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台积电.晶圆代工 文章 进入台积电.晶圆代工技术社区

台积电计划于2028年投产下一代A14制程技术

  • 4月24日电,台积电计划在2028年开始生产A14芯片技术,旨在保持芯片行业的领先地位。该技术将推动这家全球最大芯片制造商超越其当前最先进的3纳米制程,以及今年晚些时候将推出的2纳米制程。台积电还计划在2026年末推出中间的A16制程。
  • 关键字: 台积电  2028年  A14  制程技术  

Intel下单台积电2nm!用于下代PC处理器

  • 4月22日消息,据媒体报道,Intel已加入台积电2nm制程的首批客户行列,计划用于生产下一代PC处理器,目前相关准备工作正在台积电新竹厂区紧锣密鼓地进行,以确保后续良率的调整。台积电计划在下半年量产2nm制程,近期相关客户陆续浮出水面,此前,AMD已宣布下单台积电2nm制程。报道称,Intel和台积电目前在2nm制程上仅合作一款产品,可能是Intel明年要推出的PC处理器Nova Lake中的运算芯片。对于Intel加入的消息,台积电表示不评论市场传闻,也不评论特定客户业务,Intel方面也未对相关消息
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中美芯片制造成本差鸿沟:台积电南京厂大赚美国厂巨亏

  • 晶圆代工龙头台积电近日公布2024年报,揭露今年先进制程营收占比上看80%,同时更可以看到台积电旗下海外布局的损益状况,其中美国亚利桑那州新厂去年认列亏损新台币近143亿元(约32.1亿人民币),大陆南京厂则在去年大赚新台币近260亿元(约58.4亿人民币),两者差距幅度相当巨大。台积电董事长暨总裁魏哲家,在致股东报告书中指出,今年总体经济的不确定性仍在,但预期晶圆制造产业维持温和复苏,对台积来说仍是稳健成长的1年,AI将会有许多不同的形式出现。根据最新出炉的股东会年报,可以看到台积电旗下海外布局的损益状
  • 关键字: 芯片制造  台积电  南京厂  美国厂  

台积电表示无法保证其芯片最终不会进入中国

  • 据报道,台积电因在不知情的情况下为列入黑名单的华为生产计算小芯片而面临 10 亿美元的罚款,华为使用代理向该公司下订单。这家合同芯片制造商的情况看起来并不好,台积电在其最新的年度报告中承认,在监控芯片离开晶圆厂后如何使用存在困难。换句话说,它不能保证华为的故事不会重演。“我们在半导体供应链中的角色本质上限制了我们关于包含我们制造的半导体的最终产品的下游使用或用户的可见性和信息,”台积电在其年度报告中的一份声明中写道。“这种限制阻碍了我们完全确保我们制造的半导体不会被转移到非预期的最终用途或最终用户的能力,
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台积电将在美国生产30%的2nm和更先进的芯片

  • 台积电管理层在周四的公司财报电话会议上透露,该公司计划在美国生产其 30% 的 N2(2 纳米级)产品,并将其 Fab 21 工厂设在亚利桑那州凤凰城附近,这是一个独立的半导体制造集群。这家全球最大的芯片合同制造商还表示,打算加快构建新的 Fab 21 模块,以生产 N3(3 纳米级)、N2 和 A16(1.6 纳米级)节点上的芯片。“完成后,我们约 30% 的 2nm 和更先进的产能将位于亚利桑那州,在美国创建一个独立的领先半导体制造集群,”台积电首席执行官兼董事长 C.C. Wei 在准备好的讲话中说
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台积电法说会7大重点:关税冲击、AI市场需求

  • 晶圆代工龙头台积电(2330)今(17)日召开线上法说会,整理以下七大重点,董事长暨总裁魏哲家回应第二季及全年财测、客户需求、关税冲击、AI市场需求、DeepSeek议题、中长期营运目标及合资公司等议题。董事长暨总裁魏哲家表示,目前客户下单未出现变化,将持续关注关税政策造成的潜在影响,仍预期2025年美元营收成长24~26%,其中AI相关营收将倍增,未来5年的年复合成长率(CAGR)达44~46%不变。魏哲家表示,第二季营收成长受惠高速运算(HPC)应用持续扩展,带动对3纳米及5纳米制程需求强劲,目前未观
  • 关键字: 台积电  关税冲击  AI市场需求  

魏哲家打脸「台积电合资英特尔」传闻! 霸气回应关税议题

  • 台积电17日召开法说会,董事长暨总裁魏哲家在会上澄清台积电目前没有合资公司的讨论,也没有讨论技术转移或共享资源等议题,正面回应市场传闻台积电将与英特尔合资在美国设厂的消息,另外针对关税威胁,魏哲家表示,目前客户订单没有减少,确切影响还要再观察。 台积电第一季财报亮眼,加上法说会释出好消息,台积电ADR夜盘一度上涨超过5%。台积电2025年首季营收为8392.5亿元,税后纯益3615.6亿元,每股盈余13.94元,年增41.6%、税后纯益年增60.3%,针对第2季展望,台积电给出284亿至292亿美元的展望
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手机涨价潮又来了!高通联发科明年拥抱台积电2nm:芯片成本大涨

  • 4月17日消息,博主数码闲聊站表示,明年苹果、高通、联发科确定上台积电2nm,预计成本大幅增长,新机或许还会有一轮涨价。去年10月份,因高通骁龙8 Elite、联发科天玑9400芯片切入台积电3nm工艺,国产品牌集体涨价。当时REDMI总经理王腾解释,旗舰机涨价有两个原因,一是旗舰处理器升级最新3nm制程,工艺成本大幅增加;二是内存、存储经过持续一年的涨价,已经来到了最高点,所以大内存的版本涨幅更大。展望明年,高通骁龙8 Elite 3、天玑9600等芯片都将升级为全新的台积电2nm制程,成本将会再度上涨
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消息称苹果/高通/联发科确定明年上台积电 2nm,预计成本大幅增长

  • 4 月 17 日消息,据博主@数码闲聊站 今日爆料,明年苹果 / 高通 / 联发科确定上台积电 2nm,预计成本大幅增长,新机或许还会有一轮涨价。爆料还称,今年的旗舰处理器 A19 Pro、骁龙 8 Elite 2、天玑 9500 都还会采用台积电 N3P 工艺。对于今年的手机是否会涨价,该博主称“今年还好,子系甚至有准备降价的”。台积电预计今年下半年将开始量产 2nm 芯片。有消息称台积电 2 纳米下半年量产的首批产能已被苹果包下,将用来生产 A20 处理器,苹果今年仍将稳居台积电最大客户。分析师郭明錤
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AMD拿下台积电2nm工艺首发

  • 4月15日,AMD宣布其新一代Zen 6 EPYC处理器「Venice」正式完成投片(tape out),成为业界首款采用台积电2nm(N2)制程技术的高效能运算(HPC)处理器,预计将于明年上市。这也是AMD首次拿下台积电最新制程工艺的首发,而以往则都是由苹果公司的芯片首发。N2是台积电首个依赖于全环绕栅极晶体管(Gate All Around,GAA)的工艺技术,预计与N3(3nm)相比,可将功耗降低24%至35%,或者在相同运行电压下的性能提高15%,同时晶体管密度是N3的1.15倍,这些提升主要得
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台积电打算将FOPLP封装技术带入美国,以满足当地客户的需求

  • 上个月台积电(TSMC)宣布,有意增加1000亿美元投资于美国先进半导体制造,扩大投资计划包括了三座新建晶圆厂、两座先进封装设施、以及一间主要的研发团队中心。台积电在美国亚利桑那州凤凰城的晶圆厂名为Fab 21,前后花了大概五年时间才完成第一间晶圆厂。不过随着项目的推进,台积电在当地的设施建造速度变得更快。据TrendForce报道,台积电打算将FOPLP封装技术带入美国,以满足当地客户日益增长的需求。台积电正在确定FOPLP封装的最终规格,以加快大规模生产的时间表。初代产品预计采用300mm x
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半导体「关税豁免」再生变?将设立专项关税

  • 值得注意的是,指南提及是根据特朗普当日签署的备忘录。然而仅隔一天,特朗普及其高级贸易官员却又对外发布了截然相反的消息。特朗普表示这些产品“不存在关税‘例外’”,称它们仍然在“不同的关税‘桶’中被征收20%的关税”。
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台积电面临10亿美元罚款和100%关税威胁

  • 4月9日,美国总统特朗普在共和党全国委员会活动上自爆曾威胁台积电,若不继续在美国投资建厂,其产品进入美国将面临高达100%的关税。特朗普还批评拜登政府此前为台积电亚利桑那州工厂提供66亿美元补贴,主张通过税收威胁而非财政激励推动制造业回流。10亿美元罚款?据路透社援引知情人士透露,台积电可能面临10亿美元或更高的罚款,作为美国对其生产的芯片的出口管制调查结果。台积电被指控通过第三方为中国大陆科技企业代工生产近300万颗AI芯片,而根据美国出口管制条例,违规交易最高可被处以交易金额两倍的罚款。台积电在一份声
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全球晶圆代工产业新变局

  • 复杂国际形势叠加终端需求冰火两重天的景象之下,晶圆代工产业迎来调整时期,人事变动、整合传闻屡见不鲜。与此同时,先进制程正加速冲刺,2nm芯片在今年将实现量产/试产,开启半导体技术新纪元。三星晶圆代工部门调整,加强HBM业务竞争力近期,媒体报道三星电子DS部门针对代工部门人员发布了“定期招聘”公告,三星计划把超过两位数的晶圆代工事业部人员调往存储器制造技术中心、半导体研究院以及全球制造及基础设施总部。业界透露,三星此次调整主要是为了加强HBM领域竞争实力,其中三星半导体研究所招募人员是为了“加强HBM和封装
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三星已组建专注于1nm芯片开发的团队 量产目标定于2029年

  • 2nm GAA 工艺进展被传顺利,但三星的目标是通过推出自己的 1nm 工艺来突破芯片开发的技术限制。一份新报告指出,该公司已经成立了一个团队来启动这一工艺。然而,由于量产目标定于 2029 年,我们可能还需要一段时间才能看到这种光刻技术的应用。1nm 晶圆的开发需要“高 NA EUV 曝光设备”,但目前尚不清楚三星是否已订购这些机器。另一方面,台积电也正在推出 2 纳米以下芯片,据报道,这家台湾半导体巨头已于 4 月初开始接受 2 纳米晶圆订单。至于三星,在其 2 纳米 GAA 技术的试产过程中
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