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cissoid 文章 最新资讯

基于SiC的完整“傻瓜型”逆变器参考设计为先进电机应用铺平了道路

  • 先进电机应用(如高转速、高频、高功率密度、高温等)需要相匹配的逆变器支持,但业界一直为其开发难度所困扰。全球领先的高温半导体解决方案提供商CISSOID公司近期推出的基于碳化硅(SiC)功率器件的完整逆变器参考设计很好地解决了这一问题。该参考设计整合了CISSOID 公司的SiC高压功率模块和相匹配的集成化栅极驱动器,Silicon Mobility公司的控制板和软件,超低寄生电感的直流母线电容和EMI滤波器,直流和相电流传感器等其它附件。由此为先进电机应用提供了一个已全面集成的完整“傻瓜型”逆变器开发平
  • 关键字: SiC   逆变器   电机   CISSOID   Silicon Mobility  

CISSOID与Silicon Mobility扩大合作伙伴关系,提供完整的SiC逆变器参考设计

  • 2023年3月20日–佛罗里达州奥兰多市 - CISSOID和Silicon Mobility今日宣布进一步扩展其合作伙伴关系,以提供完整的模块化碳化硅(SiC)逆变器参考设计,且支持高达350KW/850V的电机驱动。该参考设计包括CISSOID基于SiC的高压功率模块、集成化栅极驱动器,以及采用Silicon Mobility超快速、安全的OLEA T222 FPCU的控制板,直流和相电流传感器,直流母线电容器和EMI滤波,以及集成化液体冷却装置。CISSOID还将销售和交付Silicon Mobil
  • 关键字: CISSOID   Silicon Mobility   SiC逆变器  

CISSOID、NAC和Advanced Conversion三强联手开发高功率密度碳化硅(SiC)逆变器

  • 高温半导体和功率模块领域的领导者CISSOID宣布,公司已与NAC Group和Advanced Conversion(为要求严苛的应用提供高性能电容器的领导者)开展合作,以提供紧凑且优化集成的三相碳化硅(SiC)功率堆栈。该功率堆栈结合了CISSOID的1200V SiC智能功率模块和Advanced Conversion的6组低ESR/ESL直流支撑(DC-Link)电容器,可进一步与控制器板和液体冷却器集成,为电机驱动器的高功率密度和高效率SiC逆变器(见下图)的设计提供完整的硬件和软件平台。CIS
  • 关键字: CISSOID   SiC  

CISSOID与依思普林达成战略合作协议, 携手推动电动汽车动力总成的全面优化和深度集成

  • 提供基于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的耐高温、长寿命的高效、紧凑电机驱动和智能功率模块解决方案的领先供应商CISSOID S. A.(CISSOID),和中国先进电动汽车动力总成制造商 - 深圳市依思普林科技有限公司(依思普林)今日共同宣布:双方已达成战略合作伙伴关系,将共同开展研发项目,使碳化硅功率器件的优良性能在电动汽车动力总成领域得以充分发挥,从而实现电动汽车动力总成的全面优化和深度集成。 电动汽车的动力总成(包括电机、电控和变速箱)已走向三合一,但目前的整合仅仅是在结构上的堆叠,尚
  • 关键字: 电动汽车   CISSOID  

CISSOID发布最新工业和汽车级碳化硅功率模块高温栅极驱动器创新成果

  • 中国北京,2019年7月16日–各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID今日宣布,公司将在7月17日 – 20日于北京举行的“第二届亚太碳化硅及相关材料国际会议”上,发表题为“一种用于工业和汽车级碳化硅MOSFET功率模块的高温栅极驱动器”的论文,并介绍公司在该领域的最新研究开发成果。CISSOID首席技术官Pierre Delatte将于19日在该会议上发表该文章。当今,碳化硅(SiC)在汽车制造商的大力追捧下方兴未艾,碳化硅技术可以提供更高的能效和增加功率密度;在工业应用方面,越来越多的人则
  • 关键字: CISSOID   碳化硅   功率模块   高温栅极驱动器  

CISSOID在纽伦堡PCIM 2019展会上展出新款高温栅极驱动器、碳化硅器件及功率模块

  • 比利时·蒙-圣吉贝尔,2019年5月13日– 各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID,在2019年欧洲功率电子及智能传动产品展览会(PCIM 2019)上展示了最新的高温栅极驱动器、碳化硅(SiC)MOSFET器件和IGBT功率模块。PCIM 2019是全球领先的电力电子、智能传动、可再生能源和能源管理展览及会议。CISSOID公司推出了一款新型栅极驱动器板,该板针对额定温度为125°C(环境温度)的62mm碳化硅MOSFET功率模块进行了优化。该板基于CISSOID的HADES栅极驱动器芯片
  • 关键字: CISSOID   PCIM 2019   MOSFET功率模块  

CISSOID和清华大学电机系达成技术合作意向,共同研发基于碳化硅功率模块的系统

  • 比利时·蒙 - 圣吉贝尔和中国·北京 – 2019年4月8日– 高温与长寿命半导体解决方案领先供应商CISSOID日前宣布:公司已与清华大学电机工程与应用电子技术系(简称电机系)达成技术合作意向,双方将携手研发基于碳化硅(SiC)功率模块的系统,期望共同攻克技术难题以求实现其潜在的高效率和高功率密度等优势,并将大力支持在新能源汽车领域开展广泛应用。CISSOID公司来自比利时,是高温半导体解决方案的领导者,专为极端温度和恶劣环境下的电源管理、功率转换与信号调节提供标准产品和定制解决方案。清华大学电机系创立
  • 关键字: CISSOID   清华   电机系  

CISSOID和泰科天润(GPT)达成战略合作协议, 携手推动碳化硅功率器件的广泛应用

  •   高温与长寿命半导体解决方案领先供应商CISSOID和中国碳化硅(SiC)功率器件产业化倡导者泰科天润半导体科技(北京)有限公司(GPT)今日共同宣布:双方已达成战略合作伙伴关系,将共同开展研发项目,推动碳化硅功率器件在工业各领域尤其是新能源汽车领域实现广泛应用。  CISSOID和泰科天润签署战略合作协议  泰科天润是中国首家第三代半导体材料碳化硅器件制造与应用解决方案提供商,既是碳化硅芯片的龙头企业,也是支撑高端制造业的新兴力量。CISSOID公司来自比利时,是高温半导体解决方案的领导者,专为极端温
  • 关键字: CISSOID   SiC  

CISSOID和泰科天润(GPT)达成战略合作协议, 携手推动碳化硅功率器件的广泛应用

  •   高温与长寿命半导体解决方案领先供应商CISSOID和中国碳化硅(SiC)功率器件产业化倡导者泰科天润半导体科技(北京)有限公司(GPT)今日共同宣布:双方已达成战略合作伙伴关系,将共同开展研发项目,推动碳化硅功率器件在工业各领域尤其是新能源汽车领域实现广泛应用。  CISSOID和泰科天润签署战略合作协议  泰科天润是中国首家第三代半导体材料碳化硅器件制造与应用解决方案提供商,既是碳化硅芯片的龙头企业,也是支撑高端制造业的新兴力量。CISSOID公司来自比利时,是高温半导体解决方案的领导者,专为极端温
  • 关键字: CISSOID   碳化硅  

CISSOID为Honeywell将停产高温微电子产品的客户提供相应替代品

  •   高温与长寿命半导体解决方案领先供应商CISSOID今日宣布:该公司已准备好帮助客户免受Honeywell公司宣布限期最后接单后,即将停产其高温微电子产品所带来的影响,同时发布了一份CISSOID等效器件部品的型号互查表,所有的产品额定温度范围同样都为-55°C到225°C,同时还可以提供裸芯片(bare die):  也可以通过开发高温专用集成电路(ASIC)或者专门的电路板的方式来实现器件的替代,这得益于CISSOID自有的强大硅知识产权(IP)及产品组合,其中包括电压参考源、调节器、放大
  • 关键字: CISSOID   Honeywell  

CISSOID 向 Thales 交付首个碳化硅( SiC )智能功率模块

  •   高温及长寿命半导体解决方案的领先供应商CISSOID公司宣布,向 Thales Avionics Electrical Systems 交付首个三相 1200V/100A SiC MOSFET 智能功率模块(IPM)原型。该模块在 Clean Sky Joint Undertaking 项目的支持下开发而成,通过减小重量和尺寸,该模块有助于提高功率转换器密度,从而
  • 关键字: CISSOID   IPM  

航晶微电子和 CISSOID宣布建立战略合作伙伴关系

  •   高温及长寿命半导体解决方案领导者 CISSOID 与中国高温及极端环境混合集成电路领导者航晶微电子今日共同宣布,双方正式签署战略合作伙伴协议,将共同开发高可靠高温混合集成电路。  这将结合 CISSOID 在开发极端温度及恶劣环境下使用的半导体方面 15 年的经验,以及航晶微电子在开发复杂高品质高可靠多芯片电路解决方案方面 17 年的经验。双方将通力合作,致力于将成套多芯片集成电路应用于新型、复杂且紧凑的标准多芯片模块电路
  • 关键字: CISSOID   集成电路  

CISSOID 推出 60A /1200V 高温电源模块 PLUTO

  •   高温半导体解决方案的领导者 CISSOID 公司宣布推出高温电源模块CHT-PLUTO,它可在-55~225℃的范围内实现可靠的运行,并输出高达60A的电流。CHT-PLUTO 是一种双碳化硅 MOSFET 模块,主要应用于在低端和高端均可持续供应 30 A 电流的半桥。低端和高端的两个独立开关可并联使用,输出总电流为 60 A,击穿电压超过 1200 V,当 VGS=20 V 时,导通电阻在 25℃和 225℃的温度下分别低至 23 mΩ 和 50 mΩ。        由于碳化
  • 关键字: CISSOID   PLUTO  

CISSOID 公司推出 HADES v2

  •   CISSOID公司推出第二代 HADES®,一款高度集成的隔离式栅极驱动器产品。HADES® 旨在面向基于快速开关碳化硅 (SiC) 晶体管、传统功率 MOSFET 及 IGBT 的高密度功率转换器、电机驱动器和致动器应用。凭借 CISSOID 产品无与伦比的耐用性,栅极驱动器 HADES® 在严酷的环境下可实现更高可靠性和更长的使用寿命,从而满足系统设计者对航空、汽车、工业、石油和天然气市场的应用需求。   HADES®包括气密性陶瓷封装和塑料封装两种,前者可以在温
  • 关键字: CISSOID   MOSFET   

CISSOID高温半导体产品正式进军中国

  •   CISSOID公司在高温半导体领域投入已久,专为极端温度与恶劣环境下的电源管理、功率转换与信号调节提供标准化的产品与定制解决方案,目前,其产品广泛应用于全球石油和天然气、航空航天、工业与汽车市场等领域。   中国市场日趋壮大的工业、交通、能源等应用,以及这些市场焕发出的强大的创新活力,吸引了CISSOID公司的重视。日前,该公司宣布正式进军中国市场,并与上海诺卫卡电子科技有限公司签订在华经销协议。   CISSOID 拥有高温隔离式栅极驱动器、高压 SiC MOSFET 开关等半导体产品与
  • 关键字: CISSOID   半导体  

耐高温半导体解决方案日益受到市场欢迎

  •   日前,CISSOID 公司与上海诺卫卡电子科技有限公司签订在华销售 CISSOID 产品的经销协议,后者将会帮助CISSOID公司的高温半导体产品在中国市场大范围推广。  诺卫卡公司将其在碳化硅方面的专业技术与 CISSOID 的技术及其产品组合完美结合在一起,形成独一无二的竞争力。例如:SiC 电源开关专用的隔离式栅极驱动器HADES 技术;高温 SiC MOSFET;及 SiC 传感元件的高温信号调节器。  CISSOID公司营销拓展副总裁Jean-Christophe Doucet先生表示,为保
  • 关键字: CISSOID   诺卫卡   SiC  

上海诺卫卡签订在华销售CISSOID产品经销协议

  •   高温及长寿命半导体解决方案方面的领先供应商 CISSOID 公司,宣布与上海诺卫卡电子科技有限公司签订在华销售其产品的重大经销协议。诺卫卡公司现面向中国市场公开销售 CISSOID 产品。   除经销业务外,诺卫卡公司还是碳化硅 (SiC) 和蓝宝石材料与技术(从基板至组件级)方面公认的专家,主要服务于中国的工业与交通市场。诺卫卡公司将其专业技术与 CISSOID 的技术及其产品组合完美结合在一起,形成了独一无二的产品系列。双方的这一合作所产生的协作优势包括: 例如:SiC 电源开关专用的隔离式栅极
  • 关键字: CISSOID   诺卫卡   元件  

CISSOID 推出高温80V双串列小信号二极管

  • CISSOID,在高温半导体方案的领导者,推出了 CHT-GANYMEDE“木卫三”,一高温 80伏 双串列小信号二极管装在一个小型密封的 TO-18 金属封装中。这个新的器件是由两个二极管串联连接而成,可以承受80V反向电压,在摄氏225度时最大正向电流为 300mA并适用摄氏-55度至摄氏225度工作。这双二极管是一种通用分立元件,它可用于各种应用包括箝制,低电流整流和检测等等。
  • 关键字: CISSOID   二极管  

CISSOID释出端亚评估套件

  •   CISSOID高温及高可靠性半导体解决方案领先供应商释出一个给端亚(CHT-RHEA)的评估套件. 端亚(CHT-RHEA)是一个高温及高可靠性隔离数据传输集成电路,保证可于- 55°C to +225°C可​​靠操作.端亚(CHT-RHEA)亦是一个双通道,全双工收发器(两个发射,两个接收通道). 评做套件建于一个小型53 x 45 mm PCB上, 有两组CHT-RHEA (一组为初级侧,另一组为次级​​侧)及四个小型脉冲变压器.它有2.5kV的电化隔离, 数据传输速度可达到2Mb/s, 传输整体
  • 关键字: CISSOID   端亚  

CISSOID推出高温度30V小讯号P-FET场效应管

  •   CISSOID,在高温半导体方案的领导者推出了一个行星家族(高温度晶体管及开关)的新成员.火星是一个高温度30V小讯号P-FET场效应管, 适合于-55 ° C至+225° C高温可靠运作. 由于它耐于极端温度,只有14pF的输入电容值及于+225° C下最高只有400nA闸极漏电流. 所以这30V晶体管非常适合于高温度传感器介面,例如压电传感器或保护放大器.   
  • 关键字: CISSOID   P-FET  

CISSOID推出单芯片双通道收发器

  •   CISSOID,在高温半导体方案的领导者推出了瑞亚,一个可在-55 ° C至+225° C高温可靠运作的2.5kV电流隔离数据传输方案。CHT-瑞亚是单芯片双通道,全双工收发器(2发送和2接收通道)。外部微脉衝变压器确保每个磁隔离,而其核心直径不超过6毫米(0.24“).   
  • 关键字: CISSOID   数据收发器   瑞亚  

CISSOID发布能从-55°C至+225°C间操作的隔离DC - DC转换器平台

  •   CISSOID发布新的 STROMBOLI™ 技术, 一个用于高温的灵活和可扩展的参考设计和演示板,能从 -55 ° C至+225 ° C可靠和高效率地运行的高压隔离式DC - DC转换器.   STROMBOLI™可以转换高达400V输入电压,如果需要的话,能输出多路和对称电压高达 + / - 25V。在500V时,输入和输出之间的电隔离至少有10MΩ。.   STROMBOLI™技术包括应用笔记,参考设计和演示板与相关数据表,电路
  • 关键字: CISSOID   转换器   DC-DC   STROMBOLI  

CISSOID引入了新系列P通道高温功率MOSFET晶体管

  •   CISSOID,在高温半导体解决方案的领导者,介绍了 VENUS,他们的新系列高温 30V 的 P通道功率 MOSFET 晶体管保证操作在摄氐负55度到225度之间。P通道功率 MOSFETs 的VENUS系列命名为 CHT-PMOS3002,CHT-PMOS3004 及CHT-PMOS3008,其最大漏电流额定分别为2A,4A及8A。它们补充了该公司在2009年11月介绍的 N 通道 MOSFETs 的 SATURN 系列。   VENUS 功率 MOSFETs 表现出色的高温性能。在摄氏 225
  • 关键字: CISSOID   MOSFET   晶体管  

CISSOID 推出了新系列高温小信号晶体管

  •   高温半导体方案的领导者 CISSOID 推出了新产品的行星家族高温晶体管和开关。汞是一种高温 80V 的小信号 N 沟道 MOSFET 晶体管,其保証的工作温度範围为摄氏负 55 度至 225 度。凭藉其极端温度的鲁棒性,其输入电容仅为 32pF,在225度其栅极洩漏限于 5.6μA,这 80V 的晶体管非常适合用于高温度传感器接口,如压电式传感器或执行一个保护放大器。   在225度这种逻辑级 MOSFET 可匯到 230mA,也可用于切换中或高电阻,例如:转换 3.3V/5V的逻辑信号
  • 关键字: CISSOID   晶体管  

CISSOID 推出「 MAGMA」IC

  •   高温半导体方案的领导者CISSOID现隆重推介其新研发产品「MAGMA」IC─ 能于摄氏负55度至225度可靠运行的脉冲寛度调变器。「MAGMA」IC主要适用于直流-直流变换器及开关切换模式电源供应器,在整个温度范围中,「MAGMA」IC均能发挥达90%或以上的效能。       「MAGMA」IC能在输入电压6V至30V中运行,而在稳定频率及冲击系数下,它能传送90%以上的脉冲寛度调变讯号。此芯片能够处于待机状态,在摄氏225度时,它的正常消耗量为150µA
  • 关键字: CISSOID   MAGMA   变换器  

CISSOID 与德章系统有限公司签署分销协议

  •   高温半导体方案的领导者CISSOID与高温电子元件及IC 元件的专业分销商德章系统有限公司联合宣布,两家公司已签署独家分销协议,该协议由二零零九年八月一日起生效,适用于大中华地区 (即中国、台湾及香港)。   德章系统有限公司行政总裁何嘉良先生表示:「CISSOID不但巩固了德章系统有限公司在高温电子元件巿场上的地位,同时亦提供了重要的技术支援,令我们可向尊敬的客户提供来自世界各地优秀制造商的高精元件,以及更全面的一站式服务。 一直以来,德章很重视元件于摄氏150度或以上运行的可靠度,透过与CISS
  • 关键字: CISSOID   电子元件  

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