虽然英特尔已从 18A 转向 14A 进行战略权衡，据报道三星通过优先考虑 2 纳米和 4 纳米而不是 1.4 纳米做出了妥协，根据 ZDNet。同时，Chosun Biz 透露，这家陷入困境的半导体巨头还计划通过将这些节点的价格定价比台积电低约 30%来提高 7 纳米以下工艺的需求——这仍然是中国竞争对手无法企及的领域。Chosun Biz 报道称，三星的 4 纳米工艺旨在通过 SF4U 提升约 20%的能效来赢得订单。据三星称，SF4U 是一款高端 4 纳米变体，采用光学缩小技术来
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三星 3nm 晶圆代工
据台媒《工商时报》报道，台积电为满足客户对美国制造需求的增长，正在加速推进其亚利桑那州晶圆厂的建设。供应链透露，台积电亚利桑那州二厂（P2）已完成基建，预计将在2027年实现3nm制程的量产。目前，台积电正根据客户对AI芯片的强劲需求，加快量产进度，整体时间表较原计划有所提前。供应链分析指出，台积电此举旨在回应客户需求，并应对美国政府关税政策的影响。据悉，亚利桑那州二厂的机台最快将在明年9月进场安装，首批晶圆预计在2027年下线。通常情况下，晶圆厂在完成基建后，还需要约两年时间进行内部厂务调整，台积电的推
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台积电 3nm 晶圆厂
市场近期盛传三星将押注资源发展2纳米，预计最快明年于美国德州厂率先导入2纳米制程，企图弯道超车台积电。 半导体业界透露，三星目前以GAAFET打造之3纳米，约为目前竞争对手4纳米FinFET水平，分析2纳米效能恐怕不如台积电最后也是最强一代之3纳米FinFET。 尤其台积电再针对3纳米发展更多家族成员，包括N3X、N3C、N3A等应用，未来仍会是主流客户之首选。盘点目前智能手机旗舰芯片，皆使用台积电第二代3纳米（N3E），仅有三星Exynos 2500为自家3纳米GAAFET; 各家业者今年预计迭代进入第
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台积电 3纳米 FinFET 三星 2纳米
据 Mydrivers 称，特斯拉援引 Not a Tesla App 称，据报道，特斯拉正准备与台积电作为其代工合作伙伴生产其下一代 FSD（全自动驾驶）芯片——内部称为 AI5 或 HW5。正如 Notebookcheck 所说，有传言称特斯拉计划使用台积电的 3nm （N3P） 工艺。正如报告所强调的那样，该芯片预计将提供 2,000 到 2,500 TOPS 的性能，与 HW4 相比，代际飞跃了 4 到 5 倍。据韩国媒体 Ma
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特斯拉 台积电 3nm HW5芯片
虽然三星在 7nm 和 8nm 等成熟节点上获得了牵引力（据报道来自任天堂的订单），但它继续在先进的 3nm 水平上苦苦挣扎。据韩国媒体 Chosun Biz 报道，即使经过三年的量产，其 3nm 良率仍保持在 50%。这使得三星更难赢得大型科技公司的信任，Chosun Biz 报道称，谷歌的 Tensor G5 正在转向台积电的 3nm，远离三星。正如 9to5Google 所强调的那样，据报道，这家搜索引擎巨头已在未来 3 到 5 年内与台积电锁定了 Tenso
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三星 3nm 良率 台积电
5 月 27 日消息，小米创办人、董事长兼 CEO 雷军今日早发文：“玄戒 O1 最高主频 3.9GHz，这足以说明我们芯片团队已经具备相当强的研发设计实力。”官方数据显示，小米玄戒
O1 处理器安兔兔跑分超过了 300 万分，拥有 190 亿个晶体管，采用了全球最先进的 3nm 工艺，芯片面积仅
109mm2。架构方面，小米玄戒 O1 采用了十核四丛集 CPU，拥有双超大核、4 颗性能大核、2 颗能效大核、2 颗超级能效核，超大核最高主频
3.9Hz，单核跑分超 3000 分，多核跑分超 9
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小米 雷军 芯片 玄戒 O1 处理器 ARM 3nm
今天，小米集团董事长雷军微博宣布小米自主研发设计的3nm制程手机处理器芯片玄戒O1已开始大规模量产，搭载小米玄戒O1两款旗舰，小米手机15s pro和小米OLED平板Pad 7 ultra。小米将成为继苹果、高通、联发科后，全球第四家发布自主研发设计3nm制程手机处理器芯片的企业。今年2月，联发科技CEO蔡力行第四季度财报会议上表示，小米自研手机SoC芯片或将外挂联发科基带芯片。根据他的透露，ARM和小米正在促成一项AP芯片的研发项目，联发科也有参与，并提供调制解调器芯片。此前据外媒WCCFtech报道，
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小米 自研 3nm 芯片
小米最近在宣布其自主开发的智能手机 SoC 芯片 XRING 01 后引起了广泛关注。据中国媒体《明报》报道，小米首席执行官雷军 5 月 19 日在微博上透露，该芯片采用 3nm 工艺制造，这标志着中国公司首次成功实现 3nm 芯片设计的突破。这家中国科技巨头正在加大其芯片开发力度。据《华尔街日报》报道，小米计划在至少 10 年内投资近 70 亿美元用于芯片设计。创始人兼首席执行官雷军周一在微博上发文透露了这一投资数字。报告指出，小米发言人补充说，这项 500 亿元人民币（相当于 69.4 亿美元）的投资
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小米 3nm SoC
5月20日消息，雷军之前已经宣布了小米自研芯片玄戒O1，而它可能只是一个代号，最终的成品或许会有多个版本。如果熟悉芯片设计的朋友应该都清楚，厂商在规划一款芯片设计时，必然会有多款相关版本的衍生，所以这更像是一个大类，而非具体到一个型号。有网友发现，Geekbench 6.1.0上出现了小米新机的跑分成绩，而主板信息显示为"O1_asic"，从跑分上看，该机的单核跑分最高 2709、多核跑分8125，比高通骁龙8 Gen 3 的成绩还要高一些，可以说表现亮眼。跑分页面还显示，该处理器的C
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小米 自研芯 10核 3nm 超骁龙8 Gen 3
5月19日，雷军微博宣布小米自主研发设计的3nm制程手机处理器芯片玄戒O1即将亮相。小米将成为继苹果、高通、联发科后，全球第四家发布自主研发设计3nm制程手机处理器芯片的企业。回顾了小米第一代自研手机SoC“澎湃S1”的失败经历，从2014年9月立项，到2017年正式发布，“因为种种原因，遭遇挫折”，暂停了SoC大芯片的研发，转向了“小芯片”路线。包含了快充芯片、电池管理芯片、影像芯片、天线增强芯片等“小芯片”，在不同技术赛道中慢慢积累经验和能力。直到2021年初，小米宣布造车的同时，还在内部重启“大芯片
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美国马萨诸塞州沃尔瑟姆的 Finwave Semiconductor Inc 宣布了一轮新的 $8.2m 短期投资，由 Fine Structure Ventures、Engine Ventures 和 Safar Partners 领投，技术合作伙伴 GlobalFoundries 战略参与。Finwave 认为，新一轮融资表明投资者和行业领导者对其独特的硅基氮化镓技术的市场潜力充满信心，因为它正在从以技术为中心的创新者转变为产品驱动型公司。这家科技公司由麻省理工学院 （MIT） 的研究人员于 2012
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Finwave 短期投资 GaN FinFET
瑞萨电子将设计印度首款3nm 芯片
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据外媒wccftech报道，高通计划在2025年9月举办的年度骁龙技术论坛上推出新一代旗舰处理器Snapdragon 8 Elite Gen 2。这款处理器预计采用台积电第三代3纳米节点制程N3P打造，相较于前代产品，其性能将有显著提升。Snapdragon 8 Elite Gen 2将配备全新的Adreno 840 GPU和NPU，其中NPU的处理速度预计达到100TOPS，是Snapdragon X Elite NPU性能（45TOPS）的两倍以上。性能提升的部分原因在于暂存内存容量增加至16MB，使
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高通 骁龙 3nm
在该公司的北美技术研讨会上，台积电业务发展和海外运营办公室高级副总裁兼联合首席运营官 Kevin Zhang 称其为“最后也是最好的 finfet 节点”。台积电的策略是开发 N3 工艺的多种变体，创建一个全面的、可定制的硅资源。“我们的目标是让集成芯片性能成为一个平台，”Zhang 说。 截至目前，可用或计划中 N3 变体是：N3B：基准 3nm 工艺。N3E：成本优化的版本，具有更少的 EUV 层数，并且没有 EUV 双重图形。它的逻辑密度低于 N3，但具有更好的良率。N3P：N3E 的增强版本，在相
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FINFET TSMC
4月26日消息，在近日举办的北美技术论坛上，台积电首次公开了N2 2nm工艺的缺陷率(D0)情况，比此前的7nm、5nm、3nm等历代工艺都好的多。台积电没有给出具体数据，只是比较了几个工艺缺陷率随时间变化的趋势。台积电N2首次引入了GAAFET全环绕晶体管，目前距离大规模量产还有2个季度，也就是要等到年底。N2试产近2个月来，缺陷率和同期的N5/N4差不多，还稍微低一点，同时显著优于N7/N6、N3/N3P。从试产到量产半年的时间周期内，N7/N6的综合缺陷率是最高的，N3/N3P从量产开始就低得多了，
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