ASML研发5纳米分辨率Hyper NA光刻机

据外媒报道，ASML正与蔡司（Carl Zeiss）合作，启动研发分辨率可达5纳米的Hyper NA光刻机设备。ASML技术执行副总裁Jos Benschop表示，这种新型光刻机将满足2035年及之后的芯片制造需求。
目前，ASML刚刚开始出货最先进的光刻机，其单次曝光分辨率可达8纳米，相比旧款设备需要多次曝光才能实现类似效果。
Benschop还提到，ASML正与蔡司进行设计研究，目标是开发数值孔径（NA）达到0.7或更高的系统。数值孔径是衡量光学系统聚焦能力的重要指标，直接影响光刻分辨率。NA越高，光波长越短，投影精度也越高。目前主流EUV设备的NA为0.33，而最新一代High NA EUV设备已提升至0.55。ASML正迈向NA 0.7或更高的Hyper NA阶段，这需要重新设计多个关键系统。
据悉，ASML已向英特尔和台积电交付了首批High NA EUV设备。Benschop指出，这类设备的大规模应用仍需时日。客户需要验证新系统的性能，并开发配套材料与工具，这一过程通常需要数年时间。他补充道：“客户需要适应新设备的操作方式，但我相信它很快会被广泛用于高产能芯片制造。”