5nm 文章
- 随着半导体工艺的急剧复杂化，不仅开发量产新工艺的成本大幅增加，开发相应芯片也越来越花费巨大，中国大陆无论是代工厂商还是芯片厂商，都需要为这股“前进”势力付出更多的投入。
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芯片 5nm
- 全球一号代工厂台积电宣布了有关极紫外光刻(EUV)技术的两项重磅突破，一是首次使用7nm EUV工艺完成了客户芯片的流片工作，二是5nm工艺将在2019年4月开始试产。今年4月开始，台积电第一代7nm工艺(CLN7FF/N7)投入量产，苹果A12、华为麒麟980、高通“骁龙855”、AMD下代锐龙/霄龙等处理器都正在或将会使用它制造，但仍在使用传统的深紫外光刻(DUV)技术。 而接下来的第二代7nm工艺(CLNFF+/N7+)，台积电将首次应用EUV，不过仅限四个非关键层，以降低风险、加速投产，也借
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5nm EUV
- 当AMD用上7nm时，Intel依然在打磨14nm。 昨天和今天，AMD/Intel先后公布财报，两家企业在当季都实现了同比的大幅增长，AMD更是创下了7年来单季收入的最高。在财报会议上，双方的CEO也在技术路线图上做了一些前瞻。 AMD苏姿丰博士在回答罗森布拉特证券分析师Hans Mosesmann关于2019年7nm处理器产品的问题时确认，7nm将率先用于新的EPYC服务器芯片，之后是Ryzen。 关于制程节点，苏博士称， AMD的目标是选择代工市场的最佳工艺。据她了解，7nm会是一个比较重
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7nm 5nm AMD
- 本周四，台积电宣布预计将为5nm制程投资250亿美元，从而继续巩固其苹果独家供应商的地位。 据了解，因为自身芯片制造工艺领先竞争对手三星，所以自iPad Pro A9X芯片以来，台积电就一直独家为苹果的iPhone和iPad提供A系列芯片。不过，关于此次投资的具体细节，包括研发完成时间、工艺大规模商用等等，台积电并没有更多透露。 此前，有多家媒体报道，苹果今年将在秋天新发布的产品中搭载新一代处理器A12，而台积电将会采用7nm工艺生产苹果A系列处理器。 由此来看，台积电似乎已经实现了7nm制造工
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台积电，5nm
- 张忠谋在当下选择退休可谓急流勇退，在台积电正处于巅峰的时候退休是恰当的时机，但台积电面临挑战其实在张忠谋领导下就已出现。
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台积电，5nm
- 全球第一大芯片自动化设计解决方案提供商及全球第一大芯片接口IP供应商、信息安全和软件质量的全球领导者Synopsys近日宣布， Synopsys 设计平台获得TSMC最新版且最先进的5nm工艺技术认证，可用于客户先期设计。通过与TSMC的早期密切协作，IC Compiler ™ II 的布局及布线解决方案采用下一代布局和合法化技术，最大限度地提高可布线性和总体设计利用率。借助重要的设计技术协同优化工作，通过使用PrimeTime®Signoff和StarRC™提取技术实现ECO闭合，IC Compil
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Synopsys 5nm
- 这两年，三星电子、台积电在半导体工艺上一路狂奔，虽然有技术之争但把曾经的领导者Intel远远甩在身后已经是不争的事实。
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三星 5nm
- 随着5nm工艺制造难度的增加，台积电以及三星电子等巨头研发所耗费的时间势必会增加不少，这也为中芯国际弯道超车提供了一定的机遇。
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台积电 5nm
- 据台湾媒体报道，台积电将于本周在台湾南部科学工业园区(STSP)开工建设新的5nm工厂，并将于2020年启动3nm工厂，而新工艺的快速演进将大大巩固台积电一号代工厂的地位。
台积电董事长张忠谋会出席奠基仪式，这也将是他在今年6月份退休之前，最后一次参加这类活动。
目前，台积电正在积极准备量产7nm，预计第二季度即可实现、第四季度火力全开。
更关键的是，台积电已经垄断了7nm代工市场，收获了100%的订单，包括高通骁龙855、苹果A12等重磅大单，彻底击败三星。
根据路线图，台积
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台积电 5nm
- 5nm以下的工艺尺寸缩减逻辑;DRAM、3DNAND和新型存储器的未来;太多可能解决方案带来的高成本。
近日，外媒SE组织了一些专家讨论工艺尺寸如何继续下探、新材料和新工艺的引入带来哪些变化和影响，专家团成员有LamResearch的首席技术官RickGottscho、GlobalFoundries先进模块工程副总裁MarkDougherty、KLA-Tencor的技术合伙人DavidShortt、ASML计算光刻产品副总裁GaryZhang和NovaMeasuringInstruments的首
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5nm DRAM
- 一时之间，仿佛EUV成为了衡量中国半导体设备产业发展水平的标杆，没有EUV就无法实现半导体强国之梦？
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EUV 5nm
- 根据比利时研究机构Imec指出，设计人员可以选择采用2D非等向性(颗粒状速度更快)材料(如黑磷单层)，让摩尔定律(Moore‘s Law)扩展到超越5纳米(nm)节点。Imec研究人员在Semicon West期间举办的年度Imec技术论坛(Imec Technology Forum)发表其最新研究成果。
Imec展示的研究计划专注于实现高性能逻辑应用的场效电晶体(FET)，作为其Core CMOS计划的一部份。Imec及其合作伙伴分别在材料、元件与电路层级实现协同最佳化，证实了在传
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Imec 5nm
- Imec 开发下一代 5nm 2D 通道 FET 架构，证实采用 2D 非等向性材料可让摩尔定律延续到超越 5nm 节点…
根据比利时研究机构Imec指出，设计人员可以选择采用2D非等向性(颗粒状速度更快)材料(如黑磷单层)，让摩尔定律(Moore's Law)扩展到超越5纳米(nm)节点。Imec研究人员在Semicon West期间举办的年度Imec技术论坛(Imec Technology Forum)发表其最新研究成果。
Imec开发的下一代5nm 2D通道
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摩尔定律 5nm
- 上周，Nvidia CEO黄仁勋在台北电脑展上表示摩尔定律已死(黄仁勋说摩尔定律已死，Nvidia要用人工智能应对)，不过IBM和三星有不同意见。
雷锋网消息，日前，IBM联合三星宣布了一项名为nanosheets的晶体管制造技术。该技术抛弃了标准的 FinFET 架构，采用全新的四层堆叠纳米材料。这项技术为研发5nm芯片奠定了基础。IBM表示，借助该项技术，芯片制造商可以在指甲盖大小的芯片面积里，塞下将近300亿个晶体管。要知道，高通不久前发布的采用10nm工艺的旗舰芯片骁龙835，也才不过集
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IBM 5nm
- 据外媒报道，三星联合 IBM 日前宣布了一项名为 nanosheets 的技术。得益于该技术，芯片制造商能够将更多的晶体管容纳到更小的芯片组里，他们宣称在 5nm 芯片可以实现在指甲盖大小中集成 300 亿颗晶体管，而当前 10nm 的骁龙 835 仅仅集成的晶体管数量约为 30 亿。
IBM 称，同样封装面积晶体管数量的增大有非常多的好处，比如降低成本、提高性能，而且非常重要的一点是，5nm 加持下，现有设备如手机的电池寿命将提高 2 至 3 倍。早在 2015 年，IBM 就携手 Glo
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IBM 5nm
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