4月2日，据外资投行摩根士丹利针对美光科技（Micron）的跟踪报告显示，美光董事长兼CEO Sanjay Mehrotra在近期投资人会议中透露，尽管美光正在加速扩产DRAM，但新产能最快要到2027年底才能出货。因此，DRAM供不应求的局面将持续至2027年。此外，部分关键半导体设备的产能不足也是导致这一现象的重要原因。 目前，人工智能芯片对高带宽内存（HBM）的强劲需求，成为DRAM市场供不应求的核心瓶颈。美光计划在2025年第三季度将其HBM市场份额提升至与整体DRAM市场份额持平的水平
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美光新加坡 240 亿美元晶圆厂或需 500 台变压器，单厂需求超任一厂商产能两倍 —— 重型电力基础设施成 AI 芯片扩建新瓶颈.据《电子时报》援引行业消息人士称，美光计划在新加坡投资 240 亿美元扩建 NAND 闪存产线，该项目将需要 400 至 500 台电力变压器，远超标准晶圆厂通常所需的 100 至 150 台，这一需求规模甚至超过了中国台湾地区任何一家变压器制造商的年产能，也让重型电力设备成为人工智能驱动下半导体产业扩建的新瓶颈。美光如此庞大的需求，折射出与人工智能产业绑定的现代存储器晶圆厂
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美光首席执行官桑杰・梅赫罗特拉表示，随着车企推出 L4 级自动驾驶车型，未来汽车所需的内存容量最终将突破 300GB。据《英国登记册》报道，梅赫罗特拉是在美光发布季度财报后作出该表态的。财报显示，美光今年第二季度营收达 238.6 亿美元，较 2025 年第二季度的 80.3 亿美元实现了 200% 的大幅增长。此次营收暴涨，核心驱动力仍是人工智能超大规模运算厂商对高端高带宽存储（HBM）芯片的海量需求，同时叠加行业结构性供应短缺与美光自身全方位的出色运营表现。在借人工智能基础设施建设持续盈利的同时，美光
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2026 年 3 月 16 日，美光科技在英伟达 GTC 2026 大会上正式发布重磅消息：旗下HBM4 高带宽内存、SOCAMM2 内存模块以及业内首款 PCIe 第六代数据中心固态硬盘，均已实现大规模量产并开启批量出货，全系列产品均为英伟达 Vera Rubin AI 平台量身打造，将为智能体 AI、高性能计算等负载提供核心存储算力支撑。核心产品量产信息HBM4 高带宽内存首批量产的为 36GB 12 层堆叠版本，已于 2026 年第一季度出货，引脚速率超 11Gb/s，可提供超 2.8TB/s 的内
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随着人工智能热潮推动存储需求增长，半导体设备制造商在收获红利的同时，也在加深与头部存储厂商的合作。据路透社报道，应用材料（Applied Materials）已与美光科技（Micron）、SK 海力士达成合作，共同开发对人工智能与高性能计算至关重要的下一代芯片。3 月 10 日，应用材料发布新闻稿称，已与 SK 海力士签署长期合作协议，加速 DRAM 与 HBM 技术研发。双方将在应用材料新建的研发中心 ——设备与工艺创新与商业化中心（EPIC Center），聚焦存储材料、工艺整合及 3D 先进封装技术
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应用材料公司今日宣布，正与美光科技展开合作，研发新一代动态随机存取存储器、高带宽内存及闪存解决方案，以提升人工智能系统的高能效表现。双方整合了应用材料位于硅谷的 EPIC 创新中心的先进研发能力，以及美光位于爱达荷州博伊西的顶尖创新中心资源，助力巩固美国半导体领域的创新研发体系。应用材料总裁兼首席执行官加里・迪克森表示：“应用材料与美光长期保持合作关系，始终致力于通过突破材料工程与制造创新的边界，打造性能更优、能效更高的先进存储芯片。下一代存储技术在人工智能系统的未来发展中愈发关键，我们十分欣喜能以 EP
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新闻亮点：· 采用业界首款单晶粒 32Gb LPDDR5X，相较标准 RDIMM，功耗降至其 1/3，尺寸亦缩小至其 1/3· 长上下文 LLM 推理的首个 token 生成时间加速 2.3 倍，在独立 CPU 应用中，每瓦性能提升 3 倍· 单一模组容量提升 1.33 倍 — 每颗 8 通道服务器 CPU 可配置 2TB LPDRAM，适用于 AI 及高性能计算（HPC）场景2026 年 3 月 5 日，爱达荷州博伊西市 — 美光科技股份有限公司（纳斯达克股票代码：MU）近日宣布开始向客户送样业界容量领
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随着人工智能 (AI) 的快速发展，以及汽车行业向集中式计算和分区架构演进，内存市场正在发生重大变化。如今的汽车已成为车轮上的数据中心——需要同时处理来自数十个高分辨率传感器的数据流、运行高级驾驶辅助系统 (ADAS)，并实现沉浸式驾驶舱体验，所有这些都对车载内存的带宽、可靠性和功能安全提出了更高需求。与此同时，车辆和数据中心环境中的 AI 工作负载正在推动实现大量创新应用，不仅需要更多内存，还需要性能更高、更安全、更高效的内存解决方案。与这些趋势相伴的，是产品设计周期的大幅缩短。汽车 OEM 厂商和 A
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最新拆解报告显示，影驰GeForce RTX 5060 Black OC V2显卡首次采用了美光的GDDR7显存模块。这一举措标志着英伟达在RTX 50系列显卡中正式引入第三家核心供应商，结束了此前仅依赖三星和SK海力士的局面。 据相关消息，自2025年10月以来，由于GDDR7显存供应短缺，英伟达显卡的价格已上涨至少15%。尽管美光的加入有助于缓解供应压力，但短期内市场缺口仍然显著。与此同时，美光还推出了速率达36Gbps的24Gb GDDR7显存，虽然目前并未应用于桌面版RTX 50系列显卡
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总部位于美国的第三大DRAM供应商美光可能会被排除在英伟达的首批第六代高带宽内存（HBM4）供应链之外，预计英伟达、AMD等公司下一代AI芯片的HBM4供应将由韩国企业三星、SK海力士瓜分。但也有观点认为美光被排除在初始供应链之外的可能性很低，因为英伟达正在寻求使其HBM4市场的供应商多元化。半导体分析公司SemiAnalysis将美光在英伟达下一代AI芯片Vera Rubin的HBM4市场份额下调至0%，“目前没有迹象表明英伟达向美光订购HBM4”，并预测SK海力士将占据英伟达HBM4供应的70%份额，
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人工智能竞赛的最大赢家是谁？人工智能超级周期正在重塑半导体和电子产业，人工智能基础设施的大规模建设让整个供应链承压。集邦咨询的预估数据显示，尽管英伟达等人工智能加速器研发企业正借人工智能热潮赚得盆满钵满，但存储芯片厂商才是最大的获利者。究其原因，除大宗商品市场的运行规律外，存储芯片厂商与芯片代工厂的商业模式、扩张策略存在本质差异，是造就这一结果的关键。需求激增，供应告急集邦咨询预测，2026 年全球芯片代工市场营收预计为 2187 亿美元，而 3D NAND 闪存和 DRAM 动态随机存取存储器的营收总额
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美光科技在新加坡为一座全新的先进晶圆制造工厂举行奠基仪式，借此扩大其在亚洲的生产布局，以应对人工智能驱动下持续激增的存储芯片需求。该晶圆厂将建于美光现有的 NAND 闪存制造园区内，是美光在美国本土以外规模最大的长期投资项目之一。这一项目清晰传递出头部存储芯片厂商的长期战略布局方向：深耕先进 NAND 闪存技术、推动研发与制造深度融合、打造地理多元化的供应链体系，为人工智能及数据中心相关系统提供支撑。240 亿美元十年投资，打造新加坡首座双层晶圆厂该新工厂规划十年总投资约 240 亿美元，最终将建成约 7
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1月最后一个交易日存储价格突然受到AI需求可能紧缩的影响出现暴跌，虽然这波行情可能属于短期震荡，但这还是为很多存储厂商亮丽的年报蒙上一层阴影
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美光新加坡工厂预计将于 2028 年下半年投产晶圆。
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近日有传闻称，美光科技可能将其已停产的1y纳米制程技术授权给力积电。若消息属实，此举将助力力积电在DDR4量产方面取得更大进展。 据公开信息显示，力积电与美光科技于1月17日签署了一份独家意向书（LOI，Letter of Intent）。根据协议，美光科技将以18亿美元现金收购力积电位于中国台湾苗栗县铜锣的P5晶圆厂的厂房及厂务设施（不包括生产相关机器设备）。此外，双方还将建立长期的晶圆代工合作关系，专注于DRAM先进封装领域。同时，美光科技将协助力积电在其新竹P3厂优化现有的利基型DRAM制
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