- 随着集成电路工艺制程技术的不断发展，为了提高集成电路的集成度，同时提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不断缩小，MOS器件面临一系列的挑战。
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MOS FinFET
- 在这样一个对数字电路处理有利的世界中，模拟技术更多地用来处理对它们不利的过程。但这个现象可能正在改变。 我们生活在一个模拟世界中，但数字技术已经成为主流技术。混合信号解决方案过去包含大量模拟数据，只需要少量的数字信号处理，这种方案已经迁移到系统应用中，在系统中第一次产生了模数转换过程。 模拟技术衰落有几个原因，其中一些是建立在自身缺陷上的。摩尔定律适用于数字电路而不是模拟电路;晶体管可以而且必须做得更小，这有利于数字电路。但这对模拟晶体管的影响并不大，反而器件尺寸越小，模拟器件特性往往越差。器件的
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摩尔定律 FinFET
- 格芯今日宣布推出其具有7纳米领先性能的(7LP)FinFET半导体技术，其40%的跨越式性能提升将满足诸如高端移动处理器、云服务器和网络基础设施等应用的需求。设计套件现已就绪，基于7LP技术的第一批客户产品预计于2018年上半年推出，并将于2018年下半年实现量产。 2016年9月，格芯曾宣布将充分利用其在高性能芯片制造中无可比拟的技术积淀，来研发自己7纳米FinFET技术的计划。由于晶体管和工艺水平的进一步改进，7LP技术的表现远优于最初的性能目标。与先前基于14纳米FinFET技术的产品相比，预
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格芯 FinFET
- 大家都在谈论FinFETmdash;mdash;可以说，这是MOSFET自1960年商用化以来晶体管最大的变革。几乎每个人mdash;mdash;除了仍然热心于全耗尽绝缘体硅薄膜（FDSOI）的人，都认为20 nm节点以后，FinFET将成为SoC的未来。但是对于要使用这些SoC的系统开发人员而言，其未来会怎样呢？
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SoC Synopsys FinFET
- 由于低温沉积、薄膜纯度以及绝佳覆盖率等固有优点，ALD（原子层淀积）技术早从21世纪初即开始应用于半导体加工制造。DRAM电容的高k介电质沉积率先采用此技术，但近来ALD在其它半导体工艺领域也已发展出愈来愈广泛的应用。
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ALD 半导体制造 FinFET PVD CVD
- 随着高级工艺的演进，电路设计团队在最先进的晶片上系统内加载更多功能和性能的能力日益增强。与此同时，他们同样面临许多新的设计挑战。多重图案拆分给设计实施过程带来了许多重大布局限制，另外为降低功耗和提高性能而引入 FinFET 晶体管使之更加复杂，因为它对摆设和布线流程带来了更多的限制。下面就随模拟电子小编一起来了解一下相关内容吧。
FinFET布局和布线要经受各种挑战
随着高级工艺的演进，电路设计团队在最先进的晶片上系统内加载更多功能和性能的能力日益增强。与此同时，他们同样面临许多新的设
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FinFET
- 英特尔(Intel)宣布将在2017年底之前启动全新22纳米鳍式场效电晶体(FinFET)制程22 FFL，相关开发套件(PDK)在接下来几个月也将陆续到位，市场上认为22 FFL的推出，显然是针对GlobalFoundries等业者以全空乏绝缘上覆硅(FD-SOI)为移动装置及物联网(IoT)应用所生产之同类芯片而来。
据EE Times Asia报导，英特尔称自家22 FFL是市场上首款为低功耗IoT应用及移动装置产品而开发出来的FinFET技术，能打造出高效能及低功耗的电晶体，漏电流(le
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英特尔 FinFET
- 继网罗到蒋尚义这位台湾半导体大将后，大陆半导体产业又有新动作。据报道，传大陆行业领头羊中芯国际要将梁孟松收入麾下，梁孟松或于 5 月出任中芯国际 CTO 或 COO。和蒋尚义一样，梁孟松同样来自台积电技术研发高层，他曾任台积电资深研发处长。
之前蒋尚义加入中芯时，已经是半导体行业的一枚重磅炸弹了，毕竟无论是从他 40 多年的行业经验还是在台积电的任职时间来看，他都堪称元老。在台积电，蒋尚义参与主导了从0.25微米、0.18微米直至16纳米制程技术的研发，张忠谋曾感激他为“台积电16年
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中芯国际 FinFET
- 台积电13日的法说会中，针对近期两大热门议题：日本半导体大厂东芝NAND Flash部门竞标案、先进制程3奈米晶圆厂的选址，一一对外界做最新的回覆。
自从台积电董事长张忠谋公开表示，考虑参与日本半导体大厂东芝(Toshiba)竞标案后，台积电对该案的态度备受市场关注，尤其参与竞标者又是鸿海、SK海力士(SK Hynix)、威腾(WD)等全球大厂。
台积电13日指出，内部确实评估过该案，但最后决定不去参与竞标，主要是两大原因，第一，内部认为这种标准型记忆体的商业模式和逻辑产业很不一样，第二是
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台积电 3nm
- 晶圆代工龙头台积电正式将赴美国设立晶圆厂列入选项，且目标直指最先进且投资金额高达5000亿元的3纳米制程。台湾地区媒体报道称，台积电3纳米出走将撼动全球半导体江山。
担忧台湾代工基地空气不佳、电力不稳
台媒引述指出，台积电政策转向，主因是南科高雄园区路竹基地，环评作业完成时间可能无法配合台积电需求，加上空气品质及台湾电力后续稳定不佳，也是干扰设厂的变数。
台积电表示，南科高雄园区路竹基地也未排除在外，持续观察，选地尚未决定。至于电力问题，台积电重申，考虑设厂地点，水、电、土地、人才，
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英特尔 3nm
- 台科技部长陈良基15日接受经济日报专访时表示,他上任后主动拜会台积电董事长张忠谋等科技大老,对台积电3纳米计划需求,政府将全力协助,也会特别关注半导体产业,并从近程及长期着手协助产业升级。
对于空污总量管制等环保要求,会否影响台积电3纳米进程,陈良基说:「我比较审慎乐观。我有看到台积电对3纳米需求,水电、土地、空污等因应措施,并没有不能解决的悲观。」他并预言,以人工智能(AI)技术为主的沛星互动科技(Appier),十年后有可能成为另一个「台积电」。
陈良基说,他跟张忠谋常碰面,上任后
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台积电 3nm
- 潘文渊文教基金会日前举行“潘文渊奖”颁奖典礼，2016年的得奖人是加州大学柏克莱分校讲座教授胡正明，他曾回台担任台积电首任技术长，也是工研院院士，他所研发的3D鳍式晶体管(FinFET)突破物理极限，堪称半导体工业40多年来的最大变革。
胡正明目前仍深耕学术教育，为产学研界培育众多优秀人才。 在颁奖典礼中，胡正明与清华大学前校长刘炯朗以“创新人才培育─迈向科技新世代”为题进行高峰论坛，两人提出许多深具启发性的见解。
肯定自己 解决问题就是创新
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FinFET
- 近日格罗方德12英寸晶圆厂落户中国成都引起业界关注，为何?因为FD-SOI技术。
众所周知，当栅极长度逼近20nm大关时，对电流控制能力急剧下降，漏电率相应提高。FinFET与FD-SOI恰是半导体微缩时代续命的高招。
尽管FinFET与FD-SOI师出同门，但是，两者却被“阵营化”，FinFET阵营占据绝对优势。格罗方德是为数不多的FD-SOI技术坚守与推动者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格罗方德12英寸晶圆厂能给出答案。
今天我们就来谈谈Fi
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FinFET FD-SOI
- 中国半导体业发展可能关键不在于方向在那里?而是确定方向之后，如何踏实去干，去解决一个一个难题。任何进步没有捷径，其中骨干企业的责任尤为重要。
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SOI finFET
- 2016年12月7日，高通宣布在服务器领域的最新进展：其首款10nm服务器芯片Qualcomm Centriq 2400开始商用送样，预计在2017年下半年实现商用。作为Qualcomm Centriq系列的首款产品，Centriq 2400采用最先进的10nm FinFET制程技术，这也是全球首款10nm处理器芯片，最高可配置48个核心。
高通官方介绍，Qualcomm Centriq 2400系列主打QDT的ARMv8可兼容定制内核——Qualcomm® Fa
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高通 FinFET
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