- 自力积电官网获悉，力积电Logic-DRAM多层晶圆堆叠技术获AMD等美、日大厂采用，将结合一线晶圆代工厂的先进逻辑制程，开发高带宽、高容量、低功耗的3D AI芯片，发挥3D晶圆堆叠的优势，为大型语言模型人工智能（LLM_AI）应用及AI PC提供低成本、高效能的解决方案。同时针对GPU与HBM（高带宽内存）的高速传输需求，力积电推出的高密度电容IPD的2.5D Interposer（中间层），也通过国际大厂认证，将在该公司铜锣新厂导入量产。
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- IT之家 2 月 8 日消息，据日经新闻近日报道，晶圆代工企业力积电计划今年上半年与日企 Power Spin 达成合作，目标 2029 年实现 MRAM 内存量产。双方的合作中，Power Spin 将提供 MRAM 相关 IP 授权，力积电进行进一步的量产化研发和试产，最终达到量产目标。▲ 力积电商标据了解，Power Spin 由日本东北大学于 2019 年成立，持有 STT-MRAM 相关技术。▲ Power Spin 商标MRAM 内存是一种非易失性内存，其在拥有高
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- 12月13日消息，力积电将借助日本新建工厂大幅发展期汽车半导体业务。力积电首席执行官黄崇仁在接受媒体采访时表示：“日本有巨大的机会”，日本具有广阔的市场前景和众多车企聚集的地域优势。他补充表示，“目前汽车产品仅占我们销售额的8%，通过进军日本市场，我们计划在未来将这一比例提高到30%”。为了更好地进入日本市场，力积电计划与金融集团SBI Holdings共同投资8000亿日元（约合55亿美元）建立合资企业，在日本宫城县大平市建造新厂。第一阶段，该公司将投资4200亿日元，从2027年开始以每月1万片的规模
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- 中国晶圆厂投资的重点放继续放在成熟技术。
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- 在5G、AI、IoT可说是近几年半导体产业最热门的议题的情况下，为因应5G时代AI边缘运算需求持续增加，如何提升IoT芯片AI运算效率却不增加功耗，已成为IC设计产业难题。对此，力积电董事长黄崇仁表示，透过力积电新开发的AI芯片，可以有效降低AIoT应用服务设备开发成本。
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