全耗尽型绝缘上覆矽(FD-SOI)制程技术正从原本的“迟到”(too-late)位置摇身一变，成为可望在物联网(IoT)与汽车市场取代鳍式场效电晶体(FinFET)的理想替代方案了。对于许多人来说，业界主导厂商代表出席一场相关领域的业界活动，象征着为这项技术背书。
“我认为，FD-SOI正蓄势待发。也许还得经过几年的时间，但它终将获得新的动能，并发展成为一项关键技术，”International Business Strategies (IBS)创
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FD-SOI FinFET
身为一位记者，我发现撰写有关于“热门”公司、技术与人物的报导，要比我通常负责的技术主题容易得多;一旦我写了那些“时髦”的标题，我会确实感受到人气飙涨。
因 为几乎每家媒体都穷追不舍，我不需要向读者解释为何我要写那些，以及那些新闻为何对他们重要;我马上想到的是美国总统候选人川普(Donald Trump)、苹果(Apple)还有FinFET。而相反的，要写冷门题材、比较少人讨论的话题，挑战性就高得多;部分读者会有先入为主的看法，认为那 些题目不关他们
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FD-SOI FinFET
本文介绍了Soitec半导体公司的全耗尽绝缘硅(FD-SOI)的特点、最新进展及其生态系统，并将FD-SOI与FinFET作比较，分析了各自的优势、应用领域和应用前景。
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FD-SOI FinFET 制造 201604
ARM和台积电宣布签订针对7纳米 FinFET工艺技术的长期战略合作协议，涵盖了未来低功耗，高性能计算SoC的设计方案。该合作协议进一步扩展了双方的长期合作关系，并将领先的工艺技术从移动手机延伸至下一代网络和数据中心。此外，该协议还拓展了此前基于ARM® Artisan® 基础物理IP 的16纳米和10纳米 FinFET工艺技术合作。 ARM全球执行副总裁兼产品事业群总裁
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ARM FinFET
三星(Samsung)即将量产用于其Exynos 8 SoC的14奈米(nm) Low Power Plus (LPP)制程，这项消息持续引发一些产业媒体的关注。三星第二代14nm LPP制程为目前用于其Exynos 7 SoC与苹果(Apple) A9 SoC的第一代14nm Low Power Early (LPE)制程提供了进一步的更新。
业界目前共有三座代工厂有能力制造这种鳍式场效电晶体(FinFET)：英特尔(Intel)、三星 和台积电(TSMC)。TechInsights曾经在去年
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三星 FinFET
半导体业自28纳米进步到22/20纳米，受193i光刻机所限，必须采用两次图形曝光技术(DP)。再进一步发展至16/14纳米时，大多采用finFET技术。如今finFET技术也一代一代升级，加上193i的光学技术延伸，采用SADP、SAQP等，所以未来到10纳米甚至7纳米时，基本上可以使用同样的设备，似乎己无悬念，只是芯片的制造成本会迅速增加。然而到5纳米时肯定是个坎，因为如果EUV不能准备好，就要被迫采用五次图形曝光技术(FP)，这已引起全球业界的关注。
而对于更先进5纳米生产线来说，至今业界
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5纳米 finFET
应用材料集团副总裁暨台湾区总裁余定陆认为，在3D NAND和10奈米技术带动下，今年晶圆代工资本支出有望回升。 应 用材料集团副总裁暨台湾区总裁与全球半导体业务服务群跨区域总经理余定陆表示，2015年看到这四年以来晶圆代工的资本支出进入谷底，预估今年投资水位有 望提升，而大部分支出将发生在下半年，其中有五成以上将集中于10奈米技术;对晶圆代工来说，10奈米不同于16奈米，最显着变化在于鳍式场效电晶体 (FinFET)
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晶圆 FinFET
一直在先进制程晶圆代工技术领域与台积电(TSMC)激烈竞争的三星电子(Samsung Electronics)，可能以其第二代14奈米FinFET制程劫走所有高通(Qualcomm)的订单?三星最近宣布推出了采用其14奈米LPP (Low-Power Plus)技术的商业化量产逻辑制程。
香港Maybank Kim Eng分析师Warren Lau表示，高通在两年前约贡献所有台积电订单的近两成，到2017年之后会将大多数10/14奈米订单转往三星：“三星会是未来高通14奈米晶片与数据
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三星 FinFET
尽管GPU(绘图处理器)市场剩下AMD与NVIDIA两大供应商，但在先进技术的投入上，仍然没有手软过。
AMD的GPU主力产品Radeon系列，在去年推出导入HBM(高频宽记忆体)技术后，引来市场关注。AMD又在今天发布Radeon新一代的产品Polaris架构，采用14奈米FinFET制程，目前已经送样给主要的OEM客户，预计在今年年中进入量产时程，该产品适用于笔记型电脑、VR(虚拟实境)与桌上型电脑等领域。
据AMD资深副总裁Raja Koduri公开表示，Polaris架构有别于过往
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AMD FinFET
DIGITIMES Research观察，大陆半导体产业近期积极拥抱全空乏绝缘上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有时也称Ultra-Thin Body;UTB)制程技术，包含拜会关键晶圆片底材供应商、签署相关合作协议、于相关高峰论坛上表态等。大陆选择FD-SOI路线，而非台积电(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特尔(Intel)的FinFET(鳍式场效电晶体)路线，估与手
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半导体 FinFET
最近，关于iPhone6s A9处理器版本的事情的话题很热，最后都闹到苹果不得不出来解释的地步，先不评判苹果一再强调的整机综合续航差2~3%的准确性，但是三星14nm工艺相比台积电16nm工艺较差已经可以说是板上钉钉的事了。
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A9处理器 台积电 三星 Finfet
Intel曾经自己高调宣扬过，整个世界也都承认，无与伦比的先进制造工艺是这家芯片巨头永远令人眼红的优势。14nm工艺虽然从年初拖到了年底，但到时候仍然是这个地球上最先进的。其他半导体企业纷纷减缓脚步或者合纵连横的同时，Intel仍在坚持独行，仍在引领世界。
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Intel FinFET 14nm
这一年来半导体最热门的新闻，大概就属FinFET了，到底什么是FinFET?它的作用是什么?为什么让这么多国际大厂趋之若骛呢?
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FinFET ARM
鳍式电晶体(FinFET)与3D NAND有助实现更高运算/储存效能、低耗电量与低成本，满足车载装置、物联网和穿戴式装置发展需求，因此半导体设备商应用材料(Applied Materials)看好FinFET与3D NAND飞跃增长的潜力，已研发相关的蚀刻机台和磊晶技术。
应用材料副总裁兼台湾区总裁余定陆指出，随着先进制程发展，该公司产品开发有两大重点方向，一是电晶体与导线技术，另一个是图形制作与检测技术。
应用材料副总裁兼台湾区总裁余定陆表示，从28奈米到20奈米，甚至发展至16/14奈
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FinFET 3D NAND
这么多年，新工艺一直是AMD的痛点。早年自己生产进展跟不上，现在拆分出去了GlobalFoundries更是回回炸雷，台积电都跑去抱苹果的大腿了，导致其CPU还是停留在32nm，APU和GPU也仍是28nm。
不过在昨日的财务会议上，AMDCEOLisaSu兴奋地透露，其首批两款基于FinFET新工艺的芯片已经完成了流片，进展顺利，接下来就可以去投产了。
她并没有说具体是哪两款产品(估计会是新架构ZenCPU和下一代的APU)，甚至至今不肯提及代工伙伴是谁，台积电16nm、GF14nm都有
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