- 北京大学团队研发出全球首款二维 GAAFET 晶体管，以铋材料突破接触电阻量子极限，开启后摩尔时代。这项成果在《自然》发表，实测性能超越国际巨头，二维堆叠技术使中国半导体站上 1 纳米制程竞争最前沿。近年来，随着半导体行业的不断发展，摩尔定律逐渐失效，使得人们越来越难以改进芯片制造工艺。许多人认为全环绕栅极（GAA）架构工艺推动了芯片工艺的发展。后摩尔定律时期，AI 芯片又如何发展？如何走向 GAAFET在 GAA 之前，半导体制造工艺主要经历了两个重要时期：平面场效应晶体管（PlanarFET）和鳍式场
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GAAFET
- 北京大学正大步迈入后硅时代与埃米级（Ångström）半导体领域。该校研究团队近日在《自然》杂志发表论文，宣布成功研制全球首颗二维低功耗全环绕栅场效应晶体管（GAAFET），这项由彭海林教授、邱晨光教授领衔的跨学科成果，被团队成员称为 "里程碑式突破"。 彭海琳团队合影（右一为彭海琳）技术核心：从 "硅基捷径" 到 "二维换道"北大团队制备出论文所述的 "晶圆级多层堆叠单晶二维全环绕栅结构"。何为二维环栅晶体管？顾名
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北京大学 GAAFET 全环绕栅场效应晶体管 芯片设计
- 通用互连的Chiplet要真正实现可能还需要几年时间，但不管怎样，这代表了未来芯片发展的一个方向 半导体产业链全线上涨之际，Chiplet概念引发市场热议。 8月9日，Chiplet概念股在尾盘阶段经历资金的明显回流，板块个股中，大港股份(002077)已经历六连板，通富微电(002156)三连板，深科达当天涨幅超10%，苏州固锝(002079)、文一科技(600520)、气派科技涨停，芯原股份、晶方科技(603005)、寒武纪、中京电子(002579)涨超5%。 Chiplet并不是一个新鲜的
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Chiplet GAAFET
- 美国计划禁止用于Gate-all-around GAA新技术制造芯片所必需的EDA软件出口到中国大陆，GAA（环绕栅极）是GAA FET，那么，什么是GAA FET（环绕栅极场效应晶体管）？数字芯片最基本单元是MOSFET，其工艺发展到7nm、3nm、2nm，这个半导体工艺尺寸是MOSFET栅极（沟槽）宽度。早期MOSFET使用平面结构，沟槽宽度越小，漏极到源极距离越小，载流子流动跨越沟道导通时间减小，工作频率越高；同时，沟道完全开通所加栅极电压越低，开关损耗越低；而且，沟道导通电阻降低，导通损
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GAAFET EDA
- 意法半导体(ST)和GlobalFoundries (GF)刚刚签署了一份谅解备忘录，将在意法半导体位于法国Crolles的现有晶圆厂旁边新建一座联合运营的300毫米半导体晶圆厂。新工厂将支持多种半导体技术和工艺节点，包括FD-SOI。ST和GF预计，该晶圆厂将于2024年开始生产芯片，到2026年将达到满负荷生产，每年生产多达62万片300毫米晶圆。法国东南部的Crolles，距离意大利边境不远，长期以来一直是FD-SOI发展的温床。从许多方面来看，FD-SOI是一种技术含量较低的方法，可以实现FinF
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FD-SOI GAAFET FinFET
- 美国试图锁死中国下一代芯片技术注意，这里说的是下一代，是下一代！与现在的EDA软件无关，这项EDA软件的禁令只是针对GAA架构制程，这项工艺目前只有三星利用在了3nm的芯片生产上，而不出意外的话，台积电也会在今年量产同代的芯。中国目前的最先进的工艺来自中芯国际，中芯在前不久被发现“偷偷”用DUV光刻机实现了7nm工艺的量产。但即使进步如此神速，中芯国际和三星、台积电之间，至少还隔着一个7nm+（EUV版的7nm工艺）、5nm两代，对中芯来说，GAA至少是下下代才用到的东西，而目前中芯连7nm+的可能性都看
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EDA GAAFET
- 来源：金融界 新材料｜产业链限制再加码，关注半导体材料国产化 近期美国对半导体产业链限制持续加码，凸显半导体国产化急迫性，短期看，在自主可控逻辑下，供应体系中的材料龙头企业有望充分受益，加速其在国内晶圆厂的产品导入速度，提升市占率。中长期看，半导体材料需求持续增长，我们看好产业内技术实力领先，存在放量逻辑，有望充分受益国产化的龙头公司。 ▍美国对芯片产业链限制再加码，涉及设计软件及超宽禁带半导体材料。 根据联邦公报，8月12日，美国商务部工业和安全局（BIS）发布一项临时最终规定，对4项“新兴和基
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GAAFET EDA 市场分析
- 8月12日，美国商务部工业和安全局（BIS）发布了临时最终规则。在规则中，对四种新兴和基础技术建立了新的出口管制，管制理由是国家安全。im间最终规则（IFR）指的是联邦机构发布的规则，在发布后生效，无需首先征求公众对规则实质内容的意见。IFR用于紧急情况和其他需要，以帮助加快监管流程，快速实施具有约束力的监管要求。今后，是否调整将根据效果决定，并有一定的时限。根据一位资深律师的分析，这项暂行最终规则可以被视为中国的一项暂行规定。“在这四种技术中，EDA软件是最受外界关注的一种。该规则规定，用于开发全栅场效
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EDA 美国 GAAFET
- 美国对中国企业和机构断供工具软件有迹可循。 ▲7月28日，工作人员在2022全球数字经济大会展馆上介绍运用在交通、金融、能源等领域的人工智能加速芯片及系统。图/IC photo 文 | 付伟 美国商务部上周五发布最终规定，对设计GAAFET（全栅场效应晶体管）结构集成电路所必须的EDA（电子设计自动化）软件；金刚石和氧化镓为代表的超宽禁带半导体材料；燃气涡轮发动机使用的压力增益燃烧（PGC）等四项技术实施新的出口管制。 相关禁令生效日期为2022年8月15日。 1 为什么
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美国 EDA GAAFET
- 对EDA产业来说，美国真要玩大棒政策，可能会适得其反，迫使日本、欧洲或者中国的EDA新公司快速抢占市场，严重影响三大EDA公司的全球统治力。
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美国EDA GAAFET
- 众所周知，三星在3nm芯片时，采用了GAAFET晶体管技术，这是相对于FinFET晶体管更先进的技术。GAAFET晶体管技术为何更先进？原因在于GAAFET提供比FinFET更好的静电特性，在同等尺寸结构下，GAA 的沟道控制能力强化，尺寸可以进一步微缩，同时电压降低。这就使得GAAFET晶体管，可以密度更高，同时电压更低，这样性能更强，功耗降低。虽然目前在3nm技术上，三星使用GAAFET技术，而台积电使用FinFET技术，但到2nm时，不管是台积电，还是三星，或者intel都会使用GAAFET技术，因
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GAAFET EDA 三星
- 当地时间8月12日，美国商务部工业和安全局（BIS）在《联邦公报》中披露了一项新增的出口限制临时最终规则，涉及先进半导体、涡轮发动机等领域。该禁令对具有GAAFET（环绕栅极场效应晶体管）结构的集成电路所必需的EDA/ECAD软件、以金刚石和氧化镓为代表的超宽禁带半导体材料、包括压力增益燃烧（PGC）在内的四项技术实施了新的出口管制。GAAFET相关EDA软件EDA/ECAD指的是用于设计、分析、优化和验证集成电路或印刷电路板性能的电子计算机辅助软件。早在8月3日，芯智讯就报道了“美国将对华断供GAAFE
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EDA GAAFET
- 韩国媒体表示，韩国三星计划3年内创建GAAFET技术3纳米节点，成为芯片代工业界的游戏规则破坏者，追上全球芯片代工龙头台积电。《BusinessKorea》指出，GAAFET技术是新时代制程，改善半导体晶体管结构，使栅极接触晶体管所有四面，而不是目前FinFET制程三面，使GAAFET技术生产芯片比FinFET更精确控制电流。市场研究调查机构TrendForce报告指出，2021年第四季台积电全球芯片代工产业以高达52.1%市场占有率狠甩韩国三星，为了追上台积电，三星押注GAAFET技术，并首先用于3纳米
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三星 GAAFET 台积电
gaafet介绍
GAAFET是（Gate-all-around FETs）采用的是纳米线沟道设计，沟道整个外轮廓都被栅极完全包裹，代表栅极对沟道的控制性更好。相比之下，传统的FinFET 沟道仅3 面被栅极包围。GAAFET 架构的晶体管提供比FinFET 更好的静电特性，可满足某些栅极宽度的需求。这主要表现在同等尺寸结构下，GAA 的沟道控制能力强化，尺寸可以进一步微缩。 [
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