- 比利时微电子研究中心(IMEC)宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合III-V族与矽晶材料的3DFinFET化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩CMOS至7nm及其以下，以及实现混合CMOS-RF与CMOS光电元件的化合物。
随着晶片微缩即将接近原子级的限制，业界致力于提高晶片性能与降低功耗的各种方法逐渐面临瓶颈。透过为矽晶整合更高性能的材料，例如可提供更高载子速度与更高驱动电流的III-V族电晶体通道，这种新的化合物半导体可望超越矽晶本身性能，持续微缩至更制程。
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FinFET 矽材料
- Mentor Graphics公司(纳斯达克代码：MENT)日前宣布它已完成其用于台积电16纳米FinFET制程的数字成套工具。台积电16纳米参考流程包含一些新功能，用于Olympus-SoC™布局与布线系统的16纳米设计，以及Calibre®物理验证和可制造性设计(DFM)平台。
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Mentor FinFET
- FinFET称为鳍式场效晶体管，由于晶体管的形状与鱼鳍的相似性而得到该命名。这是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。FinFET是对场效晶体管的一项创新设计，变革了传统晶体管结构，其控制电流通过的闸门被设计成类似鱼鳍的叉状3D架构，将原来的单侧控制电路接通与断开变革为两侧。
FinFET这样创新设计的意义，在于改善了电路控制并减少漏电流，缩短了晶体管的闸长，对于制程流程、设备、电子设计自动化、IP与设计方法等产生重要影响与变革。FinFET技术升温，使得半导体业战火重燃，尤其是以Fi
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FinFET 半导体制造
- 半导体业界已发展出运用FinFET的半导体制造技术，对制程流程、设备、电子设计自动化、IP与设计方法产生极大变化。特别是IDM业者与晶圆代工厂正竞相加码研发以FinFET生产应用处理器的技术，促使市场竞争态势急速升温。
过去数10年来，互补式金属氧化物半导体(CMOS)平面电晶体一直是电子产品的主要建构材料，电晶体几何结构则一代比一代小，因此能开发出高效能且更便宜的半导体晶片。
然而，电晶体在空间上的线性微缩已达极限，电晶体缩小到20奈米(nm)以下，会降低通道闸极控制效果，造成汲极(Dr
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半导体 FinFET
- 日前，SeMind举办了圆桌论坛，邀请半导体设计与制造的专家齐聚一堂，共同探讨未来晶体管、工艺和制造方面的挑战，专家包括GLOBALFOUNDRIES的高级技术架构副总裁Kengeri SUBRAMANI ，Soitec公司首席技术官Carlos Mazure，Intermolecular半导体事业部高级副总裁兼总经理Raj Jammy以及Lam公司副总裁Girish Dixit。
SMD ：从你们的角度来看，工艺升级短期内的挑战是什么?
Kengeri ：眼下，我们正在谈论的28nm到2
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FinFET 3D
- 鳍式电晶体(FinFET)将成晶圆厂新角力战场。为卡位16/14纳米市场商机，台积、联电和格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)正倾力投资FinFET技术，并各自祭出供应链联合作战策略，预计将于2014～2015年陆续投入量产，让晶圆代工市场顿时硝烟弥漫。
FinFET制程将成晶圆厂新的角力战场。为卡位16/14纳米市场商机，并建立10纳米发展优势，台积电、联电和格罗方德正倾力投资FinFET技术，并已将开战时刻设定于2014?2015年;同时也各自祭出供应链联合作战策略，期抗衡英特尔和三星
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FinFET 晶圆
- 英格兰锡尔--(美国商业资讯)--世界领先的系统到芯片集成电路设计咨询公司之一的英盛德认为，FinFET技术使用的日趋盛行将为集成电路设计商带来新的挑战，因为这些设计商希望从新构架带来的尺寸优势中受益。
工程部副总裁Kevin Steptoe解释说：“最近，在德州召开的设计自动化大会(Design Automation Conference)上，展厅中讨论FinFET技术的声音不绝于耳。同样，我们发现我们的客户——包括消费、电脑和图形行业领域的最知名企业&md
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集成电路设计 FinFET
- 根据美国商业资讯报导，世界领先的系统到晶片积体电路设计顾问公司之一的英盛德(Sondrel)认为，FinFET技术使用的日趋盛行将为积体电路设计商带来新的挑战，因为这些设计商希望从新构架带来的尺寸优势中受惠。
工程部副总裁Kevin Steptoe解释说：「最近，在德州召开的设计自动化大会(Design Automation Conference)上，展场中讨论FinFET技术的声音不绝于耳。同样，我们发现我们的客户——包括消费、电脑和图形产业领域的最知名企业&mdash
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Sondrel FinFET
- 一线晶圆厂正纷纷以混搭20纳米制程的方式，加速14或16纳米鳍式电晶体(FinFET)量产脚步。包括IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆预计在2014年以14纳米FinFET前段闸极结合20纳米后段金属导线制程的方式达 成试量产目标;而台积电为提早至2015年跨入16纳米FinFET世代，初版方案亦可望采用类似的混搭技术，足见此设计方式已成为晶圆厂进入 FinFET世代的共通策略。
联华电子市场行销处处长黄克勤提到，各家厂商在16/
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晶圆 FinFET
- 一线晶圆厂正纷纷以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鳍式电晶体(FinFET)量产脚步。包括IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆预计在2014年以14奈米FinFET前段闸极结合20奈米后段金属导线制程的方式达成试量产目标;而台积电为提早至2015年跨入16奈米FinFET世代，初版方案亦可望采用类似的混搭技术，足见此设计方式已成为晶圆厂进入FinFET世代的共通策略。
联华电子市场行销处处长黄克勤提到，各家厂商在16/14奈
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晶圆 FinFET
- 晶圆代工厂迈入高投资与技术门槛的鳍式场效电晶体(FinFET)制程世代后，与整合元件制造商(IDM)的竞争将更为激烈，因此台积电正积极筹组大联盟(Grand Alliance)，串连矽智财(IP)、半导体设备/材料，以及电子设计自动化(EDA)供应商等合作夥伴的力量，强化在FinFET市场的竞争力。
台积电董事长暨总执行长张忠谋提到，今年台积电虽屡创季营收新高，但第四季因客户调整库存可能出现微幅下滑的情形。
台积电董事长暨总执行长张忠谋表示，台积电在20奈米(nm)市场仍未看到具威胁性的对
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台积电 FinFET
- 联华电子与全球半导体设计制造提供软件、IP与服务的领导厂商新思科技(Synopsys)，日前(26日)共同宣布，两家公司的合作已获得成果。采用新思科技DesignWare®逻辑库的IP组合及 Galaxy™实作平台的一部分-寄生StarRC™萃取方案，成功完成了联华电子第一个14奈米FinFET制程验证工具的设计定案。
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联华 新思 FinFET
- 联华电子与IBM日前(13日)共同宣布，联华电子将加入IBM技术开发联盟，共同开发10奈米CMOS制程技术。
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联华 IBM FinFET
- 里昂证券出具报告表示，看好台积电(2330-TW)先进技术2015年量产，将可供应20奈米设备和16奈米FinFET制程，预估其资本支出将再2014年达到高峰，虽然近期密集产能扩张，但2015年将会衰退10%，考量现金流和回报率，给予买进，并将目标价从126元上调140元。
FinFET制程部分，里昂证券指出，FinFET技术是半导体产业在解决转进20奈米瓶颈的相关技术，结构性改变将使封装具有更好效能和较低耗电量，台积电预计在2015年前，积极抢进16奈米FinFET晶片制造
里昂证券也指
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台积电 FinFET
- FinFET技术是电子行业的下一代前沿技术，是一种全新的新型的多门3D晶体管。和传统的平面型晶体管相比，FinFET器件可以提供更显著的功耗和性能上的优势。英特尔已经在22nm上使用了称为“三栅”的FinFET技术，同时许多晶圆厂也正在准备16纳米或14纳米的FinFET工艺。
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Cadence FinFET 晶圆 201304
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