意法半导体(ST)和GlobalFoundries (GF)刚刚签署了一份谅解备忘录，将在意法半导体位于法国Crolles的现有晶圆厂旁边新建一座联合运营的300毫米半导体晶圆厂。新工厂将支持多种半导体技术和工艺节点，包括FD-SOI。ST和GF预计，该晶圆厂将于2024年开始生产芯片，到2026年将达到满负荷生产，每年生产多达62万片300毫米晶圆。法国东南部的Crolles，距离意大利边境不远，长期以来一直是FD-SOI发展的温床。从许多方面来看，FD-SOI是一种技术含量较低的方法，可以实现FinF
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FD-SOI GAAFET FinFET
在3nm工艺制程方面，三星扳回一局，三星在七月底宣布已有厂家购买了自家3nm工艺芯片，而台积电要想实现3nm工艺芯片的量产还需要等半年呢。这意味着三星和台积电此次“竞争”三星赢了。据悉，三星的3nm工艺分为了两代，第一代3nm GAE工艺降低了45%的功耗，同时性能提升23%。这次量产的就是第一代，不过，第一代3nm工艺还没有应用到手机上，它的首个客户是中国矿机芯片公司。而第二代3nm GAP工艺可以降低50%的功耗，提升30%的性能，照比第一代提升不少，但量产的话，需要两年之后了，也就是2024年。同时
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三星 3nm 晶圆代工
7月25日，三星电子于京畿道华城园区V1线（仅限EVU极紫外光刻）举办了基于下一代3nm环栅晶体管（GAA）技术的芯片代工产品出货仪式，开始如约向客户交付其首批3nm工艺芯片。包括三星电子联席CEO兼设备解决方案部门（DS）主管庆桂显（Kye Hyun Kyung）和韩国工业贸易资源部长李昌阳（Lee Chang-yang）在内，出席了该仪式。随着3nm制程工艺的量产，三星电子开启了晶圆代工业务的新篇章。在发货仪式上，三星晶圆代工部门表达了通过抢先量产3nm GAA工艺来增强其业务竞争力的雄心，以及“将继
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三星 3nm 芯片
芯研所7月22日消息，作为台积电的第一大客户，苹果最近几年的iPhone新品都能首发台积电新一代工艺，不过今年的iPhone 14是赶不上台积电3nm工艺了。iPhone 14系列无缘3nm主要是台积电的3nm工艺今年进度有些晚，上半年没能量产，拖到下半年，跟不上苹果的量产进度，不过最新消息称3nm工艺已经开始投片量产，而且在新竹、南科两个园区的工厂同时量产最先进的工艺。不过台积电官方没有确认这一消息，台积电表示不评价市场传闻。根据台积电之前的消息，3nm节点上至少有5代衍生版工艺，分别是N3、N3P、N
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台积电 制程工艺 3nm
6月底，三星宣布3nm GAA晶体管芯片投产，外界称其首个客户是国内的矿机厂商。随后外界质疑声不断，包括三星是为了抢首发而草草上马尚未成熟或者说良率很低的制程，甚至媒体爆料三星自己的手机芯片要到2024年才用3nm，而且直接上第二代。可能是为了打消外界的负面情绪，三星晶圆工厂总裁Siyoung Choi博士在一份公开的报告中给出了3nm矿机芯片的实测表现，数据是可以节能23~45%。显然这样的表现属实不错，毕竟是结结实实省电了。一些评论人士拒绝从矿工减少支出、可争取更大收益的角度来看待问题，反而强调，这意
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3nm 虚拟货币 能耗
6月30日，三星代工厂和半导体研发中心的职员齐聚一堂，庆祝公司成为世界首家大规模投产3nm芯片的半导体企业。虽然三星上马的是取代FinFET的革命性GAA晶体管，虽然三星把3nm看得无比重要，可BK的报道称，三星3nm的首家客户居然是来自中国的一家名为PanSemi（上海磐矽半导体技术有限公司）的矿机芯片企业。考虑到当前虚拟货币惨淡的行情，这笔订单的量级肯定不会大到哪儿去，对于检验3nm GAA的成色也不具备充分说服力。另一个有趣的细节是，报道称，三星自家芯片准备在2024年才用3nm，而且是第二代，这就
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三星 3nm GAA量产
消息称英特尔CEO Pat Gelsinger可能会在8月份前往台积电，与台积电的高层会晤，主要是对明年的3nm产能计划进行“紧急修正”。英特尔原计划2022年底量产第14代Meteor Lake，并于2023年上半年推出，如今有消息称将延后到2023年底。作为英特尔GPU绘图芯片代工企业，台积电的3nm制程的计划将受到影响。据报道，英特尔内部已开始紧急修正未来一年的平台蓝图以及自家制程产能计划。一直有消息称，英特尔将使用台积电的N3工艺生产GPU，比如独立显卡使用的GPU以及Meteor Lake的GP
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英特尔 3nm 制程
在芯片企业中，华为海思还是顶流的存在，可以说，华为海思自研的麒麟系列芯片能够与高通骁龙8系列、苹果A系列并驾齐驱。甚至可以说，海思麒麟芯片还领先于苹果、高通，因为首款5nm 5G Soc就是华为海思推出的，NPU也是华为率先用在处理器中，苹果、高通纷纷效仿。然而，谁也没有想到的是，美多次修改芯片等规则，导致台积电等企业不能自由出货，原因是台积电等在芯片生产制造过程中也使用了相关美技术。在这样的情况，台积电等积极争取自由出货许可，还不断加速发展先进技术，目的就是尽可能地降低对美技术的依赖，从而实现自由出货。
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麒麟 三星 3nm
英特尔近期于美国檀香山举行的年度VLSI国际研讨会，公布Intel 4制程的技术细节。相较于Intel 7，Intel 4于相同功耗提升20％以上的效能，高效能组件库（library cell）的密度则是2倍，同时达成两项关键目标：它满足开发中产品的需求，包括PC客户端的Meteor Lake，并推进先进技术和制程模块。 英特尔公布Intel 4制程的技术细节。对于英特尔的4年之路，Intel 4是如何达成这些效能数据？ Intel 4于鳍片间距、接点间距以及低层金属间距等关键尺寸（Critic
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Intel 4 制程技术 FinFET Meteor Lake
一如之前预告的那样，三星在今天正式宣布了3nm工艺量产，这意味着三星在新一代工艺上抢先了台积电量产，并且首次量产GAA晶体管工艺，技术上也是全面压制了台积电，后者要到2nm节点才会用上GAA工艺。根据三星所说，在3nm芯片上，其放弃了之前的FinFET架构，采用了新的GAA晶体管架构，大幅改善了芯片的功耗表现。与5nm相比，第一代3nm工艺能够降低45%的功耗，减少16%的面积，并同时提升23%的性能，第二代的3nm工艺可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同时面积减少35%，效果更好。对于三星抢先量产
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三星 3nm
三星电子今日否认了韩国当地媒体《东亚日报》有关延后3nm量产的报道。《东亚日报》此前报道称，由于良率远低于目标，三星3nm量产将再延后。 三星一位发言人通过电话表示，三星目前仍按进度于第二季度开始量产3nm芯片。 据了解到，昨天韩媒BusinessKorea消息称，三星为赶超台积电，加码押注3nm GAA技术，并计划在2025年量产以GAA工艺为基础的2nm芯片。 消息称，三星在6月初将3nm GAA工艺的晶圆用于试生产，成为全球第一家使用GAA技术的公司。三星希望通过技术上的飞跃，快速缩小与台
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三星 3nm 芯片工艺
随着双寡头拉起的3nm制程竞赛，未来行业内的晶圆代工订单势必将向这两家公司进一步集中，由于半导体行业极度依赖规模效应，未来晶圆代工这个行业也很难再有新的挑战者出现。
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3nm 三星 台积电
WWDC2022上苹果正式发布了搭载全新M2芯片的全新MacBook Air和 13英寸MacBook Pro机型。M2备受关注，然而现在苹果下一代M系列芯片M3已经曝光。数码博主 @手机晶片达人表示，M3目前正在设计当中，项目代号叫做Palma，预计2023/ Q3流片，采用台积电3nm的工艺。当然，这些都还只是传言，苹果官方还未公布确切消息，对新芯片感兴趣的小伙伴儿可以持续关注跟进报道。
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苹果 M3 Palma 台积电 3nm
三星之前制定计划在2030年成为全球最先进的半导体制造公司之一，3nm节点是他们的一个杀手锏，之前一直被良率不行等负面传闻困扰，日前三星公司终于亮出首个3nm晶圆，按计划将在今年Q2季度量产，比台积电还要早一些。 日前美国总统参观了三星位于平泽市附近的芯片工厂，这里是目前全球唯一一个可以量产3nm工艺的晶圆厂，三星首次公开了3nm工艺制造的12英寸晶圆，不过具体是哪款芯片还不得而知。 对三星来说，3nm节点是他们押注芯片工艺赶超台积电的关键，因为台积电的3nm工艺不会上下一代的GAA晶体管技术，三
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三星 3nm
上月，三星代工（Samsung Foundry）部门悄然宣布，其定于 2022 年 2 季度开始使用 3GAE 技术工艺来生产芯片。作为业内首个采用 GAA 晶体管的 3nm 制程工艺，可知这一术语特指“3nm”、“环栅晶体管”、以及“早期”。不过想要高效地制造 GAA 晶体管，晶圆厂还必须装备全新的生产工具。 而来自应用材料（Applied Materials）公司的下一代工具，就将为包括三星在内的晶圆厂提供 GAA 芯片的制造支持。（来自：Applied Materials 官网 ，via
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3nm 晶体管
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