- 为2D互连和3D硅穿孔封装提供颠覆性湿沉积技术与化学材料的开发商与生产商aveni S.A.今日宣布，其已获得成果可有力支持在先进互连的后段制程中，在5nm及以下技术节点可继续使用铜。 「值此铜集成20周年之际，我们的研究结果证实了IBM研究员Dan Edelstein在近期IEEE Nanotechnology Symposium上的主题演讲中所表达的意见：『铜集成可持续使用』。」aveni执行长Bruno Morel指出。 由于器件要满足(和创
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aveni 3nm
- 目前晶圆代工市场三强分立，Intel、三星、台积电都在积极备战之中。而中国市场也是这些大佬的兵家必争之地，拥有了中国市场便拥有了全世界。晶圆市场暗流涌动，鹿死谁手犹未可知。
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晶圆 3nm
- 摩尔定律的提出只为预测半导体行业的发展趋势，但是随着其在半导体行业的声名鹊起，外界各行各业对于竞相仿效。
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摩尔定律 3nm
- 近日，格芯2017技术大会（GLOBALFOUNDRIES Technology Conference或GTC）于上海举行，格芯盛邀数百位半导体行业领导者、客户、研究专家与核心媒体齐聚一堂，并精心为与会者准备了公司的核心业务、市场推进方向与创新成果，以及包括制程工艺、设计实现、IP、射频以及生态圈的发展等方面的最新进展，共同聚焦格芯面向5G互联时代的技术解决方案。作为格芯的年度技术盛会，本次大会格芯分享的技术主题十分广泛，包括FDX®设计和生态系统、IoT，5G/网络和汽车解决方案智能应用，FDX®、Fi
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GTC FDSOI FINFET 制程
- 台积电创始人兼董事长张忠谋在近日的一次公司会议上披露，台积电将在2020年开工建设3nm工艺晶圆厂，但不会去美国设厂，而是坚持留在中国台湾本土，确切地说是在南部科技园区。
张忠谋提出，台积电相信当地政府会解决好3nm工厂建设所需的水电土地问题，并提供全力协助。
按照张忠谋此前的说法，3nm工厂建设预计会花费超过200亿美元，同时有望带动相关供应商跟进建厂，拉动台南地区经济发展。
他没有透露3nm工厂何时完工、新工艺何时量产，但即便不考虑额外困难和挑战，最快也得是2023年的事儿了。
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3nm 晶圆
- 详解先进的半导体工艺之FinFET-FinFET称为鳍式场效晶体管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一种新的互补式金氧半导体（CMOS）晶体管。
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FinFET 半导体工艺
- 10月7日，芯片代工厂台积电宣布选址南科台南园区兴建3nm晶圆厂。据台积电董事长张忠谋透漏，台积电此次将投资约200亿美元用于晶圆厂的建设，于2020年左右竣工，这也将成为全球首家3nm晶圆厂。
2016年末至2017年初，三星与台积电先后推出10nm制程工艺，稳占手机芯片市场80%以上的市场份额。在这场角斗中，英特尔由于研发步伐稍微缓慢，错失了市场先机。即使后来推出的10nm工艺远超三星与台积电，但是对于整体市场来说，并没有太大影响。
台积电面临的局势
台积电主要客户为苹果、高通、
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台积电 3nm
- 随着台积电宣布全世界第一个 3 奈米制程的建厂计划落脚台湾南科之后，10 奈米以下个位数制程技术的竞争就正式进入白热化的阶段。 台积电的对手三星 29 日也宣布，将开始导入 11 奈米的 FinFET，预计在 2018 年正式投产之外，也宣布将在新一代的 7 奈米制程上全面采用 EUV 极紫外线光刻设备。
根据三星表示，11 奈米 FinFET 制程技术「11LPP (Low Power Plus)」是现今 14 奈米和 10 奈米制程的融合，一方面采用 10 奈米制程 BEOL (后端制程)，
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三星 FinFET
- FD SOI技术在物联网蓬勃发展的大环境下，以其低功耗、集成射频和存储、高性能等优势获得业界各方重视;在以芯原、Globalfoundries(格芯)、三星等为代表的企业的推动下，该产业链正逐步得到完善。此外，在中国大力发展集成电路的当口，FD-SOI技术还给中国企业带去更多的发展空间和机遇，如何充分利用FD-SOI技术优势，实现差异化创新成了众IC设计企业的探讨重点。此外，5G网络与物联网的不断进化，对RF技术革新的强烈需求，对RF SOI技术带来更广大的市场前景。
FD SOI生态系统逐步完
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FinFET 物联网
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在提供其为IBM的下一代服务器系统处理器定制的量产14纳米高性能(HP)技术。这项双方共同开发的工艺专为IBM提供所需的超高性能和数据处理能力，从而在大数据和认知计算的时代为IBM的云、商业和企业解决方案提供支持。IBM在9月13日宣布推出IBM Z产品。 14HP是业内唯一将三维FinFET晶体管架构结合在SOI衬底上的技术。该技术采用了17层金属层结构，每个芯片上有80多亿个晶体管，通过嵌入式动态随机存储器(DRAM)以及其它创新功能，达到比前代
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格芯 FinFET
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布计划推出全新12纳米领先性能(12LP)的FinFET半导体制造工艺。该技术预计将提高当前代14纳米 FinFET产品的密度和性能，同时满足从人工智能、虚拟现实到高端智能手机、网络基础设施等最具计算密集型处理需求的应用。 这项全新的12LP技术与当前市场上的16 /14纳米 FinFET解决方案相比，电路密度提高了15%，性能提升超过10%。这表明12LP完全可与其它晶圆厂的12纳米 FinFET产品竞争。这项技术
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格芯 FinFET
- 台积电董事长张忠谋表示，摩尔定律可能还可再延续10年，3nm制程应该会出来，2nm则有不确定性，2nm之后就很难了。
张忠谋表示，1998年英特尔总裁贝瑞特来台时，两人曾针对摩尔定律还可延续多久进行讨论，他当时回答还有15年，贝瑞特较谨慎回答，大概还有10年。
现在已经2017年，张忠谋表示，两人当时的答案都错了;他指出，目前大胆预测摩尔定律可能再有10年。
张忠谋表示，台积电明年将生产7nm制程，5nm已研发差不多，一定会出来，3nm也已经做2至3年，看来也是会出来。
张忠谋
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3nm 2nm
- 极紫外光(EUV)微影设备无疑是半导体制程推向3nm的重大利器。这项每台要价高达逾近亿美元的尖端设备，由荷商ASML独家生产供应，目前主要买家全球仅台积电、三星、英特尔及格罗方德等大厂为主。
EUV设备卖价极高，原因是开发成本高，因此早期ASML为了分摊开发风险，还特别邀请台积电、三星和英特尔三大厂入股，但随着开发完成，台积电后来全数出脱艾司摩尔股票，也获利丰硕。
有别于过去半导体采用浸润式曝光机，是在光源与晶圆中间加入水的原理，使波长缩短到193/132nm的微影技术，EUV微影设备是利
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台积电 3nm
- 人工智能(AI)成为下世代科技发展重点，工研院 IEK 计划副组长杨瑞临表示，AI 终端载具数量将远小于手机，半导体产业挑战恐将增大，芯片业者应朝系统与服务领域发展。
工研院产业经济与趋势研究中心(IEK)计划副组长杨瑞临指出，人工智能大致可分为数据收集与决策两部分;其中，数据收集方面，因需要大量运算，应在云端进行。
决策方面，目前各国仍以云端发展为主，杨瑞临表示，未来决策能否改由终端执行，是各界视为台湾发展 AI 的一大机会。
只是无人机、自驾车、机器人与虚拟现实(VR)/扩增实境
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AI 3nm
- 近期因限电危机，传出台积电3nm厂可能转往美国投资，台湾“行政院长”林全表示，「台积电在台湾投资3nm厂是必然的」，现在的问题只是落脚哪里。
林全表示，包括台南、高雄都拚命争取台积3nm厂落脚。 相较于其他企业也有很好的投资案，但地方政府就没有这么大的回响，或许和企业形象、经营成功度、员工待遇都有很大关系。
外界质疑政府只关爱台积电一家公司，林全反驳，政府对企业是「一视同仁的，不会有差别待遇」。 他以台塑为例表示，台塑遇到最大的挫折就是环评被退回，因此他去年上任后就
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台积电 3nm
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