美光在弗吉尼亚州马纳萨斯工厂正式启动1α DRAM工艺的量产，该生产基地的DDR4晶圆供货规模将提升四倍，预计于2026年底完成全面量产。这一超20亿美元的投资，专为汽车、国防、航空航天及工业客户而设，旨在保障关键领域的DDR4长周期供给。随着整体芯片供应量放大，消费级市场上的炒货行情当即感到寒意，本周DDR4内存条跌幅迅速扩大直接印证了市场对“供应增加”的反应；另一方面，专业机构研判结构性短缺不改。TrendForce的最新存储器产业研究指出，Fab 6扩产主要反映美光内部产能配置调整，而非重启对消费性
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美光科技股份有限公司（纳斯达克股票代码：MU）近日宣布，正式出货 245TB 容量的美光 6600 ION SSD。作为业界容量领先的商用 SSD，该产品标志着数据中心机架级存储密度实现重大飞跃。美光 245TB 6600 ION SSD 专为支持人工智能（AI）、云计算、企业级及超大规模工作负载而设计，可满足下一代 AI 数据湖、云端规模文件与对象存储等场景需求。与基于 HDD 的部署方案相比，美光 245TB 6600 ION E3.L 实现同等原始存储容量所需的机架数量
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据报道，三星已攻克其 SOCAMM2 设计中的一项关键技术难题。据 ETNews 援引消息人士透露，该公司已解决翘曲（warpage）问题 —— 这是下一代 AI 服务器内存模组 SOCAMM2（System on Chip Advanced Memory Module 2）量产前的主要障碍。报道称，三星通过应用自研下一代低温焊料（LTS）技术解决了该问题。报道指出，翘曲是指元器件在制造过程中因受热而产生的轻微弯曲，主要由不同材料之间热膨胀系数（CTE）不匹配引起。SOCAMM2 结构尤为敏感，因为它将
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韩国媒体ETnews报道，三星在一季度将DRAM合约价上涨了100%之后，二季度的DRAM合约价将再度上涨30%。由于随着对AI基础设施投资的扩展，包括三星在内的主要内存制造商将产能集中在HBM上，通用DRAM的供应变得不足，导致价格急剧上涨。据悉，三星已确认于3月底与主要客户完成价格谈判，并签署了供应合同。DRAM合约价30%的涨幅囊括了AI芯片所需的HBM、PC和智能手机所需的通用DRAM。而三星此前在第一季度已经将DRAM的平均价格提高了100%。这意味着，如果2025年DRAM价格为10000韩元
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4月2日，据外资投行摩根士丹利针对美光科技（Micron）的跟踪报告显示，美光董事长兼CEO Sanjay Mehrotra在近期投资人会议中透露，尽管美光正在加速扩产DRAM，但新产能最快要到2027年底才能出货。因此，DRAM供不应求的局面将持续至2027年。此外，部分关键半导体设备的产能不足也是导致这一现象的重要原因。 目前，人工智能芯片对高带宽内存（HBM）的强劲需求，成为DRAM市场供不应求的核心瓶颈。美光计划在2025年第三季度将其HBM市场份额提升至与整体DRAM市场份额持平的水平
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美光新加坡 240 亿美元晶圆厂或需 500 台变压器，单厂需求超任一厂商产能两倍 —— 重型电力基础设施成 AI 芯片扩建新瓶颈.据《电子时报》援引行业消息人士称，美光计划在新加坡投资 240 亿美元扩建 NAND 闪存产线，该项目将需要 400 至 500 台电力变压器，远超标准晶圆厂通常所需的 100 至 150 台，这一需求规模甚至超过了中国台湾地区任何一家变压器制造商的年产能，也让重型电力设备成为人工智能驱动下半导体产业扩建的新瓶颈。美光如此庞大的需求，折射出与人工智能产业绑定的现代存储器晶圆厂
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美光首席执行官桑杰・梅赫罗特拉表示，随着车企推出 L4 级自动驾驶车型，未来汽车所需的内存容量最终将突破 300GB。据《英国登记册》报道，梅赫罗特拉是在美光发布季度财报后作出该表态的。财报显示，美光今年第二季度营收达 238.6 亿美元，较 2025 年第二季度的 80.3 亿美元实现了 200% 的大幅增长。此次营收暴涨，核心驱动力仍是人工智能超大规模运算厂商对高端高带宽存储（HBM）芯片的海量需求，同时叠加行业结构性供应短缺与美光自身全方位的出色运营表现。在借人工智能基础设施建设持续盈利的同时，美光
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2026 年 3 月 16 日，美光科技在英伟达 GTC 2026 大会上正式发布重磅消息：旗下HBM4 高带宽内存、SOCAMM2 内存模块以及业内首款 PCIe 第六代数据中心固态硬盘，均已实现大规模量产并开启批量出货，全系列产品均为英伟达 Vera Rubin AI 平台量身打造，将为智能体 AI、高性能计算等负载提供核心存储算力支撑。核心产品量产信息HBM4 高带宽内存首批量产的为 36GB 12 层堆叠版本，已于 2026 年第一季度出货，引脚速率超 11Gb/s，可提供超 2.8TB/s 的内
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第六代固态硬盘
随着人工智能热潮推动存储需求增长，半导体设备制造商在收获红利的同时，也在加深与头部存储厂商的合作。据路透社报道，应用材料（Applied Materials）已与美光科技（Micron）、SK 海力士达成合作，共同开发对人工智能与高性能计算至关重要的下一代芯片。3 月 10 日，应用材料发布新闻稿称，已与 SK 海力士签署长期合作协议，加速 DRAM 与 HBM 技术研发。双方将在应用材料新建的研发中心 ——设备与工艺创新与商业化中心（EPIC Center），聚焦存储材料、工艺整合及 3D 先进封装技术
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应用材料公司今日宣布，正与美光科技展开合作，研发新一代动态随机存取存储器、高带宽内存及闪存解决方案，以提升人工智能系统的高能效表现。双方整合了应用材料位于硅谷的 EPIC 创新中心的先进研发能力，以及美光位于爱达荷州博伊西的顶尖创新中心资源，助力巩固美国半导体领域的创新研发体系。应用材料总裁兼首席执行官加里・迪克森表示：“应用材料与美光长期保持合作关系，始终致力于通过突破材料工程与制造创新的边界，打造性能更优、能效更高的先进存储芯片。下一代存储技术在人工智能系统的未来发展中愈发关键，我们十分欣喜能以 EP
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新闻亮点：· 采用业界首款单晶粒 32Gb LPDDR5X，相较标准 RDIMM，功耗降至其 1/3，尺寸亦缩小至其 1/3· 长上下文 LLM 推理的首个 token 生成时间加速 2.3 倍，在独立 CPU 应用中，每瓦性能提升 3 倍· 单一模组容量提升 1.33 倍 — 每颗 8 通道服务器 CPU 可配置 2TB LPDRAM，适用于 AI 及高性能计算（HPC）场景2026 年 3 月 5 日，爱达荷州博伊西市 — 美光科技股份有限公司（纳斯达克股票代码：MU）近日宣布开始向客户送样业界容量领
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随着人工智能 (AI) 的快速发展，以及汽车行业向集中式计算和分区架构演进，内存市场正在发生重大变化。如今的汽车已成为车轮上的数据中心——需要同时处理来自数十个高分辨率传感器的数据流、运行高级驾驶辅助系统 (ADAS)，并实现沉浸式驾驶舱体验，所有这些都对车载内存的带宽、可靠性和功能安全提出了更高需求。与此同时，车辆和数据中心环境中的 AI 工作负载正在推动实现大量创新应用，不仅需要更多内存，还需要性能更高、更安全、更高效的内存解决方案。与这些趋势相伴的，是产品设计周期的大幅缩短。汽车 OEM 厂商和 A
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最新拆解报告显示，影驰GeForce RTX 5060 Black OC V2显卡首次采用了美光的GDDR7显存模块。这一举措标志着英伟达在RTX 50系列显卡中正式引入第三家核心供应商，结束了此前仅依赖三星和SK海力士的局面。 据相关消息，自2025年10月以来，由于GDDR7显存供应短缺，英伟达显卡的价格已上涨至少15%。尽管美光的加入有助于缓解供应压力，但短期内市场缺口仍然显著。与此同时，美光还推出了速率达36Gbps的24Gb GDDR7显存，虽然目前并未应用于桌面版RTX 50系列显卡
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总部位于美国的第三大DRAM供应商美光可能会被排除在英伟达的首批第六代高带宽内存（HBM4）供应链之外，预计英伟达、AMD等公司下一代AI芯片的HBM4供应将由韩国企业三星、SK海力士瓜分。但也有观点认为美光被排除在初始供应链之外的可能性很低，因为英伟达正在寻求使其HBM4市场的供应商多元化。半导体分析公司SemiAnalysis将美光在英伟达下一代AI芯片Vera Rubin的HBM4市场份额下调至0%，“目前没有迹象表明英伟达向美光订购HBM4”，并预测SK海力士将占据英伟达HBM4供应的70%份额，
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人工智能竞赛的最大赢家是谁？人工智能超级周期正在重塑半导体和电子产业，人工智能基础设施的大规模建设让整个供应链承压。集邦咨询的预估数据显示，尽管英伟达等人工智能加速器研发企业正借人工智能热潮赚得盆满钵满，但存储芯片厂商才是最大的获利者。究其原因，除大宗商品市场的运行规律外，存储芯片厂商与芯片代工厂的商业模式、扩张策略存在本质差异，是造就这一结果的关键。需求激增，供应告急集邦咨询预测，2026 年全球芯片代工市场营收预计为 2187 亿美元，而 3D NAND 闪存和 DRAM 动态随机存取存储器的营收总额
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美光科技在新加坡为一座全新的先进晶圆制造工厂举行奠基仪式，借此扩大其在亚洲的生产布局，以应对人工智能驱动下持续激增的存储芯片需求。该晶圆厂将建于美光现有的 NAND 闪存制造园区内，是美光在美国本土以外规模最大的长期投资项目之一。这一项目清晰传递出头部存储芯片厂商的长期战略布局方向：深耕先进 NAND 闪存技术、推动研发与制造深度融合、打造地理多元化的供应链体系，为人工智能及数据中心相关系统提供支撑。240 亿美元十年投资，打造新加坡首座双层晶圆厂该新工厂规划十年总投资约 240 亿美元，最终将建成约 7
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1月最后一个交易日存储价格突然受到AI需求可能紧缩的影响出现暴跌，虽然这波行情可能属于短期震荡，但这还是为很多存储厂商亮丽的年报蒙上一层阴影
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美光新加坡工厂预计将于 2028 年下半年投产晶圆。
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近日有传闻称，美光科技可能将其已停产的1y纳米制程技术授权给力积电。若消息属实，此举将助力力积电在DDR4量产方面取得更大进展。 据公开信息显示，力积电与美光科技于1月17日签署了一份独家意向书（LOI，Letter of Intent）。根据协议，美光科技将以18亿美元现金收购力积电位于中国台湾苗栗县铜锣的P5晶圆厂的厂房及厂务设施（不包括生产相关机器设备）。此外，双方还将建立长期的晶圆代工合作关系，专注于DRAM先进封装领域。同时，美光科技将协助力积电在其新竹P3厂优化现有的利基型DRAM制
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纳米制程
财联社1月19日讯（编辑 赵昊）美光科技高管最新表示，存储芯片的短缺情况在过去一个季度明显加速，并重申由于AI基础设施对高端半导体需求激增，这一紧缺状况将持续到今年以后。当地时间周五（1月16日），美光科技全球运营执行副总裁Manish Bhatia在接受采访时表示：“我们当前看到的短缺情况，确实是前所未有的。”——这一表述也与美光上月做出的预测相呼应。Bhatia在最新的讲话中指出，用于人工智能加速器的HBM（高带宽存储）“消耗了整个行业大量可用产能，导致传统行业领域——例如智能手机和个人电脑——出现巨
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随着美光准备于1月16日动工纽约大型晶圆厂，公司对全球记忆市场的前景仍备受关注。Wccftech援引美光移动与客户端业务部市场副总裁Christopher Moore的话，强调鉴于晶圆厂扩建和认证流程的复杂性，持续的内存短缺不太可能在2028年前缓解。新Fabs缓慢以缓解供应紧张美光的谨慎前景与其长期扩张路线图相符。据 syracuse.com 称，公司在纽约的首家工厂计划于2030年建成，第二家工厂预计2033年，第四家工厂预计于2045年建成。与此同时，预计2027年开始生产爱达荷
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存储
2026 年 1 月 7 日，爱达荷州博伊西市 —— 美光科技股份有限公司（纳斯达克股票代码：MU）今日宣布推出美光 3610 NVMe™ SSD，这是业界首款面向客户端计算的 PCIe® 5.0 QLC SSD。这一突破性产品重新定义了主流 PC 和超薄笔记本电脑的性能、效率和容量。3610 SSD 基于久经市场考验的美光 G9 NAND 打造，顺序读取速率高达 11,000 MB/s，顺序写入
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美光刚刚发布了3610 SSD，该SSD支持PCIe 5.0速度，采用了更高密度的四层单元（QLC）芯片。根据公司新闻稿，该芯片采用了G9 NAND，使其能够在同等占用空间内实现竞争性的PCIe 5.0性能。因此，美光表示这是全球首款以紧凑单面M.2 2230形态提供4TB内存的固态硬盘，使制造商能够在轻薄笔记本和掌上设备中集成更多内存。除了更高的存储密度外，它还被宣传为每瓦性能提升43%，以提升电力效率和电池续航。美光移动与客户业务部高级副总裁Mark Montierth表示：“3610 SSD结合了最
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QLC SSD
美光宣布了一款面向客户端计算的PCIe Gen5 G9 QLC SSD。基于美光G9 NAND构建的3610 NVMe SSD实现了最高11,000 MB/s的连续读取速度和9,300 MB/s的连续写入速度。它提供4TB单面M.2 2230机型，适合超薄笔记本和具备AI功能的设备。它提供150万IOPS随机读取和160万IOPS随机写入。它采用无 DRAM 架构，采用主机内存缓冲区（HMB）和 DEVSLP 低功耗状态，声称与第四代 TLC 相比，每瓦性能提升了 43%。它在三秒内加载200亿参数的AI
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汽车计算大会（Automotive Computing Conference，ACC） — 美光科技股份有限公司（纳斯达克股票代码：MU）近日宣布，其车用通用闪存（UFS）4.1 解决方案的认证样品已开始向全球客户出货。该产品旨在为下一代车辆提供快速的数据访问、卓越的可靠性，以及强化的功能与网络安全性能。美光车用 UFS 4.1 提供高达 4.2 GB/s 的带宽，是前代产品的两倍。这一性能优势可提升 AI 模型的数
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纽约州锡拉丘兹——美光科技在今天公开的一份报告中表示，该公司将在克莱的前两家芯片制造工厂的开业时间推迟两到三年。这意味着第一家工厂要到美光于 2022 年宣布计划在纽约中部建设八年后才会开业。美光今年早些时候表示，第一家制造工厂或晶圆厂计划于 2028 年年中开业。现在开放时间已推迟到 2030 年底。该公司在今天发布的该项目最终环境报告中表示，第二座晶圆厂的完工已从 2030 年底推迟到 2033 年底。环境报告今天被奥农达加县工业发展局正式接受并公布。接受该报告是美光推进场地准备和建设计划的关键一步。
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随着AI的蓬勃发展，内存行业的供需进一步紧张，HBM仍然是一项关键资源。存储龙头三星正致力于重夺主导地位。预计到2026年，HBM3E的平均价格将下降，在其12层HBM3E认证延迟后，三星推出比竞争对手低约30%的降价策略，试图迎头赶上。SK海力士于2024年下半年开始量产12层HBM3E，美光则于2025年初成功通过认证，推动了全年强劲的收入和利润增长。2025年第四季度，三星的12层HBM3E开始向英伟达出货。尽管该季度的预计出货量达到数万片，但相对于其两大主要竞争对手而言，仍然为时已晚。三星数月来一
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美光宣布推出全球首款192GB SOCAMM2，并正式送样给客户，进一步拓展该公司低功耗内存，于AI数据中心的应用版图。该产品采用美光最新1γ（1-gamma）制程技术，能源效率提升逾20%，并在相同尺寸下提供50%更高容量。SOCAMM2延续美光首代LPDRAM SOCAMM设计，强化带宽与功耗表现。由于容量扩增，该模块可使AI推论中首个token生成时间（TTFT）缩短超过80%，大幅提升实时推论效能。在全机柜AI部署架构下，SOCAMM2可支持超过40TB的CPU直连主内存，使其节能优势更为显著。
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2025年 10 月 23 日，爱达荷州博伊西市 — 在当今时代，人工智能（AI）实现了前所未有的创新和发展，整个数据中心生态系统正在向更节能的基础设施转型，以支持可持续增长。随着内存在 AI 系统中逐渐发挥越来越重要的作用，低功耗内存解决方案已成为这一转型的核心。美光科技股份有限公司（纳斯达克股票代码：MU）近日宣布其 192GB SOCAMM2（small outline compression attached memory modules，小型压缩附加内存模块）已正式送样，以积极拓展低功耗内存在
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Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）旗下品牌 Crucial® 英睿达™ 推出DDR5 Pro 超频 （OC） 6400 CL32 游戏 DRAM，进一步兑现对游戏玩家的承诺。这款新内存专为技术发烧友设计，提供 32GB 套件或 16GB 单条模块[2]，速度更快、延迟更低，且采用大胆的新设计，使外观和性能一样优越。此次发布巩固了 Cruci
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