- 作为仅次于x86、ARM的第三大CPU架构,RISC-V凭借开源、免费的优势迅速发展,之前主要用于低功耗市场,但是现在也开始冲击高性能领域,Ventana公司日前已经做出了5nm 192核的芯片。Ventana公司日前发布了第一款产品Veyron V1,该公司研发了一种高性能RISC-V架构,每个CPU模块中有16个RISC-V内核,频率3.6GHz,整合48MB缓存,整个处理器可以集成12个CPU模块,做到192核,台积电5nm工艺生产制造,还有自己开发的高性能IO核心,延迟低至7ns,接近原生核心性能
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RISC-V 5nm 192核
- 概伦电子宣布其高性能并行SPICE仿真器NanoSpice™通过三星代工厂5nm工艺技术认证,满足双方共同客户对高精度、大容量和高性能的高端电路仿真需求。三星5nm工艺可以提高良率、降低功耗并改善性能,这就需要更高精度的电路仿真和验证工具来实现更优化的先进IC设计。NanoSpice™的认证属于三星代工厂的EDA认证项目,该仿真器可支持最新版的OMI接口(开放模型接口),在模拟IP的大规模后仿网表仿真中表现出良好的仿真收敛性和准确性,帮助双方共同客户充满信心地设计,缩短设计周期的同时确保更高精度。作为新一
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概伦电子 NanoSpice™ 5nm
- Credo Technology(纳斯达克股票代码:CRDO)近日正式宣布推出其基于台积电5nm及4nm制程工艺的112G PAM4 SerDes IP全系列产品,该系列能够全面覆盖客户在高性能计算、交换芯片、人工智能、机器学习、安全及光通信等领域的广泛需求,包括:超长距(LR+)、长距(LR)、中距(MR)、超极短距(XSR+)以及极短距(XSR)。 Credo IP产品业务开发助理副总裁Jim Bartenslager表示, “Credo先进的混合信号以及数字信号处理(DSP)1
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Credo 台积电 5nm 4nm SerDes IP
- IT之家7 月 28 日消息,两年前,台积电宣布将投资数十亿美元,在美国亚利桑那州厂建立 5nm 晶圆厂。该工厂于 2021 年 4 月动工兴建,预计 2024 年营运量产,月产能 2 万片。昨日,台积电为该工厂举行了上梁典礼。台积电的领英(linkedin)账号显示,本次上梁典礼有 4000 多名台积电员工及合作伙伴参加,他们一起庆祝了台积电 5nm 工厂的新里程碑。该典礼的举行意味着该工厂的基础设施全部完工,即将开始安装设备进行调试。该工厂未来产能以 5nm 工艺为主,这将是美国最先进的半导体工艺。此
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台积电 5nm 美国
- 芯研所7月15日消息,2020年台积电宣布将在美国建设晶圆厂,这是他们首次在海外建设先进工艺的5nm工厂,总投资计划高达240亿美元,目前还在建设中。在美国建设晶圆厂的成本是要高于亚洲地区的,在今天的Q2财报会议上,台积电也谈到了这个问题,表示仍处于工厂的建设阶段,美国工厂的成本比我们预期的要高。芯研所采编台积电表示,我们将这些信息提供给了当地政府,让他们全面了解成本差距,台积电仍在努力争取政府补贴,将继续努力降低成本。此前美国推出了高达520亿美元的半导体补贴法案,很多半导体公司都在争取这一补贴,不过这
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台积电 晶圆代工 5nm
- 芯研所6月29日消息,据韩国媒体报道称,三星将在未来几天宣布开始批量制造,在生产世界上最先进的芯片的过程中击败竞争对手台积电。在此之前这家韩国科技巨头在向更小的工艺节点转移时出现了很多产量问题,以至于影响了它的一些最大客户的业务,如高通公司,该公司现在正考虑将台积电用于未来的移动芯片。NVIDIA在处理了Ampere GPU的良品率问题和相对较低的能源效率后,正为其下一代产品选择台积电,这些GPU原本是在三星的8nm工艺节点上制造的。来自韩国当地媒体的报道显示,三星正准备宣布开始3纳米的批量制造,可能最快
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三星 5nm 芯片
- 继苹果之后,AMD发布5纳米个人电脑(PC)芯片。5月23日台北电脑展(Computex)上,AMD CEO苏姿丰发表主题演讲,正式发布新锐龙处理器Ryzen 7000系列,采用台积电5纳米工艺Zen 4架构打造,该芯片预计将于2022年秋季面市。 苏姿丰称,与前一代产品相比,Ryzen 7000系列的Zen 4架构内核拥有翻倍的L2缓存,容量从前三代Zen架构的512KB增加到1MB,处理器的单线程性能提升超过15%,并且拥有5GHz+的加速频率。此外Zen 4架构还进一步提升了AI性能,AMD还
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AMD 5nm 芯片
- 虽然栅极间距(GP)和鳍片间距(FP)的微缩持续为FinFET平台带来更高的性能和更低的功耗,但在5nm及更先进节点上,兼顾寄生电容电阻的控制和实现更高的晶体管性能变得更具挑战。泛林集团在与比利时微电子研究中心 (imec) 的合作中,使用了SEMulator3D®虚拟制造技术来探索端到端的解决方案,运用电路模拟更好地了解工艺变化的影响。我们首次开发了一种将SEMulator3D与BSIM紧凑型模型相耦合的方法,以评估工艺变化对电路性能的影响。这项研究的目的是优化先进节点FinFET设计的源漏尺寸和侧墙厚
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泛林 5nm FinFET
- 此前,AMD卖掉半导体封测厂,转交给通富微电,后者负责AMD大量锐龙及Radeon显卡芯片的封装,日前该公司确认AMD的芯片产能有望缓解,公司封装的5nm产品也即将量产。根据该公司的年报,2021年全年,通富微电实现营业收入158.12亿元,同比增长46.84%;归母净利润超过去6年之和,为9.54亿元,同比增长181.77%;净资产收益率为9.51%,较2020年大幅提升4.55个百分点。通富微电副总经理夏鑫表示,随着台积电持续加大先进制程扩产力度,2021年占公司收入44.5%的客户AMD,所面临的产
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5nm AMD
- 据 wccftech 报道,半导体制造公司台积电(TSMC)已经增加了其 5nm 工艺技术系列的出货量。这是台积电产品组合中最先进的技术,该工厂希望在今年晚些时候向 3nm 工艺迈进。DigiTimes 声称,增加产量是为了促进来自个人计算行业的几家公司的订单,特别是在韩国芯片制造商三星代工厂目前面临产量问题的报道之后。三星和台积电是世界上仅有的两家向第三方提供芯片制造服务的公司,在这种双头垄断的情况下,台积电因其一贯可靠的交付和定期的技术升级而占据了强有力的领先地位。DigiTimes 的报告表示,台积
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台积电 5nm
- 据韩国媒体报道,三星电子新人联合CEO Kyung Kye-hyun日前在股东大会上表态,称三星今年芯片及零件部门的增长率有望优于全球芯片市场的9%,三星会设法提高产能,满足市场需求。针对5nm及以下工艺良率偏低的问题,Kyung
Kye-hyun表示芯片扩产需要时间,但三星已经在改善中,他强调半导体芯片工艺越来越精密,复杂度也提高了,5nm以下的芯片工艺正在逼近半导体物理极限。Kyung
Kye-hyun称三星计划将生产线运营最佳化,以改善盈利及供应,并持续提升已经量产的工艺。此外,Kyun
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5nm 良率 三星
- 日前,由于苹果、AMD、联发科等客户5nm订单积累太多,台积电不得不先把3nm工厂临时拉出来给5nm扩产。今年有大量芯片会升级5nm工艺或者改进版的4nm工艺,苹果这边有M1/M1 Pro/M1 Max,M2系列很快也要量产了,产能需求很高。 除了苹果这个VVVIP客户之外,AMD今年也会有5nm Zen4架构处理器及5nm RDNA3架构GPU芯片,他们也是最重要的5nm工艺客户之一。联发科今天发布了天玑8100/8000处理器,也是台积电5nm工艺,投片量也不低,NVIDIA
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台积电 3nm 5nm
- 如今,大家都知道芯片是nm级的进阶,但大家并不是了解的是芯片烧钱的程度。从90nm工艺开始使用12英寸晶圆之后,每一代工艺的建设成本都在急剧增加,28nmg工艺建厂就要60亿美元,14nm工艺需要100亿美元。 如果是10nm以下节点,7nm工艺要120多亿美元,5nm节点则要160亿美元,约合人民币1019亿元。 上千亿的投入建成的还是50K月产能的,也就是每月生产5万片晶圆,如果追求更高产能,10万片晶圆的大型工
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5nm
- 在2021开放创新平台(OIP)生态系统论坛上,台积电(TSMC)宣布推出N4P工艺,这是以目前5nm制程节点为基础,以性能为重点的增强型工艺。采用N4P技术生产的首批产品预计于2022年下半年完成产品设计定案。N4P制程工艺的推出强化了台积电的先进逻辑半导体技术组合,其中的每项技术皆具备独特的效能、功耗效率以及成本优势。经过优化的N4P可提供高性能运算(HPC)与移动设备应用一个更强化且先进的技术平台。N4N4P是继N5、N4后,台积电5nm家族的第三个主要强化版本。台积电称,N4P的性能较原先的N5增
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台积电 N4P 5nm 制程
- 台积电目前查明苹果A15代工厂产线污染原因:气体被污染的主要原因是,氧气中被混入了惰性气体氩气(Ar2),影响轻微。8月10日消息,前段时间,苹果A15芯片的主力代工厂:南科18A工厂疑似污染。许多方面都担心,台积电5nm产线会因此暂时停产,苹果A15芯片的量产将受到重创。对此,有媒体了解到最新消息称,台积电表示该事件造成的影响十分轻微,气体被污染的主要原因是,氧气中被混入了惰性气体氩气(Ar2)。不过,尽管受到污染,但由于氩气不参与化学反应,所以对生产过程没有影响,工厂端只需要清洗存储槽即可。业内人士认
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台积电 5nm A15
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