- 随着北京向半导体自力更生迈进，高端芯片制造工具不可或缺，但由 ASML 控制的光刻技术带来了最大的挑战，其用于 5 纳米以下芯片的 EUV 机器禁止出口。值得注意的是，ASML 2025 年第三季度销售额的 42% 来自中国，这凸显了该国对这家荷兰巨头不太先进的 DUV 工具的依赖。尽管如此，在 SiCarrier 和 AMIES 等公司的推动下，进展仍在进行中，AMIES 是上海微电子设备 （SMEE） 的分拆公司。以下是中国最新进展和该国主要技术障碍的快照。SiCarrier 的光刻雄心面临
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- 根据 The Elec 报道，援引行业消息人士称，三星首次外包光掩模——芯片制造中至关重要的组件。报道称，三星据说正在外包低端光掩模用于内存芯片，这表明其策略是将资源转向 ArF 和 EUV 掩模生产。本月早些时候，三星据报道向美国光掩模制造商 Photronics 的子公司 PKL 订购了用于内存生产的 i-line 和 KrF 光掩模。报道补充说，日本的 Tekscend Photomask 也在评估中，预计很快将收到订单。报道指出，由于这些是低端芯片的掩模，三星认为它们泄露技术的
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- 随着中国通过增加国内 AI 芯片来对抗 NVIDIA 推动半导体独立，据报道，中国正朝着自力更生迈出另一大步，因为 SMIC 据报正在测试由本地初创公司 Yuliangsheng 开发的深紫外（DUV）光刻机。SiCarrier 通常以中国标志性的山命名其设备，包括用于蚀刻机的武夷和用于外延产品的峨眉，TechPowerUp 报道。有趣的是，金融时报披露，这次最新的 EUV 计划，据熟悉情况的人士称，拥有雄心勃勃的内部代号“珠穆朗玛峰”。消息人士称，SMIC 正在测试的机器使用与 ASML 系统类似的全浸
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- ASML 的 Twinscan EXE:5200N 配备 0.55 NA 镜头，实现 8 纳米分辨率——而当前 Low-NA EUV 工具的分辨率仅为 13 纳米——使得单次曝光下晶体管尺寸缩小 1.7 倍，晶体管密度提高 2.9 倍。虽然 Low-NA 工具可以通过昂贵的多重图形匹配来达到这一效果，但 High-NA EUV 简化了光刻步骤，尽管这带来了新的技术挑战。鉴于 High-NA EUV 机器的能力，芯片制造商可以避免双重或三重 EUV 图形匹配，因此 NXE:5200B 将首先用于快速推进下一
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- 8 月 21 日， 尼康宣布计划于 9 月 30 日关闭其横滨工厂。据日经报道，截至 7 月底，该设施雇佣了约 350 人。这些员工将留在公司，随着工厂的运营转移到东京品川的尼康总部以及神奈川县的其他地点，他们将搬迁到接收站点。据日经新闻补充，横滨工厂一直从事生物显微镜、工业设备和平板显示器（FPD）光刻设备的开发与制造。公司表示，该工厂的关闭已经计入其截至2026年3财年的合并业绩预测中，并指出总体影响将有限。据报告称，尼康公司旨在通过整合设施来削减成本。尼康光刻业务：历史作用与当前衰退该工厂
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- 8月13日，我国首台自主研发的商用电子束光刻机“羲之”在浙江余杭正式揭幕。根据杭州政府网站的报道，这台机器是浙江大学技术转化基地签署的第一个项目之一。它已经在客户现场进行了测试，精度与主流国际设备相当。这一里程碑标志着量子芯片研发现在有了自己的“中国刻刀。”研发团队的一名成员解释说，西驰专注于量子芯片和下一代半导体研究的核心阶段。它使用高能电子束在硅基板上“手绘”电路，实现0.6纳米的精度和8纳米的线宽。其设计可以灵活修改，无需掩模，就像用纳米级的画笔直接在芯片上绘画一样——特别适合芯片开发早期阶段所需的
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- （图片来源：ASML）美国总统和欧洲委员会主席本周早些时候签署的贸易协议对几乎所有在欧洲制造并运往美国的商品征收 15%的关税，但有几类产品将免税，包括半导体生产设备，这些设备将享受零关税。因此，像 ASML 这样的公司生产的工具在美国不会变得更贵。欧洲委员会的一份声明称：“我们还就一些战略产品达成了零关税的协议。” 声明中写道。“这包括所有飞机及其零部件、某些化学品、某些通用药品、半导体设备、某些农产品、自然资源和关键原材料。我们将继续努力将更多产品添加到这个清单中。”如果美国对 ASML 生
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- 根据路透社报道，ASML 今日发布了其 2025 年第二季度的财务业绩。虽然第二季度订单量超出了市场预期，但该公司警告称，2026 年的增长可能将达不到预期。如其 新闻稿所述，ASML 指出，虽然人工智能客户的基本面在进入 2026 年时保持强劲，但宏观经济和地缘政治因素的上升不确定性使得目前难以确认 2026 年的增长。如果这种情况发生，2026年将成为自2012年以来首次没有收入增长的一年——路透社指出，打破了不间断增长的记录。同时，ASML 表示，现在预计 2025 年全年净销售
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- 根据韩国媒体 outlet ETNews 的报道，美国和日本正积极通过政府主导的举措将极紫外(EUV)光刻机引入公共研究机构。相比之下，韩国政府在这一领域的推动工作落后于美国和日本，报道暗示。美国 – 国家半导体技术中心加速 EUV 技术采用报告援引行业消息人士称，美国国家半导体技术中心（NSTC）已在纽约的阿尔巴尼纳米技术园区完成了 EUV 光刻设备的安装，并计划从 2025 年 7 月开始为企业提供服务。报告还指出，据称 NSTC 计划在 2026 年推出高 NA EUV 设备——
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- 据外媒报道，ASML正与蔡司（Carl Zeiss）合作，启动研发分辨率可达5纳米的Hyper NA光刻机设备。ASML技术执行副总裁Jos Benschop表示，这种新型光刻机将满足2035年及之后的芯片制造需求。目前，ASML刚刚开始出货最先进的光刻机，其单次曝光分辨率可达8纳米，相比旧款设备需要多次曝光才能实现类似效果。Benschop还提到，ASML正与蔡司进行设计研究，目标是开发数值孔径（NA）达到0.7或更高的系统。数值孔径是衡量光学系统聚焦能力的重要指标，直接影响光刻分辨率。NA越高，光波长
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- 据荷兰媒体报道，ASML计划在2028年前将其员工迁入位于荷兰埃因霍温附近的全新Brainport产业园区。这一消息是在ASML与埃因霍温市政府官员共同介绍城市发展计划初步草案时透露的。这一扩张计划引发了全球晶圆制造行业的广泛关注。据Tom's Hardware报道，台积电、英特尔和三星电子等半导体巨头或将从中受益。ASML的扩张如果能按计划推进，将有助于满足全球对极紫外光（EUV）光刻设备的迫切需求，从而加速先进制程的开发与应用。Brainport产业园区的扩张计划大约在一年前首次公开。据荷兰消
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- 快科技4月3日消息，据NRC报道，一名43岁的俄罗斯工程师German A.，被指控从ASML阿斯麦、GlobalFoundries格芯、NXP恩智浦、TSMC台积电窃取机密技术信息，从而帮助俄罗斯建立了自己的28nm晶圆厂。根据指控，他偷窃了ASML 105份内部文件、台积电88份内部文件，涉及半导体生产、各种芯片制造设备的信息。文件中并没有设计和建造晶圆厂的完整蓝图，后者更高级的技术，但仍被视为机密，足以支撑建立完整的28nm级工艺生产线，军用等领域足够了。调查称，German A.通过网盘、社交应用
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- 3月25日消息，据俄罗斯卫星通讯社报道，莫斯科市长谢尔盖·索比亚宁近日在其 “电报” 频道的账号上发文称，莫斯科“泽列诺格勒纳米技术中心”公司已完成了俄罗斯首台350nm光刻机的研发工作，这是生产微芯片的关键设备。在俄乌冲突爆发后，美西方对俄罗斯实施了更为严厉的出口管制措施，其中半导体芯片及光刻机等半导体设备成为了限制的重点，这也迫使俄罗斯开始研发自主设计的国产光刻机。2023年，俄罗斯联邦工业和贸易部副部长瓦西里·什帕克（Vasily Shpak）在接受媒体采访时就曾表示，2024年俄罗斯将开始生产35
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- 3月7日消息，ASML公开表示，会继续在中国市场提供维修服务。之前ASML表示在北京新建维修中心，而他们也是调整了这个说法。“我们不是要在2025年新建一个北京本地维修中心，而是今年会在原有基础上进行升级、扩建。”之前曾有消息称，在ASML某些在中国提供服务和备件的许可证于去年年底到期后，现在的荷兰首相很可能不再为其续期，而相关决定是在美国施加一定压力后做出的。目前的情况是，ASML的销售额中，约有一半来自中国（最新的财报显示，中国大陆2024年为ASML贡献了101.95亿欧元收入，约合人民币797.7
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- 2月26日消息，ASML Twinscan EXE:5000 EUV是当今世界上最先进的EUV极紫外光刻机，支持High-NA也就是高孔径，Intel去年抢先拿下了第一台，目前已经在俄勒冈州Fab D1晶圆厂安装部署了两台，正在紧张地研究测试中。Intel资深首席工程师Steve Carson透露，迄今为止，两台EUV光刻机已经生产了3万块晶圆，当然不算很多，但别忘了这只是测试和研究使用的，并非商用量产，足以证明Intel对于新光刻机是多么的重视。Steve Carson还强调，完成同样的工作，新款光刻机
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光刻机介绍
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我公司拥有国外半导体设备,包括台湾3S公司生产的光刻机,涂胶台,
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溅射台及探针台等各种设备,世界知名划片机企业英国Loadpoint公司生产的6英寸--12英寸
精密划片机，300毫米清洗机,。
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