今天，小米集团董事长雷军微博宣布小米自主研发设计的3nm制程手机处理器芯片玄戒O1已开始大规模量产，搭载小米玄戒O1两款旗舰，小米手机15s pro和小米OLED平板Pad 7 ultra。小米将成为继苹果、高通、联发科后，全球第四家发布自主研发设计3nm制程手机处理器芯片的企业。今年2月，联发科技CEO蔡力行第四季度财报会议上表示，小米自研手机SoC芯片或将外挂联发科基带芯片。根据他的透露，ARM和小米正在促成一项AP芯片的研发项目，联发科也有参与，并提供调制解调器芯片。此前据外媒WCCFtech报道，
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小米 自研 3nm 芯片
小米最近在宣布其自主开发的智能手机 SoC 芯片 XRING 01 后引起了广泛关注。据中国媒体《明报》报道，小米首席执行官雷军 5 月 19 日在微博上透露，该芯片采用 3nm 工艺制造，这标志着中国公司首次成功实现 3nm 芯片设计的突破。这家中国科技巨头正在加大其芯片开发力度。据《华尔街日报》报道，小米计划在至少 10 年内投资近 70 亿美元用于芯片设计。创始人兼首席执行官雷军周一在微博上发文透露了这一投资数字。报告指出，小米发言人补充说，这项 500 亿元人民币（相当于 69.4 亿美元）的投资
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小米 3nm SoC
5月20日消息，雷军之前已经宣布了小米自研芯片玄戒O1，而它可能只是一个代号，最终的成品或许会有多个版本。如果熟悉芯片设计的朋友应该都清楚，厂商在规划一款芯片设计时，必然会有多款相关版本的衍生，所以这更像是一个大类，而非具体到一个型号。有网友发现，Geekbench 6.1.0上出现了小米新机的跑分成绩，而主板信息显示为"O1_asic"，从跑分上看，该机的单核跑分最高 2709、多核跑分8125，比高通骁龙8 Gen 3 的成绩还要高一些，可以说表现亮眼。跑分页面还显示，该处理器的C
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小米 自研芯 10核 3nm 超骁龙8 Gen 3
5月19日，雷军微博宣布小米自主研发设计的3nm制程手机处理器芯片玄戒O1即将亮相。小米将成为继苹果、高通、联发科后，全球第四家发布自主研发设计3nm制程手机处理器芯片的企业。回顾了小米第一代自研手机SoC“澎湃S1”的失败经历，从2014年9月立项，到2017年正式发布，“因为种种原因，遭遇挫折”，暂停了SoC大芯片的研发，转向了“小芯片”路线。包含了快充芯片、电池管理芯片、影像芯片、天线增强芯片等“小芯片”，在不同技术赛道中慢慢积累经验和能力。直到2021年初，小米宣布造车的同时，还在内部重启“大芯片
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小米 玄戒 3nm SoC 芯片
瑞萨电子将设计印度首款3nm 芯片
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3nm 瑞萨
据外媒wccftech报道，高通计划在2025年9月举办的年度骁龙技术论坛上推出新一代旗舰处理器Snapdragon 8 Elite Gen 2。这款处理器预计采用台积电第三代3纳米节点制程N3P打造，相较于前代产品，其性能将有显著提升。Snapdragon 8 Elite Gen 2将配备全新的Adreno 840 GPU和NPU，其中NPU的处理速度预计达到100TOPS，是Snapdragon X Elite NPU性能（45TOPS）的两倍以上。性能提升的部分原因在于暂存内存容量增加至16MB，使
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高通 骁龙 3nm
4月26日消息，在近日举办的北美技术论坛上，台积电首次公开了N2 2nm工艺的缺陷率(D0)情况，比此前的7nm、5nm、3nm等历代工艺都好的多。台积电没有给出具体数据，只是比较了几个工艺缺陷率随时间变化的趋势。台积电N2首次引入了GAAFET全环绕晶体管，目前距离大规模量产还有2个季度，也就是要等到年底。N2试产近2个月来，缺陷率和同期的N5/N4差不多，还稍微低一点，同时显著优于N7/N6、N3/N3P。从试产到量产半年的时间周期内，N7/N6的综合缺陷率是最高的，N3/N3P从量产开始就低得多了，
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台积电 N2 2nm 缺陷率 3nm 5nm 7nm
去年末有报道称，小米即将迎来了自己的SoC，已完成了其首款3nm自研芯片的流片工作，剩下唯一的步骤就是与代工合作伙伴确定订单，批量生产自己设计的芯片。小米曾在2017年推出了澎湃S1，搭载于小米5c，对SoC并不陌生。据Wccftech报道，虽然中国大陆的芯片设计公司或许不能采用台积电（TSMC）最新的制造工艺，但最新消息指出，相关的管制措施暂时没有影响到小米，该款SoC有望在今年晚些时候推出。不过与之前的消息有些不同，小米的自研芯片采用的并非3nm工艺，而是4nm工艺，具体来说是N4P。小米的SoC在C
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小米 SoC 3nm 自研芯片 台积电 TSMC
3月31日消息，据媒体报道，位于新竹和高雄的两大台积电工厂将是2nm工艺制程的主要生产基地，预计今年下半年正式进入全面量产阶段。在前期试产中，台积电已经做到了高达60%的良率表现，待两大工厂同步投产之后，月产能将攀升至5万片晶圆，最大设计产能更可达8万片。与此同时，市场对2nm芯片的需求持续高涨，最新报告显示，仅2025年第三、四季度，台积电2纳米工艺即可创造301亿美元的营收，这一数字凸显先进制程在AI、高性能计算等领域的强劲需求。作为台积电的核心客户，苹果将是台积电2nm工艺制程的首批尝鲜者，预计iP
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据外媒报道，英特尔确认将于今年晚些时候在其位于爱尔兰莱克斯利普的Fab 34量产3nm芯片。据了解，Intel 3是该公司的第二个EUV光刻节点，每瓦性能比Intel 4工艺提高了18%。Intel公司在年度报告中表示，该工艺于2024年在美国俄勒冈州完成首批量产，2025年产能将全面转至爱尔兰莱克斯利普工厂。据介绍，英特尔同步向代工客户开放Intel 4/3/18A及成熟制程7nm / 16nm工艺。此外，该公司还与联电合作开发12nm代工工艺。英特尔还表示：基于Intel 18A工艺的客户端处理器Pa
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英特尔 3nm Fab 34 14A
快科技3月25日消息，据悉，中国科学院成功研发除了突破性的固态DUV(深紫外)激光，可发射193nm的相干光，与目前主流的DUV曝光波长一致，能将半导体工艺推进至3nm。据悉，ASML、佳能、尼康的DUV光刻机都采用了氟化氙(ArF)准分子激光技术，通过氩、氟气体混合物在高压电场下生成不稳定分子，释放出193nm波长的光子，然后以高能量的短脉冲形式发射，输出功率100-120W，频率8k-9kHz，再通过光学系统调整，用于光刻设备。中科院的固态DUV激光技术完全基于固态设计，由自制的Yb:YAG晶体放大器
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DUV光刻机 3nm
3月21日消息，投资公司GF Securities在报告中称，iPhone 18系列搭载的A20芯片将会采用台积电第三代3nm工艺N3P制造，对此，分析师Jeff Pu予以反驳，称A20芯片基于台积电2nm制程打造，苹果使用3nm的消息可以被忽略了。据悉，台积电已经开始了2nm工艺的试产工作，该项目在新竹宝山工厂进行，初期良率是60%，预计在2025年下半年开始进行批量生产阶段。之前摩根士丹利发布报告称，2025年台积电2nm月产能将从今年的1万片试产规模，增加至5万片左右的量产规模。由于产能爬坡以及良率
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3nm iPhone 18 台积电 2nm 工艺制程 A20芯片
为了解决边缘传统和 AI 计算的重大功耗挑战，Ambiq 发布了 Apollo330 Plus 片上系统 （SoC） 系列。它提供了一组丰富的外设和连接选项，以在边缘推动始终在线的实时 AI。该系列继基础 Apollo330 Plus、Apollo330B Plus 和 Apollo330M Plus 之后，提供 250-MHz Arm Cortex-M55 应用处理器等功能，采用 turboSPOT 和 Arm Helium 技术。还包括 48/96MH
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SoC 边缘设备 实时 AI Apollo330 Plus
3 月 6 日消息，OpenAI于2月28日推出 GPT-4.5 AI模型“研究预览版”，号称交互更自然，知识库更广，更能理解用户意图，并且“情商”更高。OpenAI 今日宣布，已向 ChatGPT Plus 用户推出 GPT-4.5，比预期更早。据官方介绍，GPT-4.5
最先面向 ChatGPT Pro 用户开放，现在起将陆续扩展至 Plus 和 Team 用户，然后再推广至 Enterprise 和 Edu
用户。此外，该模型还将在微软Azure AI Foundry平台上与Stabilit
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OpenAI GPT-4.5 ChatGPT Plus 开放
全球领先的存储解决方案供应商铠侠株式会社，，今日宣布推出 EXCERIA PLUS G4 固态硬盘系列。该系列专为追求更高性能的游戏玩家和内容创作者而设计，在提高生产力和降低能耗的同时，带来更佳的 PC 体验。新的SSD系列即将在中国市场上市。EXCERIA PLUS G4系列采用新一代 PCIe 5.0 接口，顺序读取速度高达 10000MB/s，顺序写入速度高达 8200MB/s(2) （2TB 版本），可完美应对高性能游戏和视频编辑的需求。在该系列中，铠侠尤为注重优化产品的能耗和散热性能。与上一代产
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铠侠 PCIe 5.0 EXCERIA PLUS G4 固态硬盘
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