- 根据TrendForce集邦咨询最新调查,由于Server(服务器)终端库存调整接近尾声,加上AI推动了大容量存储产品需求,2024年第二季NAND
Flash(闪存)价格持续上涨,但因为PC和智能手机厂商库存偏高,导致第二季NAND
Flash位元出货量季减1%,平均销售单价上涨了15%,总营收达167.96亿美元,较前一季增长了14.2%。第二季起所有NAND
Flash供应商已恢复盈利状态,并计划在第三季扩大产能,以满足AI和服务器的强劲需求,但由于PC和智能手机今年上半年市场表现不佳,
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TrendForce 集邦咨询 NAND Flash AI SSD
- IT之家 9 月 9 日消息,TrendForce 集邦咨询今天下午发布报告指出,由于服务器终端库存调整接近尾声,加上 AI 推动了大容量存储产品需求,今年第二季度 NAND Flash(闪存)价格持续上涨。但由于 PC 和智能手机厂商库存偏高,导致 Q2 NAND Flash 位元出货量环比下降 1%,平均销售单价上涨了 15%,总营收达 167.96 亿美元(IT之家备注:当前约 1193.37 亿元人民币),较前一季实现环比增长 14.2%。各厂商营收情况如下:三星:第二季时积极回应客户对
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内存 NAND Flash
- 第八代BiCS FLASH已然投入量产,意味着基于BiCS FLASH的产品也将得到新一轮升级。全新的BiCS FLASH无论在存储密度、性能都有了显著提升,特别是2Tb QLC NAND是当下业界内最大容量的存储器。为了让第八代BiCS FLASH突破存储限制,铠侠通过专有工艺和创新架构,实现了存储芯片的纵向和横向缩放平衡,所开发的CBA(CMOS directly Bonded to Array,外围电路直接键合到存储阵列)和3.6Gbps接口速度,给AI应用、数据中心、移动设备提供了更多潜在可能。技
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BiCS FLASH 闪存 flash 铠侠
- IT之家 8 月 12 日消息,韩媒 ETNews 报道称,三星电子内部已确认在平泽 P4 工厂建设 1c nm DRAM 内存产线的投资计划,该产线目标明年 6 月投入运营。平泽 P4 是一座综合性半导体生产中心,分为四期。在早前规划中,一期为 NAND 闪存,二期为逻辑代工,三期、四期为 DRAM 内存。三星已在 P4 一期导入 DRAM 生产设备,但搁置了二期建设。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 级内存工艺,各家的 1c nm(或对应的 1γ nm)产品目前均尚未正式
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NAND 闪存 三星电子
- Lam Research 推出低温蚀刻新技术,为 1000 层 3D NAND 铺平道路。
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NAND Flash
- 人工智能(AI)市场持续火热,新兴应用对存储芯片DRAM和NAND需求飙升的同时,也提出了新的要求。近日恰逢全球存储会议FMS 2024(the Future of Memory and
Storage)举行,诸多存储领域议题与前沿技术悉数亮相。其中TrendForce集邦咨询四位资深分析师针对HBM、NAND、服务器等议题展开了深度讨论,廓清存储行业未来发展方向。此外,大会现场,NVM Express组织在会中发布了 NVMe 2.1
规范,进一步统一存储架构、简化开发流程。另外包括Kioxia
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存储 NAND TrendForce
- IT之家 8 月 1 日消息,泛林集团 Lam Research 当地时间昨日宣布推出面向 3D NAND 闪存制造的第三代低温介质蚀刻技术 Lam Cyro 3.0。泛林集团全球产品部高级副总裁 Sesha Varadarajan 表示:Lam Cryo 3.0 为(我们的)客户实现 1000 层 3D NAND 铺平了道路。泛林低温蚀刻已被用于 500 万片晶圆的生产,而我们的最新技术是 3D NAND 生产领域的一项突破。它能以埃米级精度创建高深宽比(IT之家注:High Aspect R
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NAND 闪存 泛林集团
- IT之家 8 月 1 日消息,韩媒 ETNews 报道称,SK 海力士将加速下一代 NAND 闪存的开发,计划 2025 年末完成 400+ 层堆叠 NAND 的量产准备,2026 年二季度正式启动大规模生产。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 层堆叠 NAND 闪存的样品,并称这一颗粒计划于 2025 上半年实现量产。▲ SK 海力士 321 层 NAND 闪存按照韩媒的说法,SK 海力士未来两代 NAND 的间隔将缩短至约 1 年,明显短于业界平均水平。IT之家注:从代际发布间隔
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SK海力士 内存 NAND
- IT之家 7 月 29 日消息,综合外媒《韩国经济日报》(Hankyung)与 Blocks & Files 报道,SK 海力士考虑推动 NAND 闪存与固态硬盘子公司 Solidigm 在美 IPO。SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收购英特尔 NAND 与 SSD 业务,而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收购第一阶段后成立的独立美国子公司。▲ Solidigm D5-P5336,E1.L 规格,61.44TB由于内外部因素的共同影响,Sol
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SK海力士 内存 NAND
- IT之家 7 月 22 日消息,据外媒 Tomshardware 报道,中国 3D NAND 闪存制造商长江存储,日前再次将美光告上法院,在美国加州北区指控美光侵犯了长江存储的 11 项专利,涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 产品。长江存储还要求法院命令美光停止在美国销售侵权的存储产品,并支付专利使用费。长江存储指控称,美光的 96 层(B27A)、128 层(B37R)、176 层(B47R)和 232 层(B58R)3D NAND Flash,以及美光的一些 DDR5 SDRA
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长江存储 NAND 美光 内存
- NAND 闪存已经达到了一定的密度极限,无法再进一步扩展。
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NAND
- 内存和存储芯片制造商三星发布了其首款容量高达60TB的企业级固态硬盘(SSD),专为满足企业用户的需求而设计。得益于全新主控,三星表示未来甚至可以制造120TB的固态硬盘。对比2020年发布的上一代BM1733,BM1733采用了第5代V-NAND技术的QLC闪存、堆叠层数为96层、最大容量为15.36TB,显然BM1743的存储密度有了大幅度提升。三星以往的固态硬盘容量上限为32TB,此次推出的BM1743固态硬盘则将容量提升至了惊人的60TB。值得注意的是,目前三星在该细分市场将面临的竞争相对较少,因
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三星 固态硬盘 V-NAND
- 《科创板日报》4日讯,铠侠产线稼动率据悉已在6月回升至100%水准、且将在7月内量产最先进存储芯片(NAND
Flash)产品,借此开拓因生成式AI普及而急增的数据存储需求。据悉,铠侠将开始量产的NAND
Flash产品堆叠218层数据存储元件,和现行产品相比,存储容量提高约50%,写入数据时所需的电力缩减约30%。 (MoneyDJ)
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铠侠 NAND Flash
- 随着人工智能(AI)相关半导体对高带宽存储(HBM)需求的推动,NAND 闪存市场也感受到了这一趋势的影响。目前,NAND 闪存市场的竞争正在加剧,存储巨头三星和 SK 海力士正加紧努力,以提升 NAND 产品的性能和容量。两大巨头轮番出手三星投产第九代 V-NAND 闪存今年 4 月,三星宣布其第九代 V-NAND 1Tb TLC 产品开始量产,这将有助于巩固其在 NAND 闪存市场的卓越地位。那么 V-NAND 闪存是什么呢?众所周知,平面 NAND 闪存不仅有 SLC、MLC 和 TLC 类型之分,
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三星 第九代 V-NAND
- 据日经新闻报道,鉴于市场正在复苏,日本存储芯片厂商铠侠已结束持续20个月的减产行动,且贷方同意提供新的信贷额度。报道称,铠侠于6月份将位于三重县四日市和岩手县北上市的两座NAND工厂的生产线开工率提高至100%。而随着业务好转,债权银行已同意为6月份到期的5,400亿日元(34.3亿美元)贷款进行再融资。他们还将设立总额为2,100亿日元的新信贷额度。2022年10月,为应对需求低迷的市场环境,铠侠发布声明称,将调整四日市和北上市NAND Flash晶圆厂的生产,将晶圆生产量减少约30%,并表示会继续根据
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铠侠 NAND
nand flash介绍
Nand-flash内存是flash内存的-种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行,如果目标区域已经有数 [
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