里昂证券出具报告表示，看好台积电(2330-TW)先进技术2015年量产，将可供应20奈米设备和16奈米FinFET制程，预估其资本支出将再2014年达到高峰，虽然近期密集产能扩张，但2015年将会衰退10%，考量现金流和回报率，给予买进，并将目标价从126元上调140元。
FinFET制程部分，里昂证券指出，FinFET技术是半导体产业在解决转进20奈米瓶颈的相关技术，结构性改变将使封装具有更好效能和较低耗电量，台积电预计在2015年前，积极抢进16奈米FinFET晶片制造
里昂证券也指
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台积电 FinFET
FinFET技术是电子行业的下一代前沿技术，是一种全新的新型的多门3D晶体管。和传统的平面型晶体管相比，FinFET器件可以提供更显著的功耗和性能上的优势。英特尔已经在22nm上使用了称为“三栅”的FinFET技术，同时许多晶圆厂也正在准备16纳米或14纳米的FinFET工艺。
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Cadence FinFET 晶圆 201304
ARM 与晶圆代工大厂台积电(TSMC)共同宣布，完成首件采用 FinFET 制程技术生产的 ARM Cortex-A57 处理器产品设计定案(tape-out)。Cortex-A57 处理器为能进一步提升未来行动与企业运算产品的效能，包括高阶电脑、平板电脑与伺服器等具备高度运算应用的产品，此次合作展现了双方在台积公司FinFET制程技术上，共同优化64位元ARMv8处理器系列产品所缔造的全新里程碑。
藉由 ARM Artisan 实体IP、台积电记忆体巨集以及开放创新平台(Open Innov
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ARM FinFET
亮点：
该里程碑有助于加速对FinFET技术的采用，以实现更快和更高能效的系统级芯片(SoC)
该合作为3D器件建模和物理设计规则支持奠定了基础
测试芯片验证了FinFET工艺和Synopsys® DesignWare®嵌入式存储器的成功采用
为芯片和电子系统加速创新提供软件、知识产权(IP)及服务的全球性领先供应商新思科技公司(Synopsys, Inc.， 纳斯达克股票市场代码：SNPS)日前宣布：该公司与三星在FinFET技术上的多年合作已经实现了一个关键
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Synopsys FinFET
三星21日宣布成功试产第1颗导入3D 鳍式场效晶体管(FinFET)的14纳米测试芯片，进度领先台积电，显示在苹果「去三星化」趋势已定下，三星力拚台积电的野心只增不减。
韩联社报导，三星与安谋(ARM)、益华(Cadence)、明导(Mentor)与新思(Synopsis)共同合作，成功试产出旗下第1颗采用FinFET技术的14纳米测试芯片。
三星系统芯片部门主管表示，14纳米FinFET制程技术可提升电子装置效能并降低耗电量，进一步改善行动环境，这也是IBM之后，第2家搭载安谋处理器架构
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三星 FinFET 14纳米
半导体产业正在转换到3D结构，进而导致关键薄膜层对高速原子层沉积(ALD)的需求日益升高。过去在平面元件中虽可使用几个 PVD 与 CVD 步骤，但就闸极堆叠的观点而言，过渡到 FinFET 元件将需要全方位的 ALD 解决方案。
就 FinFET 而言，以其尺寸及控制关键元件参数对后闸极 (gate last) 处理的需求来说，在 14 奈米制程必需用到全 ALD 层。半导体设备大厂 ASM International (ASMI) 针对此一趋势，与《电子工程专辑》谈到了ALD 技术在先进半导
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半导体 FinFET ALD
联电14nm鳍式电晶体(FinFET)制程技术将于后年初开始试产。联电正全力研发新一代14nmFinFET制程技术，预计效能可较现今28nm制程提升35～40%，可提供通讯晶片与应用处理器低功耗与高效能优势，扩大抢攻通讯与消费性电子IC制造商机。
联电执行长孙世伟表示，14nmFinFET制程技术将会是联电切入未来次世代通讯运算市场的最佳利器。
联电执行长孙世伟表示，由于晶圆从28跨入20nm制程以下的微缩过程中，势必得使用双重曝光(DoublePatterning)微影技术才能实现，而此
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联电 处理器 14nm FinFET
电子设计企业Cadence Design Systems, Inc.今天宣布，借助IBM FinFET晶体管技术，已经成功流片了14nm工艺的ARM Cortex-M0处理器试验芯片。
Cadence、ARM、IBM三者之间已经达成了多年的合作协议
Cadence、ARM、IBM三者之间已经达成了多年的合作协议，共同开发14nm以及更先进的半导体工艺，14nm芯片和生态系统就是三方合作的一个重要里程碑。
这次的试验芯片主要是用来对14nm工艺设计IP的
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Cadence 芯片 FinFET
台积电在本周二(10月16日)的年度大会中，宣布制订了20nm平面、16nm FinFET和2.5D发展蓝图。台积电也将使用ARM的第一款64位元处理器V8来测试16nm FinFET制程，并可望在未来一年内推出首款测试晶片。
台积电与其合作伙伴们表示，用于20nm和16nm FinFET的双重图形技术对晶片设计人员带来了极大挑战。台积电的发展蓝图大致与竞争对手Globalfoundries 类似，都希望能在明年启动20nm制程，2014开始14nm FinFET制程。
台积电的目标提前在
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台积电 FinFET ARM V8
日前，GLOBALFOUNDRIES宣布推出采用FinFET架构的14nm-XM技术，其全球销售和市场营销执行副总裁Michael Noonen近日接受媒体访问，对有关问题进行了解读。
XM 是 eXtreme Mobility 的缩写，作为业界领先的非平面结构，它真正为移动系统级芯片(SoC)设计做了优化，能提供从晶体管到系统级的全方位产品解决方案。与目前20纳米节点的二维平面晶体管相比，该技术可望实现电池功耗效率提升 40%~60%。
Noonen表示：“201
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FinFET 14nm
台积电最近表示，其首个 FinFET 制程将会搭配16nm节点，而且可能会在2015年下半年量产。不过，台积电也会在20nm后段制程中使用 FinFET ，因此，该公司的 FinFET 时程表可能还会有变数。
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台积电 FinFET
随着半导体产业向22纳米技术节点外观的发展，一些制造商正在考虑从平面CMOS晶体管向三维（3D）FinFET器件结构的过渡。相对于平面晶体管，FinFET元件提供更好的渠道控制，因此，降低短通道效应。当平面晶体管的栅极在沟道之上，FinFET的栅极环绕沟道，从双向提供静电控制。
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SOI 体硅 FinFET
自从Intel正式对外公布22nm制程节点将启用Finfet垂直型晶体管结构，吸引了众人的注意之后，台积电，GlobalFoundries等芯片代工厂最近纷纷表态称芯片代工市场在未来一段时间内(至少到下一个节点制程时)仍将采用传统基于平面型晶体管结构的技术。他们给出的理由是，Intel手上只有少数几套芯片产品，因此Intel方面要实现到Finfet的晶体管架构升迁时，在芯片设计与制造方面需要作出的改动相对较小，而芯片代工商则情况 完全不同。
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台积电 Finfet
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