最近，中国微电子所集成电路先导工艺研发中心在下一代新型FinFET逻辑器件工艺研究上取得重要进展。微电子所殷华湘研究员的课题组，利用低温低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上实现了全金属化源漏(MSD)，能显著降低源漏寄生电阻，从而将N/PMOS器件性能提高大约30倍，使得驱动性能达到了国际先进水平。
基于本研究成果的论文被2016年IEEE国际电子器件大会(IEDM)接收，并在IEDM的关键分会场之一——硅基先导CMOS 工艺和制造技术(PMT)上，由张青竹
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FinFET 摩尔定律
由于技术和商业上的原因，摩尔定律也失去了效力，而且受制于光刻技术、硅材料的极限等因素，芯片制程提升很可能会遭遇瓶颈，这种情况下胡正明教授的FinFET研究就尤为重要。
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半导体 FinFET
格罗方德公司今天宣布，已证实运用14纳米FinFET工艺在硅芯片上实现真正长距离56Gbps SerDes性能。作为格罗方德高性能ASIC产品系列的一部分，FX-14™ 具有56Gbps SerDes，致力于为提高功率和性能的客户需求而生，亦为应对最严苛的长距离高性能应用需求而准备。 格罗方德56Gbps SerDes 内核同时支持 PAM4 和 NRZ 信号传导，可补偿超过35dB的插入损耗，因而无须在目前极
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格罗方德 FinFET
尽管距离国际标准化组织确定的2020年5G商用仍有3年时间之久，现在的4G网络还有潜力挖掘和价值提升的空间，然而全球“大T”们(运营商)的发展焦点已经向5G转移，纷纷从技术研发、标准制定、产业储备等方面入手，对5G进行全面布局。
“预计2022年全球将有5.5亿5G用户，其中北美和亚太将成为发展最快的两大地区。”鉴于全球运营商的积极行动，业界纷纷调高了对5G发展速度的预期，爱立信在近期发布的《移动市场报告》中就给出了2020年5.5亿用户的预期。
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三星 FinFET
半导体领域FinFET技术发明人胡正明说，由于半导体技术的突破，网际网路的速度和普及度还有千百倍的成长空间。
在中国大陆乌镇举行的第3届世界互联网大会，今年首次举办“世界互联网领先科技成果发布活动”，由海内外网路专家组成的专家征集并评选出15项最尖端的技术成果和最具创新性的商业模式。胡正明及其率领的研究团队，在半导体微型化的突破成就是其中之一。
胡正明率领的美国加州大学柏克莱分校团队，将平面二维晶体管创新制作成垂直三维的“鳍式电晶体”，让半导
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FinFET
大家都在谈论FinFET——可以说，这是MOSFET自1960年商用化以来晶体管最大的变革。几乎每个人——除了仍然热心于全耗尽绝缘体硅薄膜(FDSOI)的人，都认为20 nm节点以后，FinFET将成为SoC的未来。但
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SoC FinFET MOSFET
所有大型晶圆代工厂都已宣布 FinFET 技术为其最先进的工艺。Intel 在 22 nm 节点上采用该晶体管，TSMC 在其 16 nm 工艺上使用，而 Samsung 和 GlobalFoundries 则将其用于 14 nm 工艺中。
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FinFET 电路设计
要判定FinFET、FD-SOI与平面半导体制程各自的市场版图还为时过早…
尽管产量仍然非常少，全空乏绝缘上覆矽(fully depleted silicon-on-insulator，FD-SOI)制程有可能继Globalfoundries宣布12奈米计画(参考阅读)之后快速成长;而市 场研究机构International Business Strategies (IBS)资深分析师Handel Jones表示，三星(Samsung)或将在中国上海成立的一座新晶圆厂是否会采用FD
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制程 FinFET
新思科技(Synopsys)近日宣布其 Galaxy Design Platform 已支援全球九成的 FinFET 晶片设计量产投片(production tapeout)，目前已有超过20家业界领导厂商运用这个平台
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Synopsys FinFET
随着半导体工艺技术的进步与智能手机对极致效能的需求加剧，移动处理器的工艺制程正在迈向新的高度。目前，全球领先的晶圆代工厂商已经将工艺制程迈向10纳米FinFET工艺，16/14纳米节点的SoC也已实现量产，那么半导体技术节点以摩尔定律的速度高速发展至今，移动处理器的工艺制程向前演进又存在哪些挑战?同时，进入20纳米技术节点之后传统的CMOS工艺式微，这将给FinFET与FD-SOI工艺在技术与应用上带来怎样的发展变革?
5纳米节点是目前技术极限 摩尔定律被修正意义仍在
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处理器 FinFET
台积电7月14日首度揭露最先进的5纳米FinFET(鳍式场效电晶体)技术蓝图。台积电规划，5纳米FinFET于2020年到位，开始对外提供代工服务，是全球首家揭露5纳米代工时程的晶圆代工厂。
台积电透露，配合客户明年导入10纳米制程量产，台积电明年也将推出第二代后段整合型扇形封装(InFO)服务。台积电强化InFO布局，是否会威胁日月光、矽品等专业封测厂，业界关注。
台积电在晶圆代工领域技术领先，是公司维持高获利的最大动能，昨天的新闻发布会上，先进制程布局，成为法人另一个关注焦点。
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台积电 FinFET
在刚刚闭幕的2016年ITF(IMEC全球科技论坛)上，世界领先的独立纳米技术研究机构——IMEC的首席执行官Luc van den Hove指出，“scaling(尺寸缩小)还会继续，我不仅相信它将会继续，而且我认为它不得不继续。”
他认为，目前从技术层面来说，FINFET、Lateral Nanowire(横向纳米线) 和Vertical Nanowire(纵向纳米线)已经可以帮我们持续推进到3nm的制程节点。EUV光刻技术将是未来的唯一选择。
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3nm 半导体
ARM今日发布了首款采用台积电公司(TSMC)10纳米FinFET工艺技术的多核 64位 ARM®v8-A 处理器测试芯片。仿真基准检验结果显示，相较于目前常用于多款顶尖智能手机计算芯片的16纳米FinFET+工艺技术，此测试芯片展现更佳运算能力与功耗表现。 此款测试芯片的成功验证(设计定案完成于2015 年第四季度)是ARM 与台积电持续成功合作的重要里程碑。该验证完备的设计方案包含了IP、EDA工具、设计流程及方法，能够使新客户采用台积电最先进的
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ARM FinFET
据中新网、网易等报道，当地时间2016年5月19日，美国总统奥巴马在白宫为2015年度美国最高科技奖项获得者颁奖，包括9名国家科学奖获得者和8名国家技术和创新奖获得者。其中两张华裔面孔格外引人注意，包括80岁高龄的何南施女士(Nancy ho)，出生于南京，1957年毕业于台湾大学。
她1993年制造出一种酵母，除了让木糖发酵，也可以吧果糖变成乙醇，因此能够利用稻草之类的非食用材料大量制造乙醇，帮助减少对进口石油的依赖。
另一位是胡正明教授，他1947年出生于北京豆芽菜胡同，在台湾长大，后
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FinFET
Nvidia和AMD双方都拥有为数众多的粉丝,每天在网上相互抨击的文章和帖子是数不胜数，大家都认为自家购买的显卡是最好的，而把对方贬的一无是处，显卡如此，CP党争更是如此。
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AMD FinFET
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