美光宣布 HBM4、SOCAMM2 内存模块及 PCIe 第六代固态硬盘实现大规模量产

2026 年 3 月 16 日，美光科技在英伟达 GTC 2026 大会上正式发布重磅消息：旗下HBM4 高带宽内存、SOCAMM2 内存模块以及业内首款 PCIe 第六代数据中心固态硬盘，均已实现大规模量产并开启批量出货，全系列产品均为英伟达 Vera Rubin AI 平台量身打造，将为智能体 AI、高性能计算等负载提供核心存储算力支撑。

核心产品量产信息

1. HBM4 高带宽内存

首批量产的为 36GB 12 层堆叠版本，已于 2026 年第一季度出货，引脚速率超 11Gb/s，可提供超 2.8TB/s 的内存带宽，相较上一代 HBM3E，带宽提升 2.3 倍，功耗效率优化超 20%；同时美光已向客户交付 48GB 16 层堆叠版本的 HBM4 样品，单颗容量较 12 层版本提升 33%，为更高规格算力需求预留性能空间。

1. SOCAMM2 内存模块

192GB 版本率先量产，将应用于英伟达 Vera Rubin NVL72 系统及独立 Vera CPU 平台，单颗 CPU 可支持最高 2TB 内存容量与 1.2TB/s 带宽；该产品线容量覆盖 48GB 至 256GB，可适配不同规模 AI 服务器配置，兼顾低功耗与大容量需求。

1. PCIe 第六代固态硬盘（Micron 9650）

作为业内首款量产的 PCIe 6.0 数据中心 SSD，产品针对英伟达 BlueField-4 STX 架构深度优化，顺序读取速度最高达 28GB/s，随机读取性能 550 万 IOPS，相较 PCIe 5.0 产品读取性能翻倍，单位功耗性能提升 100%，同时适配液冷环境，完美契合 AI 训练、推理等低延迟、高吞吐的负载需求。

美光科技执行副总裁兼首席商务官苏米特・萨达纳表示，AI 的下一个时代将由生态协同创新的深度集成平台定义，美光与英伟达的紧密合作实现了计算与存储从设计之初的协同扩展；HBM4 作为 AI 算力的核心引擎，结合量产的 SOCAMM2 与 PCIe 6.0 SSD，将成为解锁下一代 AI 潜力的核心存储基础。