意法半导体（STMicroelectronics）的 STM32V8 系列专为高性能、高可靠性嵌入式应用设计，可提供稳定存储、网络连接及基础人工智能（AI）支持。该系列基于 800 兆赫兹 Arm Cortex-85 内核，支持 Helium/MVE 指令集，EEMBC CoreMark 跑分高达 5072 分。全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）晶体管与嵌入式相变存储器（ePCM）是 STM32V8 系列采用的两大核心技术（图 1）。1. 完全耗尽的硅绝缘体（FD-SOI）晶体管（左）和嵌入式相变存储器（e
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FD-SOI
相变存储器
意法半导体
关键FD-SOI 技术可针对激光故障注入 （LFI） 提供强大的防御，这是一种可能危及加密和安全关键型硬件的精确方法。LFI 是在受控条件下探测硅漏洞的黄金标准，随着金属层的厚度越来越大，背面访问的使用越来越多，这使得基板工程对于安全至关重要。FD-SOI 消除了体 CMOS 中发现的主要 LFI 故障机制，显着降低了激光故障的脆弱性，并需要更多的激光射击来诱发故障。FD-SOI 的物理弹性简化了对 ISO/SAE 21434 等汽车网络安全标准的合规性，并有助于实现更高的保证级别，而无需采取广泛的额外对
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FD-SOI
汽车电子
SOITEC
全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布一项非易失性存储领域的重大创新。该创新利用X-FAB同类最佳的SONOS技术：基于其高压BCD-on-SOI XT011这一110nm工艺节点平台，X-FAB可为客户提供符合AECQ100 Grade-0标准的32kByte容量嵌入式闪存IP，并配备额外的4Kbit EEPROM。此外，从2025年起，X-FAB还计划推出更大容量的64KByte、128KByte闪存以及更大存储空间的EEPRO
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X-FAB
BCD-on-SOI
嵌入式数据存储
晶相光电 JX-K302P 是一款全新四百万分辨率 CMOS 图像传感器，提供了背照式+近红外线(BSI/NIR)技术。该技术能够明显提升近红外灵敏度，实现优异的图像质量。通过BSI NIR+技术，安防监控摄像头可以使用较少的红外LED灯，并在低光源和近红外条件下仍能获得高质量的图像。搭配不同平台SOC，可适用于安防监控、车载高清、USB摄影机、打猎相机、红外夜视仪、运动摄影机和物联网 AI 相机等领域。►场景应用图►产品实体图►展示板照片►方案方块图SOI-SOI►核心技术优势1. SOI JX-K30
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晶像光电
SOI
JX-K302P
物联网感测器
晶相光电 JX-F355P 是一款全新2百万分辨率 CMOS 图像传感器，提供了背照式+近红外线(BSI/NIR)技术。可搭配不同平台SOC，适用于安防监控、车载高清、USB摄影机、打猎相机、红外夜视仪、运动摄影机和物联网 AI 相机等领域。►场景应用图SOI-SOI►产品实体图SOI-SOI►展示板照片SOI-SOISOI-SOI►方案方块图SOI-SOI►核心技术优势1. SOI JX-F355P BSI NIR+ 近红外线加强 像素技术，可为在低光或无光环境中运行的应用提供新的可能性，同时降低总功耗
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晶像光电
SOI JX-F355P
物联网感测器
意法半导体(ST)宣布基于 18 纳米全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI) 技术并整合嵌入式相变存储器 (ePCM)的先进制造工艺，支持下一代嵌入式处理器升级进化，并将此技术应用在通用32位MCU市场领先的STM32系列MCU产品。
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意法半导体
MCU
FD-SOI
STM32
受到美国政府的干扰，中国半导体产业发展遇到了诸多困难，同时也给原来没有得到足够关注的技术或企业提供了很好的发展机遇，SOI（绝缘体上硅）制程工艺就是其中之一。2019 年之前，当先进制程工艺演进到 10nm 时，当时昂贵的价格，以及漏电流带来的功耗水平偏高问题，一直是业界关注的难题，SOI 正是看到了 FinFET 的这些缺点，才引起人们关注的，它最大的特点就是成本可控，且漏电流非常小，功耗低。在实际应用中，SOI 主要分为 FD-SOI（全耗尽型绝缘体上硅）和 RF-SOI（射频绝缘体上硅）。FD-SO
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SOI
混合动力汽车 (HEV) 和全电动汽车 (EV) 设计如今广受关注，一个重要的技术趋势正悄然影响着汽车行业——汽车动力系统中的 48V 直流 (DC) 总线系统。48V 系统不仅适用于全电动汽车和混合动力汽车，它还适用于更常见的内燃机汽车。汽车应用 48V 电网48V 系统有何独特之处？与在常规的供电条件下一样，48V 系统归根到底仍然遵循欧姆定律和基础物理学规律，与电势差 (V = IR)、电功率 (P = IV) 及功率损耗 (P = I2R) 相关。供电仍需要电流与电压的结合，但电势差（损耗）随电流
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Power-SOI
Soitec
中国北京，2023年6月2日——全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成为业界首家推出110纳米BCD-on-SOI解决方案的代工厂，由此加强了其在BCD-on-SOI技术领域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平台反映了模拟应用中对更高数字集成和处理能力日益增长的需求。其将SOI和DTI极具吸引力的特性结合在一起，因此与传统Bulk BCD工艺相比，高密度数字逻辑和模拟功能可以更容易地集成至单个芯片。X-F
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X-FAB
110纳米
BCD-on-SOI
过去十年，天线调谐技术领域发生了巨大变化。天线变得更小、性能更强，能处理更多的射频信号。这些发展的核心是绝缘硅片 (SOI) 技术——它提供的调谐能力提高了设计灵活性，并大幅改善了性能。复杂射频世界中的器件性能有时候，科技似乎在飞速发展，日新月异——产品变得越来越小，处理速度越来越快，我们的世界刹那间便不同以往。移动设备的天线也是如此。支持许多频段的更小移动设备使得天线更加复杂。对于工程师而言，这种复杂性也是需要攻克的障碍。与此同时，技术开发工程师每推出一代新技术，都会做出渐进式改进，通过这种持续改善来帮
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Qorvo
SOI
致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股近日宣布，其旗下友尚推出基于晶视智能（CVITEK）CV1821芯片和晶相光电（SOI）JX-K06图像传感器的网络摄像机（IPC）方案。图示1-大联大友尚基于CVITEK和SOI产品的IPC方案的展示板图近年来，消费电子、物联网、工业互联网、智能家居、智慧城市的发展，推动了智能监控技术的革新，也驱动了IPC（网络摄像机）的需求。相比于传统摄像机，IPC不仅能够提供更高清晰度的视频效果，还具有网络输出接口，可直接将摄像机接入本地局域网。这些特性使其
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大联大友尚
CVITEK
SOI
网络摄像机
意法半导体(ST)和GlobalFoundries (GF)刚刚签署了一份谅解备忘录，将在意法半导体位于法国Crolles的现有晶圆厂旁边新建一座联合运营的300毫米半导体晶圆厂。新工厂将支持多种半导体技术和工艺节点，包括FD-SOI。ST和GF预计，该晶圆厂将于2024年开始生产芯片，到2026年将达到满负荷生产，每年生产多达62万片300毫米晶圆。法国东南部的Crolles，距离意大利边境不远，长期以来一直是FD-SOI发展的温床。从许多方面来看，FD-SOI是一种技术含量较低的方法，可以实现FinF
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FD-SOI
GAAFET
FinFET
· 随着世界经济向数字化和脱碳转型，新的高产能联营晶圆厂将更好满足欧洲和全球客户需求· 新工厂将支持各种制造技术，包括格芯排名前列的 FDX™ 技术和意法半导体针对汽车、工业、物联网和通信基础设施等应用开发的节点低至18纳米的全面技术· 预计该项合作投资金额达数十亿欧元，其中包括来自法国政府的大笔财政支持 2022 年
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意法半导体
12英寸
晶圆厂
FD-SOI
CEA、Soitec、格芯（GlobalFoundries）和意法半导体宣布一项新合作协议，四家公司计划联合制定产业之下一代FD-SOI技术发展规划。半导体组件和FD-SOI技术创新对法国和欧盟以及全球客户具有策略价值。FD-SOI能够为设计人员和客户系统带来巨大益处，包括更低功耗以及易于整合更多功能，例如，通讯联机和安全保护，这对汽车、物联网和行动应用而言，其优势是FD-SOI技术的一个重要特质。CEA主席Francois Jacq表示，二十多年来，在Grenoble-Crolles生态系统中，CEA一
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CEA
Soitec
格芯
意法半导体
FD-SOI
介绍了一种田字形单质量块三轴电容式微加速度计的设计与仿真。该加速度计以SOI晶圆作为基片，经过氧化、光刻、干法刻蚀和湿法刻蚀等工艺步骤得到。通过支撑梁和3个轴的敏感结构的巧妙设计，有效避免了平面内和垂直方向的交叉轴干扰的影响，并提高了Z轴的灵敏度。通过差分电容的设计，理论上消除了交叉轴干扰。通过仿真得到了该加速度计在3个轴向上的灵敏度及抗冲击能力。结合理论分析和ANSYS仿真结果，可以得出结论：所设计的加速度计拥有较低的交叉轴干扰、较高的灵敏度以及较强的抗冲击能力，在惯性传感器领域有一定的应用前景。
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微加速度计
SOI
交叉轴干扰
灵敏度
作为一家设计和生产创新性半导体材料的技术领导企业，来自于法国的Soitec以提供高性能超薄半导体晶圆衬底材料来助力整个信息产业的创新，通过不断革新更优化的制造材料，确保半导体芯片能够以更高性能和更好的稳定性提供服务。特别是伴随着5G技术的不断推进，基于RF-SOI的衬底在确保5G智能手机用芯片的性能方面起到了至关重要的作用，可以说Soitec的技术是促进5G智能手机快速普及的幕后英雄之一。 当然，“幕后英雄”也因为其先进的技术获得企业的飞速发展，Soitec全球战略执行副总裁Thomas PILISZCZ
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Soitec
RF-SOI
FD-SOI
全球领先的半导体晶圆代工厂格芯（GLOBALFOUNDRIES）于2月24日宣布已和全球前三大硅晶圆制造商环球晶圆（Globalwafers.Co.,Ltd）签订合作备忘录(MOU)，协议表明环球晶圆将负责对格芯12英寸晶圆的长期供应。 环球晶圆是全球领先的8英寸SOI制造者之一，也是格芯8英寸SOI晶圆的长期供应商，双方长期保持着良好的合作关系。环球晶圆也是12英寸晶圆制造商，基于双方未来发展与稳定供应需求，环球晶圆与格芯有望紧密协作，有力扩大环球晶圆12英寸SOI晶圆生产产能。 格
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硅晶圆
SOI
中国信通院数据显示，2019年1-10月中国5G手机出货量328.1万部，发展速度远超业界预期。5G商用的加速推进，让更广泛的智能时代提前到来，随之而来的是海量的芯片需求。然而，先进芯片制造工艺虽有巨资投入，却仅能满足CPU、DRAM等一部分芯片市场应用需求；像嵌入式闪存、电源、功率芯片等广泛存在的需求，则主要由华虹集团旗下上海华虹宏力半导体制造有限公司（“华虹宏力”）为首的特色工艺芯片制造企业，基于成熟工艺设备不断创新以提升芯片性能和成本优势来满足。近日，在中国集成电路设计业2019年会(ICCAD 2
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RF-SOI
BCD
作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业，法国Soitec半导体公司于11月27日公布了2020上半财年业绩（截止至2019年9月30日）。• 2020上半财年销售额为2.585亿欧元，按固定汇率和边界1计增长30%• 当期营业收入增长23%，达到5,130万欧元•
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SOI
材料
晶圆
近日，作为先进的特殊工艺半导体代工厂，格芯（GF®）今日宣布正在与Arm®展开合作，为蜂窝物联网应用提供基于FD-SOI的格芯22FDX®平台安全芯片上系统（SoC）解决方案。随着逆向工程的威胁和其他对IP的非法威胁日益加剧，采用基于硬件的安全IP解决方案（包括加密内核、硬件信任和高速协议引擎）从根本上保护复杂电子系统成为当务之急。配有Arm® CryptoIsland™片上安全隔区的格芯22FDX平台提供了一种片上硬件安全解决方案，使得前端模块（FEM）、射频、基带、嵌入式MRAM和加密功能可以轻松地集
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FD-SOI
安全
作为本世纪初被开发以面对22nm以后半导体工艺难题的两大制程技术之一，FD-SOI显然从知名度上远远不如FINFET那样耳熟能详，从应用的广度上......
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FD-SOI
芯原微电子
格芯
三星
2019年9月17日 中国上海 - SOI产业联盟( SOI微电子完整价值链的领先行业组织)今日宣布了半导体行业的两位杰出获奖者,分别是来自村田制作所(Murata)旗下pSemi公司的董事长兼首席技术官Jim Cable和中芯集成电路(宁波)有限公司的首席执行官兼总经理Herb Huang(黄河),二位为RF-SOI (一种广泛用于蜂窝通信芯片的领先技术)技术进步做出贡献而荣获此殊荣。此次SOI产业联盟在上海举办了年度RF-SOI论坛,共有来自中国和世界各地的450多位行业领袖参加,是SOI
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SOI
RF
日前，格芯与Soitec宣布双方已签署多个长期的300 mm SOI芯片长期供应协议以满足格芯的客户对于SOI、RF-SOI、FD-SOI和硅光子技术平台日益增长的需求。建立在两家公司现有的密切关系上，此份协议即刻生效，以确保未来数年的高水平大批量生产。
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格芯
Soitec
SOI
格芯(GF)和领先的半导体IP提供商Dolphin
Integration今日宣布，双方正在合作研发自适应体偏置(ABB)系列解决方案，提升格芯22nm FD-SOI
(22FDX®)工艺技术芯片上系统(SoC)的能效和可靠性，支持5G、物联网和汽车等多种高增长应用。 作为合作事宜的一部分，Dolphin
Integration与格芯正在共同研发ABB系列解决方案，加速并简化SoC设计的体偏置实施方案。ABB具备特有的22FDX功能，可以让设计师利用正向及反向体偏置技术，动态地补偿工艺、
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格芯
FD-SOI
横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体
(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码：STM)在IEDM2018国际电子器件展会上，公布了内置嵌入式相变存储器(ePCM)的28nm
FD-SOI汽车微控制器(MCU)技术的架构和性能基准，并从现在开始向主要客户提供基于ePCM的微控制器样片，预计2020年按照汽车应用要求完成现场试验，取得全部技术认证。这些微控制器是世界上首批使用ePCM的微控制器，将被用于汽车传动系统、先进安全网关、安全/ADAS系统以
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意法半导体
FD-SOI
作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业，Soitec半导体公司于2018年9月18日至19日参加了在上海由SOI国际产业联盟举办的第六届FD-SOI高峰论坛暨国际RF-SOI研讨会(Shanghai FD-SOI Forum & International RF-SOI Workshop)。来自国际顶级半导体公司、科研院所、投资机构和政府部门的业内精英在本届高峰论坛上就FD-SOI和RF-SOI在人工智能、边缘计算(Edge computing)、5G网络连接技术中的应用等话题进行了探讨
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Soitec
FD-SOI
在许多人眼中，中科院院士、中科院上海微系统与信息技术研究所所长王曦既是一位具有全球视野的战略科学家，也是一位开拓创新而又务实的企业家。他带领团队制备出了国际最先进水平的SOI晶圆片，解决了我国航天电子器件急需SOI产品的“有无”问题，孵化出我国唯一的SOI产业化基地。
他在上海牵头推进了一批半导体重大项目——12英寸集成电路硅片项目有望填补我国大尺寸硅片产业空白。3月23日，王曦荣获上海市科技功臣奖。
从下围棋中得到启发
空间辐射会对卫
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SOI
格芯(GLOBALFOUNDRIES)今天宣布推出业内首个基于300毫米晶圆的RF SOI代工解决方案。8SW SOI技术是格芯最先进的RF SOI技术，可以为4G LTE以及6GHz以下5G移动和无线通信应用的前端模块(FEM)带来显著的性能、集成和面积优势。 格芯全新的低成本、低功耗、高度灵活8SW的解决方案可以在300毫米生产线上制造具有出色开关性能、低噪声放大器(LNA)和逻辑处理能力的产品。与上一代产品相比，该技术可以将功耗降低至70%，实现更高的电
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RF-SOI
5G时代将对半导体的移动性与对物联网时代的适应性有着越来越高的要求。此时，FD-SOI与RF-SOI技术的优势日渐凸显，人们对SOI技术的关注也与日俱增。 9月26日，第五届上海FD-SOI论坛成功举办。格芯CEO 桑杰·贾(Sanjay Jha)亲临现场，发表主题为「以SOI技术制胜(Winning with SOI)」的演讲，阐述了格芯如何利用FDX®平台推进SOI技术的发展，介绍公司最新技术成果的同时也总结了SOI技术的现状，并畅想了产业的未来。 关于
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格芯
FD-SOI
格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出面向下一代无线和物联网芯片的射频/模拟PDK(22FDX®-rfa)解决方案，以及面向5G、汽车雷达、WiGig、卫星通信以及无线回传等新兴高容量应用的毫米波PDK(22FDX®-mmWave)解决方案。 该两种解决方案都基于格芯的22纳米FD-SOI平台，该平台将高性能射频、毫米波和高密度数字技术结合，为集成单芯片系统解决方案提供支持。该技术在低电流密度和高电流密度的应用中都可以实现最高特征频率和最高振荡频率，适用于对性能和功耗都有超高要求的应用，
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格芯
FD-SOI
soi介绍
SOI（Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上的硅）技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。通过在绝缘体上形成半导体薄膜，SOI材料具有了体硅所无法比拟的优点：可以实现集成电路中元器件的介质隔离，彻底消除了体硅CMOS电路中的寄生闩锁效应；采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势，因此可以说SO [
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