Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，今日推出四款多层片状电感系列产品： CE0603G、CE0603M、CE1005Q 和 CE1608Q 系列。此系列电感器采用先进多层技术打造单体结构设计，为电源电子设计工程师提供高可靠度、稳定性佳且具优异讯号完整性的解决方案。产品尺寸涵盖 1608、1005 以及最小 0603 mm 等多种精巧规格，为设计人员在小型化应用中提供更多元的选择。为满足高频电路对效能提升的需求，新款片状电感具备最高达 20,0
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射频电感器
高可靠
2026年3月4日 – Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，今日推出四款多层片状电感系列产品：CE0603G、CE0603M、CE1005Q 和CE1608Q系列。此系列电感器采用先进多层技术打造单体结构设计，为电源电子设计工程师提供高可靠度、稳定性佳且具优异讯号完整性的解决方案。产品尺寸涵盖 1608、1005 以及最小 0603 mm 等多种精巧规格，为设计人员在小型化应用中提供更多元的选择。为满足高频电路对效能提升的需求，新款片状电感具备最高达 20,0
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Bourns
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射频
电感器
意法半导体（STMicroelectronics）的 STM32V8 系列专为高性能、高可靠性嵌入式应用设计，可提供稳定存储、网络连接及基础人工智能（AI）支持。该系列基于 800 兆赫兹 Arm Cortex-85 内核，支持 Helium/MVE 指令集，EEMBC CoreMark 跑分高达 5072 分。全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）晶体管与嵌入式相变存储器（ePCM）是 STM32V8 系列采用的两大核心技术（图 1）。1. 完全耗尽的硅绝缘体（FD-SOI）晶体管（左）和嵌入式相变存储器（e
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FD-SOI
相变存储器
意法半导体
关键FD-SOI 技术可针对激光故障注入 （LFI） 提供强大的防御，这是一种可能危及加密和安全关键型硬件的精确方法。LFI 是在受控条件下探测硅漏洞的黄金标准，随着金属层的厚度越来越大，背面访问的使用越来越多，这使得基板工程对于安全至关重要。FD-SOI 消除了体 CMOS 中发现的主要 LFI 故障机制，显着降低了激光故障的脆弱性，并需要更多的激光射击来诱发故障。FD-SOI 的物理弹性简化了对 ISO/SAE 21434 等汽车网络安全标准的合规性，并有助于实现更高的保证级别，而无需采取广泛的额外对
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FD-SOI
汽车电子
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新型超低噪声开关稳压器具有超低噪声、高效率、小尺寸和大电流的特点，非常适合各种对噪声敏感的射频应用场景，包括5G/无线通信、防务领域、仪器仪表等。Silent Switcher 3进阶型开关稳压器系列拥有超低的输出噪声，在低频范围（0.1 Hz至100 kHz）内，其噪声甚至比大多数低压差(LDO)稳压器还要低。本文研究了与传统的降压式稳压器加LDO稳压器解决方案相比，在噪声敏感型RF系统中应用超低噪声开关稳压器所面临的挑战和带来的系统优势。
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稳压器
射频
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我们探讨了用于线性化射频放大器的模拟预失真的基本概念，并回顾了一些常见的实现方式。现代通信系统使用具有时变包络和相位角的信号。为了处理这些信号，发射机需要线性功率放大器（PA）。然而，它们也需要高效率的功率放大器。正如我们所知，这样的放大器不可避免地是非线性的。幸运的是，有许多方法可以线性化功率放大器的响应。我们在上一篇文章中了解到的一种方法是找到失真并将其从功率放大器的输出信号中减去。这被称为前馈线性化。预失真是另一种常用的线性化技术。它不是在输出端校正信号，而是在功率放大器之前放置一个非线性电路，使组
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线性化射频放大器
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1. 什么是射频？射频简称RF，是高频交流变化电磁波的简称。电磁波其实就是比较熟悉的概念了，依据麦克斯韦的电磁场理论：振荡的电场产生振荡的磁场，振荡的磁场产生振荡的电场，电磁场在空间内不断向外传播，形成了电磁波。下图可以大致体现体现这个过程，E代表电场，B代表磁场。在轴上同一位置的电场、磁场的相位和幅度均会随着时间发生变化。通常情况下，射频（RF）是振荡频率在300KHz-300GHz之间的电磁波的统称，被广泛应用于雷达和无线通信。2. 射频基本特征为了描述给定射频信号，可以从频率、波长、幅度、相位四个角
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射频
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全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布一项非易失性存储领域的重大创新。该创新利用X-FAB同类最佳的SONOS技术：基于其高压BCD-on-SOI XT011这一110nm工艺节点平台，X-FAB可为客户提供符合AECQ100 Grade-0标准的32kByte容量嵌入式闪存IP，并配备额外的4Kbit EEPROM。此外，从2025年起，X-FAB还计划推出更大容量的64KByte、128KByte闪存以及更大存储空间的EEPRO
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X-FAB
BCD-on-SOI
嵌入式数据存储
晶相光电 JX-K302P 是一款全新四百万分辨率 CMOS 图像传感器，提供了背照式+近红外线(BSI/NIR)技术。该技术能够明显提升近红外灵敏度，实现优异的图像质量。通过BSI NIR+技术，安防监控摄像头可以使用较少的红外LED灯，并在低光源和近红外条件下仍能获得高质量的图像。搭配不同平台SOC，可适用于安防监控、车载高清、USB摄影机、打猎相机、红外夜视仪、运动摄影机和物联网 AI 相机等领域。►场景应用图►产品实体图►展示板照片►方案方块图SOI-SOI►核心技术优势1. SOI JX-K30
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晶像光电
SOI
JX-K302P
物联网感测器
关于射频模拟设计中的噪声分析，通过示例了解噪声系数度量，包括本规范的关键方面。除了一些特定的应用，例如，当需要抖动效果时，噪声通常是一种不想要的现象。科学家和工程师已经表征了不同电路元件产生的噪声，并开发了可用于分析电路噪声性能的方法。在模拟电路设计中，我们通常将噪声效应建模为输入参考噪声电压和电流源。然而，在射频（RF）设计中，噪声系数度量可以是表征电路噪声性能的更有用的方法。在本文中，我们将介绍噪声系数度量，强调该规范的一些微妙之处，最后看一个例子来澄清所讨论的概念。射频模拟设计中的噪声分析我们通常用
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噪声系数度量，射频电路，噪声，RF
本文要点：• 小信号 RF 放大器的用途。• 用于小信号 RF 放大器的分压器晶体管偏置电路。• 单级小信号 RF 放大器的设计步骤。几乎所有的电子电路都依赖于放大器，放大器电路会放大它们接收到的输入信号。基本的放大器电路由双极结型晶体管组成，晶体管偏置使器件在有源区运行。晶体管的有源区用于放大目的。当晶体管偏置为有源区时，施加在输入端子上的输入信号会使输出电流出现波动。波动的输出电流流过输出电阻，产生经过放大的输出电压。有些放大器能放大微弱 RF 输入信号且（与静态工作点相比）输出电流波动较小，它们称为
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RF
放大器
在采样速率和可用带宽方面，当今的射频模数转换器(RF ADC)已有长足的发展，其中还纳入了大量数字处理功能，电源方面的复杂性也有提高。那么，RF ADC为什么有如此多不同的电源轨和电源域？为了解电源域和电源的增长情况，我们需要追溯ADC的历史脉络。早期ADC采样速度很慢，大约在数十MHz内，而数字内容很少，几乎不存在。电路的数字部分主要涉及如何将数据传输到数字接收逻辑——专用集成电路 (ASIC) 或现场可编程门阵列 (FPGA)。用于制造这些电路的工艺节点几何尺寸较大，约在180 nm或更大。使用单电压
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ADI
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ADC
近期，Guerrilla RF宣布收购了Gallium Semiconductor的GaN功率放大器和前端模块产品组合。Guerrilla RF表示，通过此次收购，公司获得了Gallium Semiconductor 所有现有的元件、正在开发的新内核以及相关知识产权(IP)。公司将为无线基础设施、军事和卫星通信应用开发新的GaN器件产品线并实现商业化。Guerrilla RF官方经销商Telcom International的一位员工表示，公司计划向韩国市场供应Guerrilla RF的射频晶体管，并将其
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Guerrilla RF
Gallium GaN
晶相光电 JX-F355P 是一款全新2百万分辨率 CMOS 图像传感器，提供了背照式+近红外线(BSI/NIR)技术。可搭配不同平台SOC，适用于安防监控、车载高清、USB摄影机、打猎相机、红外夜视仪、运动摄影机和物联网 AI 相机等领域。►场景应用图SOI-SOI►产品实体图SOI-SOI►展示板照片SOI-SOISOI-SOI►方案方块图SOI-SOI►核心技术优势1. SOI JX-F355P BSI NIR+ 近红外线加强 像素技术，可为在低光或无光环境中运行的应用提供新的可能性，同时降低总功耗
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晶像光电
SOI JX-F355P
物联网感测器
6月14日，纯化合物半导体代工厂稳懋半导体（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司扩大了其RF
GaN技术组合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化镓（GaN）技术测试版NP12-0B平台。目前，NP12-0B鉴定测试已经完成，最终建模/PDK生成预计将于2024年8月完成，并计划于2024年第三季度末发布完整的生产版本。据稳懋半导体介绍，该平台的核心是0.12μm栅极RF GaN
HEMT技术，该技术结合了多项改进，以增强直流和射频的耐用性，并增加芯片级防潮性。NP12-0
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纯化合物
半导体
RF GaN
意法半导体(ST)宣布基于 18 纳米全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI) 技术并整合嵌入式相变存储器 (ePCM)的先进制造工艺，支持下一代嵌入式处理器升级进化，并将此技术应用在通用32位MCU市场领先的STM32系列MCU产品。
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意法半导体
MCU
FD-SOI
STM32
在低频下工作的普通电路与针对RF频率设计的电路之间的关键区别在于它们的电气尺寸。RF设计可采用多种波长的尺寸，导致电压和电流的大小和相位随元件的物理尺寸而变化。这为RF电路的设计和分析提供了一些基础的核心原理特性。基本概念和术语假设以任意负载端接传输线路（例如同轴电缆或微带线），并定义波量a和b，如图1所示。图1.以单端口负载端接匹配信号源的传输线路。这些波量是入射到该负载并从该负载反射的电压波的复振幅。我们现在可以使用这些量来定义电压反射系数Γ，它描述了反射波的复振幅与入射波复振幅的比值：反射系数也可以
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ADI
RF
波反射
罗德与施瓦茨与索尼半导体以色列（Sony）合作，达成了3GPP Rel. 17 NTN NB-IoT RF性能验证的行业首次里程碑。他们还成功验证了基于PCT的测试用例。两项工作都有助于NTN NB-IoT技术的市场就绪。在2024年巴塞罗那世界移动通信大会上，罗德与施瓦茨将在其展台上展示与Sony的Altair NTN Release 17 IoT设备一起进行NTN NB-IoT测试的实时演示。与Sony的合作中，罗德与施瓦茨成功验证了Sony的Altair设备的NTN NB-IoT功能。使用罗德与施瓦
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罗德与施瓦茨
索尼
3GPP Rel. 17
NB-IoT
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就在几个月之前，一则消息被各大媒体平台报道：2023年7月3日，为维护国家安全和利益，中国相关部门发布公告，决定自8月1日起，对镓和锗两种关键金属实行出口管制。至此有不少不关注该领域的读者突然意识到，不知道从什么时候开始，我国的镓和锗已经悄悄成为了世界最大的出口国。根据一份中国地质科学院矿产资源研究所2020年的一份报告显示，目前镓的世界总储量约 23 万吨，中国的镓金属储量居世界第一，约占世界总储量的 80%-85%，而我国的镓产量则是压倒性的占到了全球产量的90%到95%。而作为镓的化合物，砷化镓、氮
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氮化镓
相控阵
『这个知识不太冷』系列，旨在帮助小伙伴们唤醒知识的记忆，将挑选一部分Qorvo划重点的知识点，结合产业现状解读，以此温故知新、查漏补缺。在过去十年中，移动无线数据快速增长，使得运营商愈加迫切地需要新频段和新技术，以满足用户对无线数据容量的需求。这种需求不仅推动了无线技术的发展，也增加了对增强型射频(RF)滤波器技术的需求，以帮助减少系统干扰，扩大RF覆盖范围，增强接收器性能，并提升共存特性。本篇内容将介绍RF滤波器的工作原理，以及如今的应用中使用的各种技术版本。首先介绍关于滤波器的一些基本实情，以及它们带
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Qorvo
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滤波器
IT之家 12 月 19 日消息，射频芯片制造商美国威讯联合半导体有限公司（Qorvo）宣布，与立讯精密建立战略合作伙伴关系并达成最终协议，向后者出售位于北京和山东德州的组装和测试工厂，预计明年上半年完成交易。据IT之家了解，交易完成后，立讯精密将接管上述工厂的运营和资产，包括物业、厂房、设备与现有员工。威讯联合半导体将保留在中国的销售、工程和客户支持员工，继续为客户提供服务。立讯精密将根据新签订的长期供应协议为威讯联合半导体组装和测试产品。威讯联合半导体首席财务官格兰特・布朗（Grant Br
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Qorvo
RF
受到美国政府的干扰，中国半导体产业发展遇到了诸多困难，同时也给原来没有得到足够关注的技术或企业提供了很好的发展机遇，SOI（绝缘体上硅）制程工艺就是其中之一。2019 年之前，当先进制程工艺演进到 10nm 时，当时昂贵的价格，以及漏电流带来的功耗水平偏高问题，一直是业界关注的难题，SOI 正是看到了 FinFET 的这些缺点，才引起人们关注的，它最大的特点就是成本可控，且漏电流非常小，功耗低。在实际应用中，SOI 主要分为 FD-SOI（全耗尽型绝缘体上硅）和 RF-SOI（射频绝缘体上硅）。FD-SO
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SOI
国际电信联盟(ITU)将433.92 MHz工业、科学和医学(ISM)频段分配给1区使用，该区域在地理上由欧洲、非洲、俄罗斯、蒙古和阿拉伯半岛组成。尽管最初旨在用于无线电通信之外的应用，但多年来无线技术和标准的进步使得ISM频段在短距离无线通信系统中颇受欢迎。ITU 1 区的运营商无需为使用433.92 MHz频段获得许可，常见应用包括软件定义无线电、医疗设备和重型机械的工业无线电控制系统。在美国，433.92 MHz频段由获得许可的业余无线电台使用。任何无线电传输应用都需要高增益放大器来驱动天线。根据应
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无线电通信
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电源管理
混合动力汽车 (HEV) 和全电动汽车 (EV) 设计如今广受关注，一个重要的技术趋势正悄然影响着汽车行业——汽车动力系统中的 48V 直流 (DC) 总线系统。48V 系统不仅适用于全电动汽车和混合动力汽车，它还适用于更常见的内燃机汽车。汽车应用 48V 电网48V 系统有何独特之处？与在常规的供电条件下一样，48V 系统归根到底仍然遵循欧姆定律和基础物理学规律，与电势差 (V = IR)、电功率 (P = IV) 及功率损耗 (P = I2R) 相关。供电仍需要电流与电压的结合，但电势差（损耗）随电流
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Power-SOI
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车用连接器的主要作用，就是在车载电路系统中实现可靠的物理连接，使电路可以实现预定的功能。对于汽车而言，车用连接器是必不可少的基础元器件，事实上汽车领域已经成为连接器应用最广泛的市场之一。随着汽车智能化进程的迅速深入，高级辅助驾驶系统（ADAS）、车联网（V2X）、车载信息娱乐系统等新型智能技术的渗透率正快速提升，并且智能驾驶体系正向着L3级（有条件自动驾驶）不断迭代。在这样的大趋势下，车用传感器（摄像头、毫米波雷达和激光雷达等）的用量显著增加，数据传输要求水涨船高，因而ADAS等系统需要配备更高带宽的传输
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Mouser
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车用连接器
中国北京，2023年6月2日——全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成为业界首家推出110纳米BCD-on-SOI解决方案的代工厂，由此加强了其在BCD-on-SOI技术领域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平台反映了模拟应用中对更高数字集成和处理能力日益增长的需求。其将SOI和DTI极具吸引力的特性结合在一起，因此与传统Bulk BCD工艺相比，高密度数字逻辑和模拟功能可以更容易地集成至单个芯片。X-F
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X-FAB
110纳米
BCD-on-SOI
本文演示了如何使用SIMPLIS Technologies 的SIMPLIS模拟器来预测和优化下一代 GPU 的电源行为，其中高转换率要求和超过 1,000 A 的电流水平需要更快的瞬态响应。如今，图形处理单元 (GPU) 具有数百亿个晶体管。随着每一代新一代 GPU 的出现，GPU 中的晶体管数量不断增加，以提高处理器性能。然而，晶体管数量的增加也导致功率需求呈指数增长，这使得满足瞬态响应规范变得更加困难。本文演示了如何使用SIMPLIS Technologies 的SIMPLIS模拟器来预测和优化下一
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滤波器
RF复杂测试对测试设备提出更高需求无线通信系统的不断更新产生了对先进RF测试设备的需求，以满足这项新技术的复杂测试要求。这些测试设备需要能够处理更高的频率、更宽的带宽和更复杂的调制方案。 波束成形：使用先进的波束成形技术来提高信号强度和质量。多通道测试应侧重于测试系统的波束成形能力，包括波束控制、波束跟踪和波束成形算法性能。 大规模MIMO：大规模MIMO技术涉及使用大量天线来提高信号质量和容量。多通道测试应侧重于测试大规模MIMO系统的性能，包括天线放
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宽带多通道
调试信号分析
RF
测试
泰克
过去十年，天线调谐技术领域发生了巨大变化。天线变得更小、性能更强，能处理更多的射频信号。这些发展的核心是绝缘硅片 (SOI) 技术——它提供的调谐能力提高了设计灵活性，并大幅改善了性能。复杂射频世界中的器件性能有时候，科技似乎在飞速发展，日新月异——产品变得越来越小，处理速度越来越快，我们的世界刹那间便不同以往。移动设备的天线也是如此。支持许多频段的更小移动设备使得天线更加复杂。对于工程师而言，这种复杂性也是需要攻克的障碍。与此同时，技术开发工程师每推出一代新技术，都会做出渐进式改进，通过这种持续改善来帮
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