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3nm finfet 文章 最新资讯

玄戒O2稳了!采用台积电3nm工艺 小米最强Soc蓄势待发

  • 3月4日消息,小米集团总裁卢伟冰在接受采访时透露,小米芯片、操作系统以及自研AI大模型将在今年内迎来一次具有里程碑意义的大会师。这意味着在不久后的同一款终端产品上,这三大核心技术将实现深度的整合与协同。这次大会师不是单纯的技术堆叠,而是意味着小米正在构建起一套完整的自研技术栈。通过软硬件与AI能力的底层打通,小米产品将具备更强的自主掌控力和性能表现。据博主数码闲聊站透露,小米在今年肯定会推出全新的玄戒芯片,该芯片将采用台积电3纳米工艺制程制造,可能会命名为玄戒O2。这颗芯片的应用范围将不再局限于智能手机,
  • 关键字: 玄戒O2  台积电  3nm  小米  Soc  

台积电再创单月营收历史新高纪录

  • 台积电公布了最新的月度营收报告。数据显示,台积电2026年1月合并营收突破4000亿元台币大关,达到了4012.6亿元台币,同比增长36.8%,环比增长19.8%,再创单月历史新高纪录。此前的最高纪录是2025年10月创下的,当月营收为3674.7亿元台币。2025年全年,台积电累计营收约为38090.54亿元台币,同比增长31.6%。尽管存在AI泡沫担忧,但全球科技巨头并未减少芯片订单。台积电预期在2024年至2029年的五年期间,AI业务的年复合成长率将达到中到高双位数(即50%以上)。面对分析师提出
  • 关键字: 台积电  3nm  晶圆厂  

小米最强旗舰芯片!玄戒O2继续使用台积电3nm工艺

  • 1月28日消息,去年5月,小米正式推出自主研发的旗舰SoC——玄戒O1,这颗芯片由玄戒团队自主设计,采用台积电第二代3nm工艺,CPU和GPU都采用了Arm方案,多核跑分成绩超过9000分,跻身行业第一梯队。但小米并未大范围在其自家产品上应用玄戒O1,仅小米15S Pro及小米平板7 Ultra等少量产品搭载。小米创办人雷军曾在接受采访时表示,研芯片需要有三到四年的研发周期,第一代是在验证技术,所以预定数量少,下一步我们会全部自研四合一的域控制,为将来小米自研芯片上车做好准备。进入2026年,小米玄戒O2
  • 关键字: 小米  旗舰芯片  玄戒O2  台积电  3nm  工艺  

投资人认为台积电明年真正瓶颈是3nm产能

  • 台积电后市受到台股投资人高度关注,多家投顾看好明年股价续创新高,甚至被喊上2000元。 对此,法人认为,比起先进封装产能供不应求,明年真正的瓶颈会是3纳米产能,受到瞩目。市场多半看好台积电明年改写1525元历史天价,永丰投顾开出目标价1917元; 第一金也给予1800元目标价; 摩根士丹利(大摩)给出1688元目标。 台新新光金控首席经济学家李镇宇则认为,台积电涨到2千元是迟早的问题,但关税战和232条款要赶快落幕。台积电持续受惠人工智能热潮,先进制程与先进封装订单满载,工商报导,腾旭投资投资长程正桦分析
  • 关键字: 台积电  3nm  产能  

台积电美国厂利润出现跳水式下降

  • 台积电位于美国亚利桑那州的工厂正面临严峻的财务压力,数据显示该工厂的利润呈断崖式下滑 —— 2025年第二季度盈利42.32亿新台币(现约合9.68亿元人民币),而在第三季度骤降至仅4100万新台币(现约合938.1万元人民币),降幅达到99%。美国业务成本持续高企利润下滑的核心原因在于,台积电正加速推进其亚利桑那二厂向3nm等高端制程节点的转型。与专注于成熟制程并取得成功的一厂不同,二厂的目标是满足由AI热潮驱动的、对尖端芯片不断增长的客户需求。转向先进制程意味着必须投入极其昂贵的工艺设备,从而大幅推高
  • 关键字: 台积电  3nm  晶圆厂  

台积电3nm供应缺口预计将持续两年以上

  • 面对英伟达等AI芯片大客户对先进制程的爆炸性需求,台积电的先进制程产能正全面告急。摩根大通最新发布的报告指出,台积电的3nm制程产能在2026年将出现较大供应缺口,即便通过转换旧产线与跨厂协作提升产能,2026年底能够达到14万至14.5万片的产能,仍难以满足全部需求,这也将导致客户争相支付高额溢价以获取产能,推动台积电整体毛利率有望突破60%。报告指出,目前包括英伟达、苹果、高通、联发科、谷歌、亚马逊、Meta与微软等主要客户都已提前锁定台积电3nm制程的产能:比如英伟达Rubin、谷歌TPU v7、亚
  • 关键字: 台积电  3nm  

高通骁龙8 Gen 5芯片核心信息曝光:与骁龙8 Elite Gen 5一体双生

  • 11 月 12 日消息,博主数码闲聊站 今天在微博发文称,高通骁龙 8 Gen 5 芯片的芯片制程和规格将与骁龙 8 Elite Gen 5“一体双生”。根据博主的说法,高通会长期保持迭代 8 Gen X 这条产品线,构成标准版和 Pro 版的市场格局,定位对标苹果。性能方面,骁龙 8 Gen 5 的内部数据是安兔兔跑分>骁龙 8 至尊版,Geekbench 6 单核性能<骁龙 8 至尊版,多核跑分>骁龙 8 至尊版,某些新机游戏体验≥骁龙 8 至尊版,套片价格≥骁龙 8 至尊版,在未来的中端旗舰产品线中
  • 关键字: 高通  骁龙  8 Gen 5  芯片  台积电  N3P 3nm  制程  

谷歌首款基于Arm的CPU Axion采用台积电3nm,并支持创意电子设计

  • 随着全球云提供商增加内部 AI ASIC,谷歌也在加倍努力。据《商业时报》报道,除了推进 TPU v7p (Ironwood) 外,该公司还押注于 Axion——其首款基于 Arm 的 CPU——据报道,该公司基于台积电的 3nm 节点构建,并得到了代工厂附属公司 Global Unichip 的设计支持。台积电董事长 C.C. Wei 在上周的财报电话会议上暗示了强劲的人工智能驱动需求,《商业时报》指出,除了 NVIDIA 服务器之外,谷歌云项目也将推动这家代工巨头最大的数据中心增长。报告补充说,协助设
  • 关键字: 谷歌  Arm  CPU  Axion  台积电  3nm  创意电子  

台积电3nm与5nm产能持续满载

  • 据台媒《工商时报》报道,有芯片设计业者透露,台积电3nm与5nm产能持续满载,产能利用率(UTR)明年上半年将达到近100%水平, 其中3nm制程订单更是被大厂订满,比如手机芯片巨头高通、苹果、联发科,在高性能计算(HPC)领域则有英伟达Rubin等加持,市场需求也超预期。3nm将成为台积电营收关键驱动力。报道称,目前多家厂商新一代旗舰级手机芯片竞争已经开打,苹果A19系列、高通第五代骁龙8至尊版、联发科天玑9500均是基于台积电N3P制程打造。此外,还有多新款PC处理器,比如苹果M5、高通骁龙X2 El
  • 关键字: 台积电  3nm  5nm  

台积电3nm与5nm产能满载

  • 据台媒《工商时报》9月27日报道,台积电3nm与5nm制程的产能利用率(UTR)预计在明年上半年接近100%。其中,3nm制程订单已被苹果、高通、联发科等大厂订满,市场需求超出预期。在高性能计算(HPC)领域,英伟达Rubin GPU、AMD MI355X等芯片也将采用3nm制程,成为台积电营收增长的重要驱动力。供应链透露,台积电5nm以下先进制程同样供不应求,多家大厂争相投片,预计明年上半年产能将接近满载。这为台积电提供了明年报价调涨的底气,以缓解海外工厂运营对毛利率的稀释影响。此外,台积电美国晶圆厂管
  • 关键字: 台积电  3nm  5nm  

台积电2nm制程计划将对所有客户“不打折、不议价”,价格比3nm高出约50%-66%

  • 全球晶圆代工企业围绕2nm制程的竞争愈演愈烈,据报道,台积电已将2nm制程晶圆价格定为每片约3万美元,并对所有客户实行统一价格。据半导体行业消息人士透露,台积电宣布,计划将2nm制程的生产价格定为每片3万美元,且对所有客户实施“不打折、不议价”的策略。这比目前的3nm制程价格高出约50%-66%。台积电2nm制程良率快速攀升得益于存储芯片领域的技术优化,台积电2nm制程自去年7月在新竹宝山晶圆厂风险试产以来,良率从去年底的60%快速攀升至当前的90%(256Mb SRAM)。供应链传出,最近台积电位于高雄
  • 关键字: 台积电  2nm  3nm  三星  

据报道三星押注4-7纳米工艺,价格比台积电高出30%,瞄准中国尚未进入的市场

  • 虽然英特尔已从 18A 转向 14A 进行战略权衡,据报道三星通过优先考虑 2 纳米和 4 纳米而不是 1.4 纳米做出了妥协,根据 ZDNet。同时,Chosun Biz 透露,这家陷入困境的半导体巨头还计划通过将这些节点的价格定价比台积电低约 30%来提高 7 纳米以下工艺的需求——这仍然是中国竞争对手无法企及的领域。Chosun Biz 报道称,三星的 4 纳米工艺旨在通过 SF4U 提升约 20%的能效来赢得订单。据三星称,SF4U 是一款高端 4 纳米变体,采用光学缩小技术来
  • 关键字: 三星  3nm  晶圆代工  

台积电美国3nm晶圆厂基建完工,量产时间表曝光

  • 据台媒《工商时报》报道,台积电为满足客户对美国制造需求的增长,正在加速推进其亚利桑那州晶圆厂的建设。供应链透露,台积电亚利桑那州二厂(P2)已完成基建,预计将在2027年实现3nm制程的量产。目前,台积电正根据客户对AI芯片的强劲需求,加快量产进度,整体时间表较原计划有所提前。供应链分析指出,台积电此举旨在回应客户需求,并应对美国政府关税政策的影响。据悉,亚利桑那州二厂的机台最快将在明年9月进场安装,首批晶圆预计在2027年下线。通常情况下,晶圆厂在完成基建后,还需要约两年时间进行内部厂务调整,台积电的推
  • 关键字: 台积电  3nm  晶圆厂  

台积电3纳米FinFET 三星2纳米恐难敌

  • 市场近期盛传三星将押注资源发展2纳米,预计最快明年于美国德州厂率先导入2纳米制程,企图弯道超车台积电。 半导体业界透露,三星目前以GAAFET打造之3纳米,约为目前竞争对手4纳米FinFET水平,分析2纳米效能恐怕不如台积电最后也是最强一代之3纳米FinFET。 尤其台积电再针对3纳米发展更多家族成员,包括N3X、N3C、N3A等应用,未来仍会是主流客户之首选。盘点目前智能手机旗舰芯片,皆使用台积电第二代3纳米(N3E),仅有三星Exynos 2500为自家3纳米GAAFET; 各家业者今年预计迭代进入第
  • 关键字: 台积电  3纳米  FinFET  三星  2纳米  

特斯拉采用台积电3nm工艺2026年量产HW5芯片

  • 据 Mydrivers 称,特斯拉援引 Not a Tesla App 称,据报道,特斯拉正准备与台积电作为其代工合作伙伴生产其下一代 FSD(全自动驾驶)芯片——内部称为 AI5 或 HW5。正如 Notebookcheck 所说,有传言称特斯拉计划使用台积电的 3nm (N3P) 工艺。正如报告所强调的那样,该芯片预计将提供 2,000 到 2,500 TOPS 的性能,与 HW4 相比,代际飞跃了 4 到 5 倍。据韩国媒体 Ma
  • 关键字: 特斯拉  台积电  3nm  HW5芯片  
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