2nm GAA 工艺进展被传顺利，但三星的目标是通过推出自己的 1nm 工艺来突破芯片开发的技术限制。一份新报告指出，该公司已经成立了一个团队来启动这一工艺。然而，由于量产目标定于 2029 年，我们可能还需要一段时间才能看到这种光刻技术的应用。1nm 晶圆的开发需要“高 NA EUV 曝光设备”，但目前尚不清楚三星是否已订购这些机器。另一方面，台积电也正在推出
2 纳米以下芯片，据报道，这家台湾半导体巨头已于 4 月初开始接受 2 纳米晶圆订单。至于三星，在其 2 纳米 GAA
技术的试产过程中
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三星 1nm 芯片 台积电 NA EUV
据路透社报道，半导体大厂英特尔近日表示，半导体设备大厂阿斯麦（ASML）的首批两台尖端高数值孔径（High NA）光刻机已在其工厂正式投入生产，且早期数据显示，这些设备的性能比之前的机型更可靠。报道称，英特尔资深首席工程师Steve Carson在加利福尼亚州圣何塞举行的一次会议上指出，英特尔已经利用ASML高数值孔径光刻机在一个季度内生产了3万片晶圆，这些晶圆是足以生产数千个计算芯片的大型硅片。2024年，英特尔成为全球第一家接收这些先进设备的芯片制造商，与之前的ASML设备相比，这些机器可望制造出更小
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英特尔 ASML High-NA EUV
据路透社2月24日报道，英特尔资深首席工程师Steve Carson在美国在加利福尼亚州圣何塞举行的一场会议上表示，英特尔已经安装的两台ASML High NA EUV光刻机正在其晶圆厂生产，早期数据表明它们的可靠性大约是上一代光刻机的两倍。Steve
Carson指出，新的High NA
EUV光刻机能以更少曝光次数完成与早期设备相同的工作，从而节省时间和成本。英特尔工厂的早期结果显示，High NA EUV
机器只需要一次曝光和“个位数”的处理步骤，即可完成早期机器需要三次曝光和约40个处
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英特尔 High NA EUV 光刻机 晶圆
英特尔24日表示，ASML首批的两台先进曝光机已投产，早期数据显示比之前机型更可靠。英特尔资深首席工程师 Steve Carson 指出，英特尔用ASML 高数值孔径（High NA）曝光机一季内生产 3 万片晶圆，即生产数千颗运算芯片的大型硅片。英特尔去年成为全球第一间接收这些设备的芯片制造商，与之前ASML设备相比，这些机器可望制造出更小、更快的运算芯片。 此举是英特尔策略转变，因英特尔采用上代极紫外光（EUV）曝光机时落后竞争对手。英特尔花了七年才将之前机器全面投产，导致领先优势被台积电超越。 生产
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英特尔 High-NA EUV
近日，全球领先的物联网整体解决方案供应商移远通信宣布，其旗下符合3GPP
R17标准的新一代5G-A模组RG650V-NA成功通过了北美两家重要运营商认证。凭借高速度、大容量、低延迟、高可靠等优势，该模组可满足CPE、家庭/企业网关、移动热点、高清视频直播等FWA应用对高速、稳定5G网络的需求。移远通信高性能5G-A模组RG650V-NA通过北美两大重要运营商认证此前，RG650V系列已通过了北美FCC、PTCRB以及GCF全球认证，此次再获北美两项认证，表明该模组已全面取得北美运营商的认可，标志着搭
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移远通信 5G-A模组 RG650V-NA
比利时微电子研究中心（imec），在荷兰费尔德霍温与艾司摩尔（ASML）合作建立的高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）微影实验室中，利用数值孔径0.55的极紫外光曝光机，发表了曝光后的图形化组件结构。在单次曝光后，9纳米和5纳米（间距19纳米）的随机逻辑结构、中心间距为30纳米的随机通孔、间距为22纳米的二维特征，以及间距为32纳米的动态随机存取内存（DRAM）专用布局全部成功成形，采用的是由imec与其先进图形化研究计划伙伴所优化的材料和基线制程。透过这些研究成果，imec证实该微影技术的生态系
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imec High-NA EUV DRAM
8月6日消息，在近日的财报电话会议上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二台价值3.83亿美元的High NA EUV（极紫外光刻机）。High NA EUV光刻机是目前世界上最先进的芯片制造设备之一，其分辨率达到8纳米，能够显著提升芯片的晶体管密度和性能，是实现2nm以下先进制程大规模量产的必备武器。帕特·基辛格表示，第二台High NA设备即将进入Intel位于美国俄勒冈州的晶圆厂，预计将支持公司新一代更强大的计算机芯片的生产。此前，Intel已于去年12月接收了全球首台High NA EUV光刻
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英特尔正接收ASML第二台耗资3.5亿欧元（约3.83亿美元）的新High NA EUV设备。根据英特尔8/1财报电话会议纪录，CEO Pat Gelsinger表示，英特尔12月开始接收第一台大型设备，安装时间需要数月，预计可带来新一代更强大的电脑英文。Gelsinger在电话中指出，第二台High NA设备即将进入在奥勒冈州的厂房。由于英特尔财报会议后股价表现不佳，因此这番话并未引起注意。ASML高阶主管7月曾表示，该公司已开始出货第二台High NA设备给一位未具名客户，今年只记录第一台的收入。不过
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ASML去年末向英特尔交付了业界首台High-NA
EUV光刻机，业界准备从EUV迈入High-NA EUV时代。不过ASML已经开始对下一代Hyper-NA
EUV技术进行研究，寻找合适的解决方案，计划在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻机。据Trendforce报道，Hyper-NA
EUV光刻机的价格预计达到惊人的7.24亿美元，甚至可能会更高。目前每台EUV光刻机的价格约为1.81亿美元，High-NA
EUV光刻机的价格大概为3.8亿美元，是EUV光刻机的两倍多
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5月26日，台积电举办“2024年技术论坛台北站”的活动，台积电CEO魏哲家罕见的没有出席，原因是其秘密前往荷兰访问位于埃因霍温的ASML总部，以及位于德国迪琴根的工业激光专业公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源设备供应商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通过社交媒体透露了魏哲家秘密出访的行踪。Christophe Fouquet表示他们向魏哲家介绍了最新的技术和新产品，包括High-NA EUV设备将如何实现未来
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上个月英特尔晶圆代工宣布完成了业界首台High-NA EUV光刻机组装工作。随后开始在Fab D1X进行校准步骤，为未来工艺路线图的生产做好准备。
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光刻机一直是半导体领域的一个热门话题。从早期的深紫外光刻机（DUV）起步，其稳定可靠的性能为半导体产业的发展奠定了坚实基础；再到后来的极紫外光刻机（EUV）以其独特的极紫外光源和更短的波长，成功将光刻精度推向了新的高度；再到如今的高数值孔径光刻机（High-NA）正式登上历史舞台，进一步提升了光刻的精度和效率，为制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官网显示，其组装了两个 TWINSCAN EXE:5000 高数值孔径光刻系统。其中一个由 ASM 与 imec 合作开发，将于 2024 年安装在 A
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High-NA EUV
3 月 27 日消息，据荷兰媒体 Bits&Chips 报道，ASML 官方确认新款 0.33NA EUV 光刻机 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻机的技术，运行效率得以提升。根据IT之家之前报道，NXE:3800E 光刻机已于本月完成安装，可实现 195 片晶圆的每小时吞吐量，相较以往机型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技术 High-NA（高数值孔径） EUV 采用了更宽的光锥，这意味着其在 EUV 反射镜上的撞击角度更宽，会导致影响晶圆吞吐量的光损失。
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ASM NXE:3800E EUV 光刻机 High-NA
英特尔（intel）近日宣布，已经接收市场首套具有0.55数值孔径（High-NA）的ASML极紫外（EUV）光刻机，预计在未来两到三年内用于 intel 18A 工艺技术之后的制程节点。 相较之下，台积电则采取更加谨慎的策略，业界预计台积电可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才会采用High-NA EUV光刻机。业界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA
EUV，这也是台积电暂时观望的原因，台积电更倾向于采用成本更低的成熟技术，以确保产品竞争力。Hig
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英特尔 High-NA EUV 台积电
据日本媒体报导，光刻机设备龙头阿斯麦（ASML）执行副总裁Christophe Fouquet近日在比利时imec年度盛会ITF World 2023表示，半导体产业需要2030年开发数值孔径0.75的超高NA EUV光刻技术，满足半导体发展。Christophe Fouquet表示，自2010年以来EUV技术越来越成熟，半导体制程微缩至2020年前后三年，以超过50%幅度前进，不过速度可能会在2030年放缓。故ASML计划年底前发表首台商用High-NA（NA=0.55）EUV微影曝光设备（原型制作），
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ASML NA EUV 光刻设备
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