美光科技在新加坡为一座全新的先进晶圆制造工厂举行奠基仪式，借此扩大其在亚洲的生产布局，以应对人工智能驱动下持续激增的存储芯片需求。该晶圆厂将建于美光现有的 NAND 闪存制造园区内，是美光在美国本土以外规模最大的长期投资项目之一。这一项目清晰传递出头部存储芯片厂商的长期战略布局方向：深耕先进 NAND 闪存技术、推动研发与制造深度融合、打造地理多元化的供应链体系，为人工智能及数据中心相关系统提供支撑。240 亿美元十年投资，打造新加坡首座双层晶圆厂该新工厂规划十年总投资约 240 亿美元，最终将建成约 7
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1月最后一个交易日存储价格突然受到AI需求可能紧缩的影响出现暴跌，虽然这波行情可能属于短期震荡，但这还是为很多存储厂商亮丽的年报蒙上一层阴影
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美光新加坡工厂预计将于 2028 年下半年投产晶圆。
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近日有传闻称，美光科技可能将其已停产的1y纳米制程技术授权给力积电。若消息属实，此举将助力力积电在DDR4量产方面取得更大进展。 据公开信息显示，力积电与美光科技于1月17日签署了一份独家意向书（LOI，Letter of Intent）。根据协议，美光科技将以18亿美元现金收购力积电位于中国台湾苗栗县铜锣的P5晶圆厂的厂房及厂务设施（不包括生产相关机器设备）。此外，双方还将建立长期的晶圆代工合作关系，专注于DRAM先进封装领域。同时，美光科技将协助力积电在其新竹P3厂优化现有的利基型DRAM制
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财联社1月19日讯（编辑 赵昊）美光科技高管最新表示，存储芯片的短缺情况在过去一个季度明显加速，并重申由于AI基础设施对高端半导体需求激增，这一紧缺状况将持续到今年以后。当地时间周五（1月16日），美光科技全球运营执行副总裁Manish Bhatia在接受采访时表示：“我们当前看到的短缺情况，确实是前所未有的。”——这一表述也与美光上月做出的预测相呼应。Bhatia在最新的讲话中指出，用于人工智能加速器的HBM（高带宽存储）“消耗了整个行业大量可用产能，导致传统行业领域——例如智能手机和个人电脑——出现巨
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随着美光准备于1月16日动工纽约大型晶圆厂，公司对全球记忆市场的前景仍备受关注。Wccftech援引美光移动与客户端业务部市场副总裁Christopher Moore的话，强调鉴于晶圆厂扩建和认证流程的复杂性，持续的内存短缺不太可能在2028年前缓解。新Fabs缓慢以缓解供应紧张美光的谨慎前景与其长期扩张路线图相符。据 syracuse.com 称，公司在纽约的首家工厂计划于2030年建成，第二家工厂预计2033年，第四家工厂预计于2045年建成。与此同时，预计2027年开始生产爱达荷
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2026 年 1 月 7 日，爱达荷州博伊西市 —— 美光科技股份有限公司（纳斯达克股票代码：MU）今日宣布推出美光 3610 NVMe™ SSD，这是业界首款面向客户端计算的 PCIe® 5.0 QLC SSD。这一突破性产品重新定义了主流 PC 和超薄笔记本电脑的性能、效率和容量。3610 SSD 基于久经市场考验的美光 G9 NAND 打造，顺序读取速率高达 11,000 MB/s，顺序写入
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美光刚刚发布了3610 SSD，该SSD支持PCIe 5.0速度，采用了更高密度的四层单元（QLC）芯片。根据公司新闻稿，该芯片采用了G9 NAND，使其能够在同等占用空间内实现竞争性的PCIe 5.0性能。因此，美光表示这是全球首款以紧凑单面M.2 2230形态提供4TB内存的固态硬盘，使制造商能够在轻薄笔记本和掌上设备中集成更多内存。除了更高的存储密度外，它还被宣传为每瓦性能提升43%，以提升电力效率和电池续航。美光移动与客户业务部高级副总裁Mark Montierth表示：“3610 SSD结合了最
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美光宣布了一款面向客户端计算的PCIe Gen5 G9 QLC SSD。基于美光G9 NAND构建的3610 NVMe SSD实现了最高11,000 MB/s的连续读取速度和9,300 MB/s的连续写入速度。它提供4TB单面M.2 2230机型，适合超薄笔记本和具备AI功能的设备。它提供150万IOPS随机读取和160万IOPS随机写入。它采用无 DRAM 架构，采用主机内存缓冲区（HMB）和 DEVSLP 低功耗状态，声称与第四代 TLC 相比，每瓦性能提升了 43%。它在三秒内加载200亿参数的AI
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汽车计算大会（Automotive Computing Conference，ACC） — 美光科技股份有限公司（纳斯达克股票代码：MU）近日宣布，其车用通用闪存（UFS）4.1 解决方案的认证样品已开始向全球客户出货。该产品旨在为下一代车辆提供快速的数据访问、卓越的可靠性，以及强化的功能与网络安全性能。美光车用 UFS 4.1 提供高达 4.2 GB/s 的带宽，是前代产品的两倍。这一性能优势可提升 AI 模型的数
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纽约州锡拉丘兹——美光科技在今天公开的一份报告中表示，该公司将在克莱的前两家芯片制造工厂的开业时间推迟两到三年。这意味着第一家工厂要到美光于 2022 年宣布计划在纽约中部建设八年后才会开业。美光今年早些时候表示，第一家制造工厂或晶圆厂计划于 2028 年年中开业。现在开放时间已推迟到 2030 年底。该公司在今天发布的该项目最终环境报告中表示，第二座晶圆厂的完工已从 2030 年底推迟到 2033 年底。环境报告今天被奥农达加县工业发展局正式接受并公布。接受该报告是美光推进场地准备和建设计划的关键一步。
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随着AI的蓬勃发展，内存行业的供需进一步紧张，HBM仍然是一项关键资源。存储龙头三星正致力于重夺主导地位。预计到2026年，HBM3E的平均价格将下降，在其12层HBM3E认证延迟后，三星推出比竞争对手低约30%的降价策略，试图迎头赶上。SK海力士于2024年下半年开始量产12层HBM3E，美光则于2025年初成功通过认证，推动了全年强劲的收入和利润增长。2025年第四季度，三星的12层HBM3E开始向英伟达出货。尽管该季度的预计出货量达到数万片，但相对于其两大主要竞争对手而言，仍然为时已晚。三星数月来一
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美光宣布推出全球首款192GB SOCAMM2，并正式送样给客户，进一步拓展该公司低功耗内存，于AI数据中心的应用版图。该产品采用美光最新1γ（1-gamma）制程技术，能源效率提升逾20%，并在相同尺寸下提供50%更高容量。SOCAMM2延续美光首代LPDRAM SOCAMM设计，强化带宽与功耗表现。由于容量扩增，该模块可使AI推论中首个token生成时间（TTFT）缩短超过80%，大幅提升实时推论效能。在全机柜AI部署架构下，SOCAMM2可支持超过40TB的CPU直连主内存，使其节能优势更为显著。
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2025年 10 月 23 日，爱达荷州博伊西市 — 在当今时代，人工智能（AI）实现了前所未有的创新和发展，整个数据中心生态系统正在向更节能的基础设施转型，以支持可持续增长。随着内存在 AI 系统中逐渐发挥越来越重要的作用，低功耗内存解决方案已成为这一转型的核心。美光科技股份有限公司（纳斯达克股票代码：MU）近日宣布其 192GB SOCAMM2（small outline compression attached memory modules，小型压缩附加内存模块）已正式送样，以积极拓展低功耗内存在
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美光 SOCAMM2 DRAM
Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）旗下品牌 Crucial® 英睿达™ 推出DDR5 Pro 超频 （OC） 6400 CL32 游戏 DRAM，进一步兑现对游戏玩家的承诺。这款新内存专为技术发烧友设计，提供 32GB 套件或 16GB 单条模块[2]，速度更快、延迟更低，且采用大胆的新设计，使外观和性能一样优越。此次发布巩固了 Cruci
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