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EEPW首页 >> 主题列表 >> 5nm

台积电准备推出基于12和5nm工艺节点的下一代HBM4基础芯片

  • 在 HBM4 内存带来的几大变化中,最直接的变化之一就是内存接口的宽度。随着第四代内存标准从已经很宽的 1024 位接口升级到超宽的 2048 位接口,HBM4 内存堆栈将不会像以前一样正常工作;芯片制造商需要采用比现在更先进的封装方法,以适应更宽的内存。作为 2024 年欧洲技术研讨会演讲的一部分,台积电提供了一些有关其将为 HBM4 制造的基础模具的新细节,这些模具将使用逻辑工艺制造。由于台积电计划采用其 N12 和 N5 工艺的变体来完成这项任务,该公司有望在 HBM4 制造工艺中占据有
  • 关键字: 台积电  12nm  5nm  工艺  HBM4  基础芯片  

Meta 展示新款 MTIA 芯片:5nm 工艺、90W 功耗、1.35GHz

  • 4 月 11 日消息,Meta 公司于 2023 年 5 月推出定制芯片 MTIA v1 芯片之后,近日发布新闻稿,介绍了新款 MTIA 芯片的细节。MTIA v1 芯片采用 7nm 工艺,而新款 MTIA 芯片采用 5nm 工艺,采用更大的物理设计(拥有更多的处理核心),功耗也从 25W 提升到了 90W,时钟频率也从 800MHz 提高到了 1.35GHz。Meta 公司表示目前已经在 16 个数据中心使用新款 MTIA 芯片,与 MTIA v1 相比,整体性能提高了 3 倍。但 Meta 只主动表示
  • 关键字: Meta  MTIA 芯片  5nm 工艺  90W 功耗  1.35GHz  

英特尔披露5nm“中国特供版”AI 芯片,性能或暴降92%,最快6月推出

  • 关于英特尔Gaudi 3的“中国特供版” AI 芯片有了新进展。4月15日消息,芯片巨头英特尔(Intel)日前在官网发布一份24页的“Gaudi 3 AI加速器白皮书”中披露,英特尔将推出Gaudi 3在中国发售的两款“特供版”AI 芯片产品。英特尔Gaudi 3 AI芯片(图片来源:Intel官网)具体包括两种硬件形态加速卡:一款型号为HL-328的OAM兼容夹层卡(Mezzanine Card),预计将于今年6月24日推出;另一款是型号为HL-388的PCle加速卡,预计将于今年9月24日推出。而基
  • 关键字: 英特尔  5nm  AI  

使用半大马士革工艺流程研究后段器件集成的工艺

  • ●   介绍随着技术推进到1.5nm及更先进节点,后段器件集成将会遇到新的难题,比如需要降低金属间距和支持新的工艺流程。为了强化电阻电容性能、减小边缘定位误差,并实现具有挑战性的制造工艺,需要进行工艺调整。为应对这些挑战,我们尝试在1.5nm节点后段自对准图形化中使用半大马士革方法。我们在imec生产了一组新的后段器件集成掩膜版,以对单大马士革和双大马士革进行电性评估。新掩膜版的金属间距分别为14nm、16nm、18nm、20nm和22nm,前两类是1.5nm节点后段的最小目标金属间距
  • 关键字: 半大马士革  后段器件集成  1.5nm  SEMulator3D  

未来的半导体第一大国 印度自研96核CPU来了:直接上5nm

  • 5月22日消息,在半导体领域,印度也燃起了雄心,此前没啥基础的他们都要励志在5年内做全球第一的半导体大国,而且全产业链发展,印度高性能计算中心C-DAC本周就公布了自己研发的Aum HPC处理器,最多96核,而且是5nm工艺。在高性能计算市场,ARM处理器近年来确实取得了一些成绩,富士通研发的48核A64FX处理器之前还成为TOP500超算第一,NVIDIA也有72核到144核的Grace处理器,Ampere公司之前推出了80核的ARM处理器。这几天Ampere还推出了新一代的云数据中心处理器“Amper
  • 关键字: 印度  96核  5nm  

4~5nm良率逐渐稳定,客户订单增加?三星回应

  • 据《科创板日报》报道,针对“因4~5纳米先进制程良率逐渐稳定,客户订单正逐渐增加,稼动率也相应反弹,12英寸稼动率回升至九成。”这一市场消息,三星半导体对其进行了回应。报道指出,三星半导体相关负责人回应表示,“暂无法透露最新良率或者客户情况。正如我们在2022年4月的财务电话会议上所提及,5nm制程良率自去年年初以来已稳定下来,而4nm制程良率也已得到了提升,自2022年第一季度以来一直在预期的轨道上。自此4~5nm制程良率已经稳定了。”据韩国媒体BusinessKorea报道,三星4纳米制程良率相较之前
  • 关键字: 5nm  良率  晶圆代工  三星  

AMD 推出首款 5nm 基于 ASIC 的媒体加速器卡,开启大规模交互式流媒体服务新时代

  • 2023 年 4 月 6 日,加利福尼亚州圣克拉拉 — AMD (超威,纳斯达克股票代码:AMD)今日宣布推出 AMD Alveo™ MA35D 媒体加速器,该卡具备两个 5 纳米基于 ASIC 的、支持 AV1 压缩标准的视频处理单元( VPU ),专为推动大规模直播互动流媒体服务新时代而打造。随着全球视频市场超 70% 的份额由直播内容主导1,一类新型的低时延、大容量交互式流媒体应用正在涌现,例如连线观赏、直播购物、在线拍卖和社交流媒体。 AMD Alveo MA35D 媒体加速器Alveo
  • 关键字: AMD  5nm  ASIC  媒体加速器卡  大规模交互式流媒体服务  

支持下一代 SoC 和存储器的工艺创新

  • 本文将解析使 3D NAND、高级 DRAM 和 5nm SoC 成为可能的架构、工具和材料。要提高高级 SoC 和封装(用于移动应用程序、数据中心和人工智能)的性能,就需要对架构、材料和核心制造流程进行复杂且代价高昂的更改。正在考虑的选项包括新的计算架构、不同的材料,包括更薄的势垒层和热预算更高的材料,以及更高纵横比的蚀刻和更快的外延层生长。挑战在于如何以不偏离功率、性能和面积/成本 (PPAC) 曲线太远的方式组合这些。当今的顶级智能手机使用集成多种低功耗、高性能功能的移动 SoC 平台,包括一个或多
  • 关键字: 3D NAND  DRAM  5nm  SoC  

第三大CPU架构RISC-V冲向5nm 192核 国产版也要来了:单核性能有惊喜

  • 作为仅次于x86、ARM的第三大CPU架构,RISC-V凭借开源、免费的优势迅速发展,之前主要用于低功耗市场,但是现在也开始冲击高性能领域,Ventana公司日前已经做出了5nm 192核的芯片。Ventana公司日前发布了第一款产品Veyron V1,该公司研发了一种高性能RISC-V架构,每个CPU模块中有16个RISC-V内核,频率3.6GHz,整合48MB缓存,整个处理器可以集成12个CPU模块,做到192核,台积电5nm工艺生产制造,还有自己开发的高性能IO核心,延迟低至7ns,接近原生核心性能
  • 关键字: RISC-V  5nm  192核  

持续突破,概伦电子NanoSpice™通过三星代工厂5nm工艺技术认证

  • 概伦电子宣布其高性能并行SPICE仿真器NanoSpice™通过三星代工厂5nm工艺技术认证,满足双方共同客户对高精度、大容量和高性能的高端电路仿真需求。三星5nm工艺可以提高良率、降低功耗并改善性能,这就需要更高精度的电路仿真和验证工具来实现更优化的先进IC设计。NanoSpice™的认证属于三星代工厂的EDA认证项目,该仿真器可支持最新版的OMI接口(开放模型接口),在模拟IP的大规模后仿网表仿真中表现出良好的仿真收敛性和准确性,帮助双方共同客户充满信心地设计,缩短设计周期的同时确保更高精度。作为新一
  • 关键字: 概伦电子  NanoSpice™  5nm  

Credo正式推出基于台积电5nm及4nm先进制程工艺的全系列112G SerDes IP产品

  •  Credo Technology(纳斯达克股票代码:CRDO)近日正式宣布推出其基于台积电5nm及4nm制程工艺的112G PAM4 SerDes IP全系列产品,该系列能够全面覆盖客户在高性能计算、交换芯片、人工智能、机器学习、安全及光通信等领域的广泛需求,包括:超长距(LR+)、长距(LR)、中距(MR)、超极短距(XSR+)以及极短距(XSR)。 Credo IP产品业务开发助理副总裁Jim Bartenslager表示, “Credo先进的混合信号以及数字信号处理(DSP)1
  • 关键字: Credo  台积电  5nm  4nm  SerDes  IP  

台积电美国 5nm 芯片厂举行上梁典礼,预计 2024 年量产

  • IT之家7 月 28 日消息,两年前,台积电宣布将投资数十亿美元,在美国亚利桑那州厂建立 5nm 晶圆厂。该工厂于 2021 年 4 月动工兴建,预计 2024 年营运量产,月产能 2 万片。昨日,台积电为该工厂举行了上梁典礼。台积电的领英(linkedin)账号显示,本次上梁典礼有 4000 多名台积电员工及合作伙伴参加,他们一起庆祝了台积电 5nm 工厂的新里程碑。该典礼的举行意味着该工厂的基础设施全部完工,即将开始安装设备进行调试。该工厂未来产能以 5nm 工艺为主,这将是美国最先进的半导体工艺。此
  • 关键字: 台积电  5nm  美国  

台积电希望美国打钱支持:5nm晶圆厂成本超预期

  • 芯研所7月15日消息,2020年台积电宣布将在美国建设晶圆厂,这是他们首次在海外建设先进工艺的5nm工厂,总投资计划高达240亿美元,目前还在建设中。在美国建设晶圆厂的成本是要高于亚洲地区的,在今天的Q2财报会议上,台积电也谈到了这个问题,表示仍处于工厂的建设阶段,美国工厂的成本比我们预期的要高。芯研所采编台积电表示,我们将这些信息提供给了当地政府,让他们全面了解成本差距,台积电仍在努力争取政府补贴,将继续努力降低成本。此前美国推出了高达520亿美元的半导体补贴法案,很多半导体公司都在争取这一补贴,不过这
  • 关键字: 台积电  晶圆代工  5nm  

三星即将量产3nm工艺 功耗比大降50%

  • 芯研所6月29日消息,据韩国媒体报道称,三星将在未来几天宣布开始批量制造,在生产世界上最先进的芯片的过程中击败竞争对手台积电。在此之前这家韩国科技巨头在向更小的工艺节点转移时出现了很多产量问题,以至于影响了它的一些最大客户的业务,如高通公司,该公司现在正考虑将台积电用于未来的移动芯片。NVIDIA在处理了Ampere GPU的良品率问题和相对较低的能源效率后,正为其下一代产品选择台积电,这些GPU原本是在三星的8nm工艺节点上制造的。来自韩国当地媒体的报道显示,三星正准备宣布开始3纳米的批量制造,可能最快
  • 关键字: 三星  5nm  芯片  

AMD发布5纳米芯片,PC高端市场竞争加剧

  •   继苹果之后,AMD发布5纳米个人电脑(PC)芯片。5月23日台北电脑展(Computex)上,AMD CEO苏姿丰发表主题演讲,正式发布新锐龙处理器Ryzen 7000系列,采用台积电5纳米工艺Zen 4架构打造,该芯片预计将于2022年秋季面市。  苏姿丰称,与前一代产品相比,Ryzen 7000系列的Zen 4架构内核拥有翻倍的L2缓存,容量从前三代Zen架构的512KB增加到1MB,处理器的单线程性能提升超过15%,并且拥有5GHz+的加速频率。此外Zen 4架构还进一步提升了AI性能,AMD还
  • 关键字: AMD  5nm  芯片  
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