- Mentor, a Siemens business 今日宣布 Mentor Calibre® nmPlatform 和 Analog FastSPICE™ (AFS™) Platform 获得 TSMC 的 7nm FinFET Plus 和最新版本的 5nm FinFET 工艺的认证。此外，Mentor 还继续扩展 Xpedition™ Package Designer 和 Xpedition Substrate Integrator 产品的功能，以支持 TSMC 的高级封装产品。 TSMC 设
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Mentor FinFET
- 格芯是全球领先的全方位服务半导体代工厂，为世界上最富有灵感的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。2018年9月25日， 格芯在其年度全球技术大会(GTC)上，继在300mm平台上面向下一代移动应用推出8SW RF SOI客户端芯片后，格芯宣布计划在其14/12nm FinFET产品中引入全套新技术，这是公司加强差异化投资的全新侧重点之一，功能丰富的半导体平台为下一代计算应用提供具有竞争力的性能和可扩展性。新工艺技术旨在为快速增长市场(如超大规模数据中心和自动驾驶汽车)应用提供更好的可扩展性和性
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格芯 FinFET
- 5月28日，三星电子在位于美国的 2018 年三星半导体代工论坛上，公布其全面的芯片制程技术路线图，目前已经更新至 3nm 工艺。 据介绍，三星的 7nm LPP 将成为该公司首款使用EUV(极紫外光刻)方案的半导体工艺技术。以往三星的制程工艺都会分为 LPE 和 LPP 两代，不过 7nm 算是个例外，没有 LPE。之前已公布，三星 7nm LPP 将于 2018 年下半年量产，2019 年的高通和三星芯片有望采用该制造工艺。 三星表示，在 7nm LPP 之后推出的 5nm LPE 将为 So
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三星 芯片 3nm
- 半导体业界为EUV已经投入了相当庞大的研发费用，因此也不难理解他们急于收回投资。虽然目前还不清楚EUV是否已经100%准备就绪，但是三星已经迈出了实现大规模量产的第一步。
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三星 EUV 3nm
- 自从28纳米制程节点向下转进以来，就剩下四大晶圆代工厂商持续巩固先进制程：台积电、三星电子(SamsungElectronics)、GlobalFoundries(GF)以及英特尔(Intel)。但在这四大厂商转进16/14纳米先进制程过程中，又以GF历经最多波折，但最终，GF寻求向三星取得14纳米制程授权，更成功将该节点制程落实在自家晶圆厂。随后包括超微(AMD)旗下RyzenCPU与PolarisGPU系列产品的成功，均可说是GF旗下晶圆厂14纳米制程终于达到良率开出顺利，并且改善制程足以提供更明
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GF FinFET
- 现在主要的代工厂都在生产FinFET晶体管，这些FinFET以创纪录的速度实现了从设计到现货产品的转变。FinFET的发展普及一直都比较稳定，因为与平面器件相
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FinFET 动态功耗
- 台积电在8月14日宣布，公司董事会已批准了一项约45亿美元的资本预算。未来将会使用该预算来修建新的晶圆厂，而现在中国台湾媒体报道称，台积电计划2020年开始建造3nm制程的晶圆厂，希望能够在2022年实现3nm制程芯片的量产。 根据台湾《经济日报》的报道，台湾相关部门通过了「台南科学园区二期基地开发暨原一期基地变更计划环差案」，这项议案主要是为了台积电全新的晶圆制造厂而打造。 据悉，台积电计划2020年开始建造最新的3nm制程的晶圆厂，同时最快可以在2022年实现对于3nm制程芯片的量产。目前台积
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台积电，3nm，芯片
- 9日中芯国际集成电路制造有限公司公布截至2018年6月30日止第二季度的综合经营业绩。中芯国际第二季度销售额为8.907亿美元，与上一季度环比增长7.2%，与去年同比增长18.6%。欣喜的是，14纳米FinFET制程开始进入到客户导入阶段，可以预见量产目标已不遥远。14纳米FinFET制程如果正式量产，对于中芯国际来说将是一个历史性的时刻。不仅可以确保其遥遥领先于国内的竞争对手，更是可以拉近其和国际芯片大厂之间的距离。 根据中芯国际财报，第二季度不含技术授权收入(授权收入)确认的销售额为8.379亿
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中芯国际 14纳米 FinFET
- 为了能够充分发挥好工艺制程的功耗，性能和面积(PPA)上的优势， 必须要求我们的设计人员将有相关工艺知识的设计战略和优化的IP相结合，其中包括了标准
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FinFET synopsys
- 随着高级工艺的演进，电路设计团队在最先进的晶片上系统内加载更多功能和性能的能力日益增强。与此同时，他们同样面临许多新的设计挑战。多重图案拆分
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FinFET 布线
- 近日，德克萨斯州联邦陪审团作出一项裁决：三星电子因侵犯韩国技术学院一项专利技术，需向后者支付赔偿金或将高达4亿美元。 据了解，韩国技术学院曾向法院提起诉讼，指控三星电子侵犯了其鳍片晶体管技术(FinFET)制程工艺相关的专利技术。然而三星向陪审团表示，它与韩国技术学院合作开发了这项技术，并否认侵犯了相关专利技术。三星还对这项专利的有效性提出了质疑。就在三星对此不屑一顾时，其对手英特尔公司开始向这项技术的发明者取得许可授权，围绕三星是否侵权的力量博弈发生了改变，三星才开始重视这个事件的严重性。 据悉
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三星 FinFET
- 小小的芯片，看似简单，却充满了科技之道。只有真的懂得制造工艺与应用原理，了解每一颗芯片生产背后的艰辛，才能看懂制造商从小处用心的美好。
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芯片 FinFET
- “半导体市场正在经历由技术推动到需求推动的转变。而半导体技术上的创新，可能让半导体晶体管密度再增加1000倍，仍有巨大空间。”近日，美国加州大学伯克利分校教授、国际微电子学家胡正明在接受集微网采访时表示。 自1965年摩尔定律提出以来，历经半个多世纪的发展，如今越来越遭遇挑战，特别是新世纪以来，每隔十年，摩尔定律以及半导体的微型化似乎便会遭遇到可能终止的危机。 胡正明发明了鳍型晶体管(FinFET)以及「全耗尽型绝缘层上硅晶体管」(FD-SOI)，两大革命性创新为半导体带来新契机。 2011年5月
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FinFET 7纳米
- 在2018年，如果苹果新一代产品应用7nm制程工艺的消息被确认，那么对于其竞争对手，或将成为一场腥风血雨;而对于整个产业来说，或将成为转折点;对于我们消费者来说，当然是件好事情。
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7nm FinFET
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