- 北京大学正大步迈入后硅时代与埃米级（Ångström）半导体领域。该校研究团队近日在《自然》杂志发表论文，宣布成功研制全球首颗二维低功耗全环绕栅场效应晶体管（GAAFET），这项由彭海林教授、邱晨光教授领衔的跨学科成果，被团队成员称为 "里程碑式突破"。 彭海琳团队合影（右一为彭海琳）技术核心：从 "硅基捷径" 到 "二维换道"北大团队制备出论文所述的 "晶圆级多层堆叠单晶二维全环绕栅结构"。何为二维环栅晶体管？顾名
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北京大学 GAAFET 全环绕栅场效应晶体管 芯片设计
全环绕栅场效应晶体管介绍
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