美国、日本领导政府支持的光刻机(EUV)推广，韩国据报道落后

根据韩国媒体 outlet ETNews 的报道，美国和日本正积极通过政府主导的举措将极紫外(EUV)光刻机引入公共研究机构。相比之下，韩国政府在这一领域的推动工作落后于美国和日本，报道暗示。

美国 – 国家半导体技术中心加速 EUV 技术采用

报告援引行业消息人士称，美国国家半导体技术中心（NSTC）已在纽约的阿尔巴尼纳米技术园区完成了 EUV 光刻设备的安装，并计划从 2025 年 7 月开始为企业提供服务。报告还指出，据称 NSTC 计划在 2026 年推出高 NA EUV 设备——这是制造 2 纳米及以下半导体工艺所必需的先进工具。

由于成本高昂，报告解释说，SoC 材料和设备（M&E）公司通常无法独立负担或操作 EUV 设备。相反，他们依赖于像 NSTC 这样的开放研究中心以获得开发支持。据报告称，NSTC 去年 2 月启动，获得了 50 亿美元的美国政府资金，以支持芯片制造商和 SoC M&E 公司的研发。

日本通过政府主导计划扩大 EUV 技术推进

日本也正通过政府支持的努力采用 EUV 设备来提升其技术竞争力。据报道，日本政府正在国家先进工业科学技术研究所（AIST）建设一个配备 EUV 光刻设备的研发设施，预计将于 2027 年开始运营。

有报道称韩国在 EUV 研发方面难以保持步伐

同时，据报道，韩国两年前宣布计划建立一个“韩国版 imec”，配备先进设施，但该项目现已暂停。

它还强调，正在建设中的“微型晶圆厂”（Trinity Fab）——由贸易、工业和能源部、SK hynix 和其他芯片制造商领导——计划采用氩氟化物（ArF）浸没式设备，而不是 EUV 工具。