见之举。铁电 NAND 正被视作一项有望同时破解大型科技公司当前面临的两大难题的突破性技术：内存芯片短缺与
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随着人工智能热潮推动存储需求增长，半导体设备制造商在收获红利的同时，也在加深与头部存储厂商的合作。据路透社报道，应用材料（Applied Materials）已与美光科技（Micron）、SK 海力士达成合作，共同开发对人工智能与高性能计算至关重要的下一代芯片。3 月 10 日，应用材料发布新闻稿称，已与 SK 海力士签署长期合作协议，加速 DRAM 与 HBM 技术研发。双方将在应用材料新建的研发中心 ——设备与工艺创新与商业化中心（EPIC Center），聚焦存储材料、工艺整合及 3D 先进封装技术
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此前，国家发改委价格监测中心发文称，2025 年 9 月至今，受需求「爆发式」增长、产能「断崖式」紧缺等因素影响，全球存储器市场缺口扩大，存储芯片价格持续上涨，近 1 个月多以来，涨幅呈现扩大态势，建议关注存储芯片对下游价格的影响。那么下游哪些产业会受到影响呢？全品类存储价格全线冲高，涨价潮持续加码硬件存储价格的暴涨已持续半年，上行趋势仍在持续强化。本轮涨价覆盖了 DRAM、NAND Flash 两大主流存储品类，以及 Nor Flash、车规级存储等细分赛道，呈现出「全品类普涨、涨幅
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人工智能引发内存供应危机，DRAM 市场被迫启用 “小时级定价” 模式 —— 数万家中小企业为生存展开激烈争夺逾 19 万家中小型电子企业正被人工智能浪潮挤出内存市场。据《电子时报》今日发布的报道，受人工智能需求激增引发的内存短缺问题持续加剧影响，内存价格开始以小时为单位波动。半导体行业内部人士提醒，若中小厂商无法预付货款并立即下单，短短数分钟内报价就可能大幅上涨。报道指出，当前内存市场已明显分化：约 100 家头部采购商凭借议价能力牢牢掌握货源，而超过 19 万家中小企业只能争抢剩余的少量库存。人工智能
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NAND 闪存供应商的经营压力，终于传导至群联电子。就在几周前，群联电子首席执行官还透露，已有至少一家 NAND 闪存晶圆代工厂要求客户预付货款。如今，这家企业自身也难逃供应紧张带来的压力。据《电子时报》亚洲版报道，群联电子已开始要求旗下客户采用预付货款或缩短付款周期的结算方式。群联电子在致客户的信函中表示，“核心供应商近期已调整付款要求，改为预付货款或缩短付款周期”，而公司 “在过去一段时间里，一直为客户的订单提供资金支持”。这意味着，群联电子此前已向部分 NAND 闪存供应商支付了预付款，如今不得不将
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当三星在HBM4时代弯道超车，重新获得英伟达的青睐并可能承接最大份额订单，低利润的2D NAND就成为产能重构下的弃子。 2026 年 2 月末，三星电子宣布将关停其韩国华城工厂 12 号线的 2D NAND 闪存生产 —— 这是三星最后一条 2D NAND 产线，此举标志着自 2002 年开启的平面闪存量产时代正式落幕。这座月产能达 8 万至 10 万片 12 英寸晶圆的产线，将于 2026 年 3 月正式停工并改造为 1C DRAM 后道封测厂，聚焦 DRAM 布线等核心后道工序。这场产能调
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据市场研究公司DRAMeXchange于2月27日发布的数据显示，DRAM和NAND闪存芯片的价格继续同步上涨，其中DRAM价格再次创下历史新高，达到13美元，而NAND闪存价格涨幅超过33%。自去年4月以来，通用DRAM价格已连续11个月上涨。数据显示，2月份通用PC DRAM产品（DDR4 8Gb 1Gx8）的平均固定交易价格为13.00美元，较上月的11.50美元上涨了13.04%。这一价格创下自2016年6月开始该项调查以来的最高纪录。TrendForce分析指出，PC DRAM价格较上一季度上涨
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随着AI服务的进步，需求不断增长，而供应仍然有限，分析师预计今年内存价格的上涨趋势将持续。一些人认为，市场已经进入了供应商主导的阶段。目前，SK海力士的DRAM和NAND库存已降至约四周的供应量。稳健的库存管理和紧张的供需环境有利于就长期合同进行磋商，DRAM相对于需求的短缺也可能有利于2027年HBM业务的扩张。SK海力士认为，在AI客户强劲需求的推动下，当前的内存价格上涨趋势可能贯穿全年。虽然PC和移动用户可能因价格大幅上涨而降低配置（despeccing），这可能会抑制需求，但由于供应扩张能力有限，
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群联电子（Phison）首席执行官潘健成（K.S. Pua Khein-Seng）发出警告，2026 年即将到来的 NAND 闪存短缺可能严重扰乱甚至暂时中断部分消费电子供应链。他在近期发言中指出，存储芯片产能正日益向人工智能（AI）基础设施倾斜，导致消费电子原始设备制造商（OEM）在供货稳定性和采购成本上面临双重挤压。2026 年 NAND 短缺：群联为何拉响警报此次危机的核心不仅在于供给收紧，更在于采购条款的显著恶化。潘健成透露，至少有一家晶圆代工厂要求客户为产能支付三年期预付现金。若情况属实，如此高
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近日，长江存储三期项目正在安装巨型洁净厂房设备，项目负责人透露，计划今年建成投产。湖北省委书记王忠林来到长江存储三期项目建设现场三期扩产与未来目标长江存储成立于2016年7月，是我国存储芯片制造领域的龙头企业，主要为市场提供3D NAND闪存晶圆及颗粒，嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案。2021年12月，长江存储二期科技有限责任公司成立，注册资本600亿元。2025年9月，长存三期（武汉）集成电路有限责任公司成立，注册资本达207.2亿元 —— 由长江存储持股5
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存储器缺货严峻持续扩大，供应链传出，随着国际存储器原厂快速倾斜至服务器市场，导致消费性、汽车市场等将首当其冲，国内NAND Flash领导大厂长江存储传将被赋予关键的维稳大任，优先支持中国特定产业与应用，确保内需供应链稳定，以避免发生断供、企业裁员的恶性冲击。供应链人士也透露，长江存储已不满足于仅作为3D NAND的中国领头羊，近来低调切入DRAM与高带宽记忆体（HBM）技术领域，日前更已完成LPDDR5工程样品开发，预计2026年下半启动的武汉三期新厂，近期已经封顶，并将以DRAM为扩产重心。 随着在产
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闪存包括 NOR Flash（或非闪存）和 NAND Flash（与非闪存），其中 NAND Flash 占据闪存市场 95% 以上份额。NOR Flash（或非闪存）凭借独特的技术特性，在工业、汽车等专业领域占据一席之地。作为非易失闪存的两大核心技术路径之一，NOR Flash 历经数十年发展，在物联网、汽车电子、AI 服务器等新兴场景的驱动下，正从「小众利基市场」迈向「高成长赛道」。而在这一浪潮中，本土 MCU 企业的布局尤为关键。以中微半导为代表的本土企业，正凭借 MC
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全球存储器市场爆发缺货潮，NAND闪存大厂长江存储传出以「史无前例」的速度扩张产能，原定于2027年量产的武汉新厂已大幅提前，最快将在今（2026）年下半年正式投产。 此举是否对台厂旺宏、南亚科、群联等带来竞争压力，后续发展备受市场关注。长江存储祭弯道超车奇招朝鲜日报英文版《The Chosun Daily》报道，长江存储武汉三厂于2025年9月动工，原先预估须待2027年才具备正式量产条件。 然而，当地半导体业界人士透露，长江存储近期已密集下达NAND Flash生产设备采购订单，并同步进行工厂启动与产
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美光新加坡工厂预计将于 2028 年下半年投产晶圆。
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随着全球人工智能浪潮推动资料中心硬体需求激增，美国，存储芯片巨头美光科技（Micron Technology）宣布将在新加坡投入高达240亿美元，用于建设一座全新的先进半导体制造工厂，以扩大其NAND Flash的生产能力，预计将于2028年下半年投产。据了解，美光科技此次宣布在新加坡建设的新工厂选址位于美光在兀兰（Woodlands）现有的制造园区内，240亿美元的投资额将在未来10年内分阶段完成，预计将新增70万平方英尺的无尘室（cleanroom）空间，并聚焦NAND Flash芯片的生产。值得一提
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三星今年第一季度对NAND闪存的供应合约价格已上调超过100%，目前客户已收到通知。据行业知情人士透露，三星去年底已经完成了与主要客户的供应合同谈判，从一月起正式实施新的价格体系。另外，SK海力士也对NAND产品采取了类似的定价策略；存储芯片大厂SanDisk也计划在一季度将面向企业级的NAND价格上调100%。目前，三星已着手与客户就第二季度的NAND价格进行新一轮谈判，市场普遍预计价格上涨的势头将在第二季度延续。市场研究机构TrendForce的数据显示，去年第四季度NAND闪存价格涨幅为上一季度的3
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援引市场研究机构Omdia的最新调研成果披露，合计占全球NAND产能60%以上的两大原厂三星电子和SK海力士，今年将缩减在闪存上的晶圆投片量，这可能会进一步加剧NAND供应的短缺。三星产量从2025年的490万片缩减至468万片，SK海力士则同步跟进，产能从2025年的190万片降至170万片。在英伟达等公司引领的推理人工智能（AI）领域竞争日益激烈的背景下，作为关键组件的NAND闪存供应紧张，增加了包括服务器、个人电脑和移动设备在内的所有领域价格持续上涨的可能性。分析师预测，这将对三星电子和SK海力士的
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1月19日，中微半导发布了一则自愿性公告，宣布即将推出其首款非易失性存储器芯片，正式进入Flash领域。这一产品型号为CMS25Q40A，是一款容量为4M bit的低功耗SPI NOR Flash芯片。该芯片的存储阵列被划分为2048个可编程页，每页容量为256字节，单次编程操作最多可写入256字节数据。它支持多种擦除方式，包括1KB扇区擦除、4KB扇区擦除、32KB块擦除、64KB块擦除及整片擦除。其核心特点包括低成本、低功耗、SPI高速读写以及掉电不丢失等。性能参数方面，CMS25Q40A采用1.65
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1 月 20 日消息，基于花旗集团、美国银行及摩根大通的分析报告，受 RAM 内存和 NAND 闪存组件成本飙升影响，在 iPhone 18 系列售价方面，苹果虽然会极力维持起步机型的发售价与前代持平，但在高存储容量版本上，消费者将面临比以往更大的价格涨幅。Freedom Capital Markets 技术研究主管 Paul Meeks 分析认为，全球科技企业对 AI 算力的狂热需求，导致内存市场供不应求，这种短缺状态预计将至少持续两年。即便苹果拥有强大的供应链议价能力，也难以完全消化这部分上涨的物料清
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NAND 闪存
nand flash介绍
Nand-flash内存是flash内存的-种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数 [
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