据外媒报道，近日，俄罗斯政府已拨款超过2400亿卢布（约合人民币175亿元）支持国产半导体制造所需设备、CAD工具及原材料研发，目标是到2030年实现对于国外约70%的半导体设备和材料的国产替代。该计划已经启动了41个研发项目，并计划在未来几年内再启动43个新项目，共计110个研发项目。这些项目将覆盖从180nm到28nm的微电子、微波电子、光子学和电力电子等多个技术领域，为俄罗斯微电子产业的发展奠定坚实基础。据悉，该计划由俄罗斯工业部、贸易部、俄罗斯国际科学技术中心 （ISTC）MIET 电子工程部制定
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俄罗斯 光刻机
据外媒报道，高通近期与英特尔就整体收购事宜一事进行了接触，尚不清楚双方磋商细节，交易细节还远未确定，也并未提出正式报价。值得注意的是，即使英特尔接受高通的收购要约，这种规模的交易也会招致多国政府以及欧盟方面的反垄断审查，也就是交易仍存在很大的变数。
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英特尔 高通 Apollo 光刻机
9月2日消息，据国外媒体报道称，在美国要求下，ASML明年可能无法为中国厂商维修光刻机。报道中提到，在ASML某些在中国提供服务和备件的许可证于今年年底到期后，现在的荷兰首相很可能不再为其续期，而相关决定是在美国施加一定压力后做出的。目前的情况是，ASML的销售额中，约有一半来自中国。荷兰新任首相也公开表示，上述规则变动会非常谨慎，因为这会影响光刻机巨头阿斯麦（ASML）的经济利益这位新的首相直言：“我们正进行良好的谈判。我们也正特别关注阿斯麦的经济利益，这些利益需要与其他风险权衡，而经济利益是极其重要的
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ASML 光刻机 维修
8月6日消息，在近日的财报电话会议上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二台价值3.83亿美元的High NA EUV（极紫外光刻机）。High NA EUV光刻机是目前世界上最先进的芯片制造设备之一，其分辨率达到8纳米，能够显著提升芯片的晶体管密度和性能，是实现2nm以下先进制程大规模量产的必备武器。帕特·基辛格表示，第二台High NA设备即将进入Intel位于美国俄勒冈州的晶圆厂，预计将支持公司新一代更强大的计算机芯片的生产。此前，Intel已于去年12月接收了全球首台High NA EUV光刻
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Intel High NA EUV 光刻机 晶圆 8纳米
英特尔正接收ASML第二台耗资3.5亿欧元（约3.83亿美元）的新High NA EUV设备。根据英特尔8/1财报电话会议纪录，CEO Pat Gelsinger表示，英特尔12月开始接收第一台大型设备，安装时间需要数月，预计可带来新一代更强大的电脑英文。Gelsinger在电话中指出，第二台High NA设备即将进入在奥勒冈州的厂房。由于英特尔财报会议后股价表现不佳，因此这番话并未引起注意。ASML高阶主管7月曾表示，该公司已开始出货第二台High NA设备给一位未具名客户，今年只记录第一台的收入。不过
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IT之家 7 月 30 日消息，《电子时报》昨日报道称，台积电最快在 2028 年推出的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技术。对此，台积电海外营运资深副总经理暨副共同营运长张晓强表示，仍在评估 High NA EUV 应用于未来制程节点的成本效益与可扩展性，目前采用时间未定。▲ ASML EXE:5000 High NA EUV 光刻机，图源：ASML上个月，ASML 透露将在 2024 年内向台积电交付首台 High NA EUV 光刻机，价值达 3.8
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台积电 ASML 光刻机 EUV
全球光刻机大厂ASML近日发布2024年第2季度财报，实现净销售额62.4亿欧元，同比下滑约7.6%，同比增长约18%，居于官方预测中间值。虽然半导体设备出口限制规定生效造成影响，但中国大陆需求持续旺盛，依然是ASML的第一大销售市场，市占比依然高达49%，主要项目仍在未受限的DUV设备。 ASML总裁兼首席执行官傅恪礼（Christophe Fouquet）表示，正如此前几个季度，半导体行业的整体库存水平持续得到改善。无论是逻辑芯片还是存储芯片客户，对光刻设备的利用率都在进一步提高。宏观环境为主的不确定
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ASML 光刻机
据宁波前湾新区管理委员会7月15日消息，近日宁波冠石半导体有限公司迎来关键节点，引入首台电子束掩模版光刻机。据悉，该设备是光掩模版40nm技术节点量产及28nm技术节点研发的重点设备。光掩模版是集成电路制造过程中光刻工艺所使用的关键部件，类似于相机“底片”，光线经过掩膜版后，可在晶圆表面曝光形成电路图形。目前，我国高精度半导体光掩模版产品主要仍依赖于进口，国产化率极低。据了解，冠石半导体主要从事45nm~28nm半导体光掩模版的规模化生产。当前，冠石半导体一期洁净车间设计产能为月产5000片180nm~2
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光刻机 冠石半导体
与从「器材之王」跌落的尼康有何区别？
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光刻机
ASML去年末向英特尔交付了业界首台High-NA
EUV光刻机，业界准备从EUV迈入High-NA EUV时代。不过ASML已经开始对下一代Hyper-NA
EUV技术进行研究，寻找合适的解决方案，计划在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻机。据Trendforce报道，Hyper-NA
EUV光刻机的价格预计达到惊人的7.24亿美元，甚至可能会更高。目前每台EUV光刻机的价格约为1.81亿美元，High-NA
EUV光刻机的价格大概为3.8亿美元，是EUV光刻机的两倍多
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日前，日本三井化学宣布将在其岩国大竹工厂设立碳纳米管 (CNT) 薄膜生产线，开始量产半导体最尖端光刻机的零部件产品（保护半导体电路原版的薄膜材料“Pellicle”的新一代产品）。据悉，此种CNT薄膜可以实现92%以上的高EUV透射率和超过1kW曝光输出功率的光阻能力。三井化学预期年产能力为5000张，生产线预计于2025年12月完工，可为ASML将推出的下一代高数值孔径、高输出EUV光刻机提供支持。
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光刻机 纳米管薄膜 ASML
6月16日消息，ASML去年底向Intel交付了全球第一台High NA EUV极紫外光刻机，同时正在研究更强大的Hyper NA EUV光刻机，预计可将半导体工艺推进到0.2nm左右，也就是2埃米。ASML第一代Low NA EUV光刻机孔径数值只有0.33，对应产品命名NXE系列，包括已有的3400B/C、3600D、3800E，以及未来的4000F、4200G、4X00。该系列预计到2025年可以量产2nm，再往后就得加入多重曝光，预计到2027年能实现1.4nm的量产。High NA光刻机升级到了
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ASML 光刻机 高NA EUV 0.2nm
IT之家 6 月 14 日消息，全球研发机构 imec 表示阿斯麦（ASML）计划 2030 年推出 Hyper-NA EUV 光刻机，目前仍处于开发的“早期阶段”。阿斯麦前总裁马丁・凡・登・布林克（Martin van den Brink）于今年 5 月，在比利时安特卫普（Antwerp）召开、由 imec 举办 ITF World 活动中，表示：“从长远来看，我们需要改进光刻系统，因此必须要升级 Hyper-NA。与此同时，我们必须将所有系统的生产率提高到每小时 400 到 500 片晶圆”
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光刻机 工艺制程
快科技6月7日消息，近日，ASML公司CEO公开表示，美国严厉的芯片管控规定，只会倒逼中国厂商进步更快。ASML CEO表示，多年来，公司都不用担心设备的去向会受到政治限制，但突然之间，这却变成了全世界最重要的话题之一。过去一段时间，美国一直在向荷兰施压，以阻止中国获得关键的半导体技术。去年，荷兰政府宣布了新的半导体设备出口管制措施，主要针对先进制程的芯片制造技术，阿斯麦首当其冲。根据ASML今年1月1日发布的声明，荷兰政府撤销的是2023年颁发的NXT:2050i和NXT:2100i光刻系统的出口许可证
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美国芯片管控 ASML 光刻机
ASML首席财务官达森（Roger Dassen）表示，EUV技术路线发展受欧美限制，且光刻机已接近技术极限，此一技术路线前景不明。积极寻求突破的中国厂商是持续投入资源突破现有限制进行技术跟随？还是将资源另辟蹊径寻找新的技术路径？将面临艰难的抉择。 据《芯智讯》报导，台积电已经订购了High NA EUV（高数值孔径极紫外光）光刻机，ASML与台积电的商业谈判即将结束，预计在第2季度或第3季度开始获得大量 2nm芯片制造相关设备订单。ASML预测其设备的市场需求有望一路走强至2026年，这主要是受益于各国
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光刻机介绍
国外半导体设备
我公司拥有国外半导体设备,包括台湾3S公司生产的光刻机,涂胶台,
金丝球焊机,电子束蒸发台。
溅射台及探针台等各种设备,世界知名划片机企业英国Loadpoint公司生产的6英寸--12英寸
精密划片机，300毫米清洗机,。
如您感兴趣请登录以下网站或Email:
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