SK海力士引入全球首台High-NA EUV设备

据SK海力士官方消息，2025年9月3日，该公司在韩国利川M16工厂成功引进了业界首款量产型高数值孔径极紫外光刻机（High-NA EUV），并举行了设备入厂庆祝仪式。

此次引进的设备为荷兰ASML公司开发的TWINSCAN EXE:5200B，是全球首款量产型High-NA EUV设备。相比现有EUV设备（NA 0.33），其光学性能（NA 0.55）提升了40%，能够绘制精密度高达1.7倍的电路图案，同时将芯片集成度提升2.9倍。这一技术突破将显著推动半导体制造向更微细化和高集成度方向发展。

SK海力士自2021年在第四代10纳米级（1a）DRAM中首次引入EUV技术以来，不断优化先进DRAM制造工艺。然而，随着市场对高性能存储器需求的增加，仅依赖现有技术已无法满足未来需求。

SK海力士表示，通过High-NA EUV设备的应用，公司将简化现有工艺流程，加快研发速度，从而在产品性能和成本控制方面保持竞争力。此举不仅有助于巩固其在高附加值存储器市场的地位，还将进一步强化其技术领导力。

在设备入厂仪式上，ASML韩国公司总经理金丙灿、SK海力士CTO车宣龙副社长等高层领导出席。金丙灿表示，High-NA EUV技术是推动半导体产业未来发展的关键，ASML将与SK海力士紧密合作，共同推动技术创新。车宣龙则强调，该设备的引入为公司未来技术发展奠定了重要基础，将助力SK海力士在AI和新一代计算市场中占据领先地位。