三芯齐发 —— 从单一SoC到全场景算力底座。2026年8月24日，小米在北京举行玄戒芯片技术沟通会，一次性发布三颗自研芯片：第二代3nm旗舰SoC玄戒O3、全球首颗6nm晶圆级三层堆栈近存AI加速芯片玄戒O100、以及中国首颗3nm智驾级大算力芯片玄戒D100。三款芯片分别瞄准消费电子主芯片、AI推理加速和汽车智能驾驶三个方向，标志着玄戒已从单一手机芯片设计突破为支撑小米「人车家全生态」的AI算力底座。根据产品落地计划，玄戒O3将于9月搭载于小米18 Fold折叠屏手机率先亮相，而玄戒O100和D100
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小米
玄戒
3nm
折叠屏
供应链消息称，台积电计划于下半年再度上调3nm制程报价，涨幅最高达15%，明年可能进一步上涨5%至10%。这一轮涨价并非单一客户拉货所致，而是AI时代先进制程供需结构发生根本性转变的集中体现。AI热潮已经不只推高GPU价格，也开始系统性推高上游晶圆代工价格。过去3nm制程的主要支撑来自智能手机SoC，需求结构相对单一。但随着AI服务器平台更新周期全面启动，包括英伟达、AMD、谷歌、AWS以及多家云服务提供商在内的科技公司正在加速采用3nm工艺，使台积电3nm主生产基地Fab 18的产能利用率居高不下，并出
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台积电
3nm
联华电子今(14)日宣布推出用于显示驱动IC的14奈米嵌入式高压(eHV) FinFET技术平台，并可提供制程设计套件(Process Design Kit, PDK)供客户进行设计导入。此全新制程已于联电12A厂完成验证，可提升电源效率与效能，同时缩小芯片尺寸，助力新一代显示技术的发展。相较于联电目前量产中最先进的22奈米制程eHV解决方案，14奈米eHV FinFET平台可降低40%的功耗与缩小35%的芯片面积，进一步延长电池续航力，并支援更小型、轻薄的驱动模块设计，以提供高阶与摺叠式OLED智能型手
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联电
14nm eHV FinFET
手机显示
台积电并没有急着把High-NA EUV（高数值孔径极紫外光）光刻技术放进2029年前的量产节点。作为对比，英特尔则更早导入High-NA设备。两家公司真正的差异，不只是设备选择，而是量产节奏、成本和良率风险的取舍。
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台积电
英特尔
High-NA
EUV
先进制程
3nm
三星
3月4日消息，小米集团总裁卢伟冰在接受采访时透露，小米芯片、操作系统以及自研AI大模型将在今年内迎来一次具有里程碑意义的大会师。这意味着在不久后的同一款终端产品上，这三大核心技术将实现深度的整合与协同。这次大会师不是单纯的技术堆叠，而是意味着小米正在构建起一套完整的自研技术栈。通过软硬件与AI能力的底层打通，小米产品将具备更强的自主掌控力和性能表现。据博主数码闲聊站透露，小米在今年肯定会推出全新的玄戒芯片，该芯片将采用台积电3纳米工艺制程制造，可能会命名为玄戒O2。这颗芯片的应用范围将不再局限于智能手机，
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玄戒O2
台积电
3nm
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Soc
台积电公布了最新的月度营收报告。数据显示，台积电2026年1月合并营收突破4000亿元台币大关，达到了4012.6亿元台币，同比增长36.8%，环比增长19.8%，再创单月历史新高纪录。此前的最高纪录是2025年10月创下的，当月营收为3674.7亿元台币。2025年全年，台积电累计营收约为38090.54亿元台币，同比增长31.6%。尽管存在AI泡沫担忧，但全球科技巨头并未减少芯片订单。台积电预期在2024年至2029年的五年期间，AI业务的年复合成长率将达到中到高双位数（即50%以上）。面对分析师提出
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台积电
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晶圆厂
1月28日消息，去年5月，小米正式推出自主研发的旗舰SoC——玄戒O1，这颗芯片由玄戒团队自主设计，采用台积电第二代3nm工艺，CPU和GPU都采用了Arm方案，多核跑分成绩超过9000分，跻身行业第一梯队。但小米并未大范围在其自家产品上应用玄戒O1，仅小米15S Pro及小米平板7 Ultra等少量产品搭载。小米创办人雷军曾在接受采访时表示，研芯片需要有三到四年的研发周期，第一代是在验证技术，所以预定数量少，下一步我们会全部自研四合一的域控制，为将来小米自研芯片上车做好准备。进入2026年，小米玄戒O2
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小米
旗舰芯片
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3nm
工艺
台积电后市受到台股投资人高度关注，多家投顾看好明年股价续创新高，甚至被喊上2000元。 对此，法人认为，比起先进封装产能供不应求，明年真正的瓶颈会是3纳米产能，受到瞩目。市场多半看好台积电明年改写1525元历史天价，永丰投顾开出目标价1917元; 第一金也给予1800元目标价; 摩根士丹利（大摩）给出1688元目标。 台新新光金控首席经济学家李镇宇则认为，台积电涨到2千元是迟早的问题，但关税战和232条款要赶快落幕。台积电持续受惠人工智能热潮，先进制程与先进封装订单满载，工商报导，腾旭投资投资长程正桦分析
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产能
台积电位于美国亚利桑那州的工厂正面临严峻的财务压力，数据显示该工厂的利润呈断崖式下滑 —— 2025年第二季度盈利42.32亿新台币（现约合9.68亿元人民币），而在第三季度骤降至仅4100万新台币（现约合938.1万元人民币），降幅达到99%。美国业务成本持续高企利润下滑的核心原因在于，台积电正加速推进其亚利桑那二厂向3nm等高端制程节点的转型。与专注于成熟制程并取得成功的一厂不同，二厂的目标是满足由AI热潮驱动的、对尖端芯片不断增长的客户需求。转向先进制程意味着必须投入极其昂贵的工艺设备，从而大幅推高
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台积电
3nm
晶圆厂
面对英伟达等AI芯片大客户对先进制程的爆炸性需求，台积电的先进制程产能正全面告急。摩根大通最新发布的报告指出，台积电的3nm制程产能在2026年将出现较大供应缺口，即便通过转换旧产线与跨厂协作提升产能，2026年底能够达到14万至14.5万片的产能，仍难以满足全部需求，这也将导致客户争相支付高额溢价以获取产能，推动台积电整体毛利率有望突破60%。报告指出，目前包括英伟达、苹果、高通、联发科、谷歌、亚马逊、Meta与微软等主要客户都已提前锁定台积电3nm制程的产能：比如英伟达Rubin、谷歌TPU v7、亚
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台积电
3nm
11 月 12 日消息，博主数码闲聊站 今天在微博发文称，高通骁龙 8 Gen 5 芯片的芯片制程和规格将与骁龙 8 Elite Gen 5“一体双生”。根据博主的说法，高通会长期保持迭代 8 Gen X 这条产品线，构成标准版和 Pro 版的市场格局，定位对标苹果。性能方面，骁龙 8 Gen 5 的内部数据是安兔兔跑分＞骁龙 8 至尊版，Geekbench 6 单核性能＜骁龙 8 至尊版，多核跑分＞骁龙 8 至尊版，某些新机游戏体验≥骁龙 8 至尊版，套片价格≥骁龙 8 至尊版，在未来的中端旗舰产品线中
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高通
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N3P 3nm
制程
随着全球云提供商增加内部 AI ASIC，谷歌也在加倍努力。据《商业时报》报道，除了推进 TPU v7p （Ironwood） 外，该公司还押注于 Axion——其首款基于 Arm 的 CPU——据报道，该公司基于台积电的 3nm 节点构建，并得到了代工厂附属公司 Global Unichip 的设计支持。台积电董事长 C.C. Wei 在上周的财报电话会议上暗示了强劲的人工智能驱动需求，《商业时报》指出，除了 NVIDIA 服务器之外，谷歌云项目也将推动这家代工巨头最大的数据中心增长。报告补充说，协助设
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谷歌
Arm
CPU
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创意电子
据台媒《工商时报》报道，有芯片设计业者透露，台积电3nm与5nm产能持续满载，产能利用率（UTR）明年上半年将达到近100%水平， 其中3nm制程订单更是被大厂订满，比如手机芯片巨头高通、苹果、联发科，在高性能计算（HPC）领域则有英伟达Rubin等加持，市场需求也超预期。3nm将成为台积电营收关键驱动力。报道称，目前多家厂商新一代旗舰级手机芯片竞争已经开打，苹果A19系列、高通第五代骁龙8至尊版、联发科天玑9500均是基于台积电N3P制程打造。此外，还有多新款PC处理器，比如苹果M5、高通骁龙X2 El
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5nm
据台媒《工商时报》9月27日报道，台积电3nm与5nm制程的产能利用率（UTR）预计在明年上半年接近100%。其中，3nm制程订单已被苹果、高通、联发科等大厂订满，市场需求超出预期。在高性能计算（HPC）领域，英伟达Rubin GPU、AMD MI355X等芯片也将采用3nm制程，成为台积电营收增长的重要驱动力。供应链透露，台积电5nm以下先进制程同样供不应求，多家大厂争相投片，预计明年上半年产能将接近满载。这为台积电提供了明年报价调涨的底气，以缓解海外工厂运营对毛利率的稀释影响。此外，台积电美国晶圆厂管
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台积电
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5nm
全球晶圆代工企业围绕2nm制程的竞争愈演愈烈，据报道，台积电已将2nm制程晶圆价格定为每片约3万美元，并对所有客户实行统一价格。据半导体行业消息人士透露，台积电宣布，计划将2nm制程的生产价格定为每片3万美元，且对所有客户实施“不打折、不议价”的策略。这比目前的3nm制程价格高出约50%-66%。台积电2nm制程良率快速攀升得益于存储芯片领域的技术优化，台积电2nm制程自去年7月在新竹宝山晶圆厂风险试产以来，良率从去年底的60%快速攀升至当前的90%（256Mb SRAM）。供应链传出，最近台积电位于高雄
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虽然英特尔已从 18A 转向 14A 进行战略权衡，据报道三星通过优先考虑 2 纳米和 4 纳米而不是 1.4 纳米做出了妥协，根据 ZDNet。同时，Chosun Biz 透露，这家陷入困境的半导体巨头还计划通过将这些节点的价格定价比台积电低约 30%来提高 7 纳米以下工艺的需求——这仍然是中国竞争对手无法企及的领域。Chosun Biz 报道称，三星的 4 纳米工艺旨在通过 SF4U 提升约 20%的能效来赢得订单。据三星称，SF4U 是一款高端 4 纳米变体，采用光学缩小技术来
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据台媒《工商时报》报道，台积电为满足客户对美国制造需求的增长，正在加速推进其亚利桑那州晶圆厂的建设。供应链透露，台积电亚利桑那州二厂（P2）已完成基建，预计将在2027年实现3nm制程的量产。目前，台积电正根据客户对AI芯片的强劲需求，加快量产进度，整体时间表较原计划有所提前。供应链分析指出，台积电此举旨在回应客户需求，并应对美国政府关税政策的影响。据悉，亚利桑那州二厂的机台最快将在明年9月进场安装，首批晶圆预计在2027年下线。通常情况下，晶圆厂在完成基建后，还需要约两年时间进行内部厂务调整，台积电的推
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晶圆厂
市场近期盛传三星将押注资源发展2纳米，预计最快明年于美国德州厂率先导入2纳米制程，企图弯道超车台积电。 半导体业界透露，三星目前以GAAFET打造之3纳米，约为目前竞争对手4纳米FinFET水平，分析2纳米效能恐怕不如台积电最后也是最强一代之3纳米FinFET。 尤其台积电再针对3纳米发展更多家族成员，包括N3X、N3C、N3A等应用，未来仍会是主流客户之首选。盘点目前智能手机旗舰芯片，皆使用台积电第二代3纳米（N3E），仅有三星Exynos 2500为自家3纳米GAAFET; 各家业者今年预计迭代进入第
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2纳米
据 Mydrivers 称，特斯拉援引 Not a Tesla App 称，据报道，特斯拉正准备与台积电作为其代工合作伙伴生产其下一代 FSD（全自动驾驶）芯片——内部称为 AI5 或 HW5。正如 Notebookcheck 所说，有传言称特斯拉计划使用台积电的 3nm （N3P） 工艺。正如报告所强调的那样，该芯片预计将提供 2,000 到 2,500 TOPS 的性能，与 HW4 相比，代际飞跃了 4 到 5 倍。据韩国媒体 Ma
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特斯拉
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HW5芯片
虽然三星在 7nm 和 8nm 等成熟节点上获得了牵引力（据报道来自任天堂的订单），但它继续在先进的 3nm 水平上苦苦挣扎。据韩国媒体 Chosun Biz 报道，即使经过三年的量产，其 3nm 良率仍保持在 50%。这使得三星更难赢得大型科技公司的信任，Chosun Biz 报道称，谷歌的 Tensor G5 正在转向台积电的 3nm，远离三星。正如 9to5Google 所强调的那样，据报道，这家搜索引擎巨头已在未来 3 到 5 年内与台积电锁定了 Tenso
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5 月 27 日消息，小米创办人、董事长兼 CEO 雷军今日早发文：“玄戒 O1 最高主频 3.9GHz，这足以说明我们芯片团队已经具备相当强的研发设计实力。”官方数据显示，小米玄戒
O1 处理器安兔兔跑分超过了 300 万分，拥有 190 亿个晶体管，采用了全球最先进的 3nm 工艺，芯片面积仅
109mm2。架构方面，小米玄戒 O1 采用了十核四丛集 CPU，拥有双超大核、4 颗性能大核、2 颗能效大核、2 颗超级能效核，超大核最高主频
3.9Hz，单核跑分超 3000 分，多核跑分超 9
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雷军
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处理器
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3nm
今天，小米集团董事长雷军微博宣布小米自主研发设计的3nm制程手机处理器芯片玄戒O1已开始大规模量产，搭载小米玄戒O1两款旗舰，小米手机15s pro和小米OLED平板Pad 7 ultra。小米将成为继苹果、高通、联发科后，全球第四家发布自主研发设计3nm制程手机处理器芯片的企业。今年2月，联发科技CEO蔡力行第四季度财报会议上表示，小米自研手机SoC芯片或将外挂联发科基带芯片。根据他的透露，ARM和小米正在促成一项AP芯片的研发项目，联发科也有参与，并提供调制解调器芯片。此前据外媒WCCFtech报道，
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3nm
芯片
小米最近在宣布其自主开发的智能手机 SoC 芯片 XRING 01 后引起了广泛关注。据中国媒体《明报》报道，小米首席执行官雷军 5 月 19 日在微博上透露，该芯片采用 3nm 工艺制造，这标志着中国公司首次成功实现 3nm 芯片设计的突破。这家中国科技巨头正在加大其芯片开发力度。据《华尔街日报》报道，小米计划在至少 10 年内投资近 70 亿美元用于芯片设计。创始人兼首席执行官雷军周一在微博上发文透露了这一投资数字。报告指出，小米发言人补充说，这项 500 亿元人民币（相当于 69.4 亿美元）的投资
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5月20日消息，雷军之前已经宣布了小米自研芯片玄戒O1，而它可能只是一个代号，最终的成品或许会有多个版本。如果熟悉芯片设计的朋友应该都清楚，厂商在规划一款芯片设计时，必然会有多款相关版本的衍生，所以这更像是一个大类，而非具体到一个型号。有网友发现，Geekbench 6.1.0上出现了小米新机的跑分成绩，而主板信息显示为"O1_asic"，从跑分上看，该机的单核跑分最高 2709、多核跑分8125，比高通骁龙8 Gen 3 的成绩还要高一些，可以说表现亮眼。跑分页面还显示，该处理器的C
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10核
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超骁龙8 Gen 3
5月19日，雷军微博宣布小米自主研发设计的3nm制程手机处理器芯片玄戒O1即将亮相。小米将成为继苹果、高通、联发科后，全球第四家发布自主研发设计3nm制程手机处理器芯片的企业。回顾了小米第一代自研手机SoC“澎湃S1”的失败经历，从2014年9月立项，到2017年正式发布，“因为种种原因，遭遇挫折”，暂停了SoC大芯片的研发，转向了“小芯片”路线。包含了快充芯片、电池管理芯片、影像芯片、天线增强芯片等“小芯片”，在不同技术赛道中慢慢积累经验和能力。直到2021年初，小米宣布造车的同时，还在内部重启“大芯片
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美国马萨诸塞州沃尔瑟姆的 Finwave Semiconductor Inc 宣布了一轮新的 $8.2m 短期投资，由 Fine Structure Ventures、Engine Ventures 和 Safar Partners 领投，技术合作伙伴 GlobalFoundries 战略参与。Finwave 认为，新一轮融资表明投资者和行业领导者对其独特的硅基氮化镓技术的市场潜力充满信心，因为它正在从以技术为中心的创新者转变为产品驱动型公司。这家科技公司由麻省理工学院 （MIT） 的研究人员于 2012
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瑞萨电子将设计印度首款3nm 芯片
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据外媒wccftech报道，高通计划在2025年9月举办的年度骁龙技术论坛上推出新一代旗舰处理器Snapdragon 8 Elite Gen 2。这款处理器预计采用台积电第三代3纳米节点制程N3P打造，相较于前代产品，其性能将有显著提升。Snapdragon 8 Elite Gen 2将配备全新的Adreno 840 GPU和NPU，其中NPU的处理速度预计达到100TOPS，是Snapdragon X Elite NPU性能（45TOPS）的两倍以上。性能提升的部分原因在于暂存内存容量增加至16MB，使
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在该公司的北美技术研讨会上，台积电业务发展和海外运营办公室高级副总裁兼联合首席运营官 Kevin Zhang 称其为“最后也是最好的 finfet 节点”。台积电的策略是开发 N3 工艺的多种变体，创建一个全面的、可定制的硅资源。“我们的目标是让集成芯片性能成为一个平台，”Zhang 说。 截至目前，可用或计划中 N3 变体是：N3B：基准 3nm 工艺。N3E：成本优化的版本，具有更少的 EUV 层数，并且没有 EUV 双重图形。它的逻辑密度低于 N3，但具有更好的良率。N3P：N3E 的增强版本，在相
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4月26日消息，在近日举办的北美技术论坛上，台积电首次公开了N2 2nm工艺的缺陷率(D0)情况，比此前的7nm、5nm、3nm等历代工艺都好的多。台积电没有给出具体数据，只是比较了几个工艺缺陷率随时间变化的趋势。台积电N2首次引入了GAAFET全环绕晶体管，目前距离大规模量产还有2个季度，也就是要等到年底。N2试产近2个月来，缺陷率和同期的N5/N4差不多，还稍微低一点，同时显著优于N7/N6、N3/N3P。从试产到量产半年的时间周期内，N7/N6的综合缺陷率是最高的，N3/N3P从量产开始就低得多了，
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3nm finfet介绍
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