- 近日，台积电正式披露了其最新3nm工艺的细节详情，其晶体管密度达到了破天荒的2．5亿／mm2！
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台积电 晶体管 3nm
- 尽管2020年全球半导体行业会因为疫情导致下滑,但台积电的业绩不降反升,掌握着7nm、5nm先进工艺的他们更受客户青睐。今天的财报会上,台积电也首次正式宣布3nm工艺详情,预定在2022年下半年量产。台积电原本计划4月29日在美国举行技术论坛,正式公布3nm工艺详情,不过这个技术会议已经延期到8月份,今天的Q1财报会议上才首次对外公布3nm工艺的技术信息及进度。台积电表示,3nm工艺研发符合预期,并没有受到疫情影响,预计在2021年进入风险试产阶段,2022年下半年量产。在技术路线上,台积电评估多种选择后
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三星 CPU处理器 台积电 3nm
- 据国外媒体报道，在芯片制造工艺方面走在行业前列的芯片代工商台积电，在2018年率先量产7nm芯片之后，今年将大规模量产5nm芯片，外媒此前的报道显示，台积电今年4月份就将开始为相关客户大规模生产5nm芯片。在7nm投产已两年、5nm工艺即将大规模量产的情况下，台积电也将注意力放在了更先进的3nm工艺上。在最新的报道中，外媒就提到了台积电3nm工艺方面的消息，其表示今年10月份，台积电就将开始安装生产3nm芯片的设备。3nm工艺是5nm之后，芯片制造工艺的一个重要节点。在2019年第四季度的财报分析师电话会
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台积电 3nm
- 很快,台积电和三星的5nm工艺即将量产,与此同时,台积电和三星的3nm工艺也在持续的研发当中。而对于5nm及以下工艺来说,都必须依靠EUV(极紫外)光刻机才能实现。而目前全球只有一家厂商能够供应EUV光刻机,那就是荷兰的ASML。很快,台积电和三星的5nm工艺即将量产,与此同时,台积电和三星的3nm工艺也在持续的研发当中。而对于5nm及以下工艺来说,都必须依靠EUV(极紫外)光刻机才能实现。而目前全球只有一家厂商能够供应EUV光刻机,那就是荷兰的ASML。目前ASML出货的EUV光刻机主要是NXE:340
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3nm EUV
- 在燧原科技（燧原）发布云燧T10之际，燧原与格芯（GLOBALFOUNDRIES）近日共同宣布推出针对数据中心培训的高性能深度学习加速卡解决方案，其核心“邃思”（DTU）基于格芯12LP®FinFET平台及2.5D 封装技术，为云端人工智能训练平台提供高算力、高能效比的数据处理。燧原的“邃思”（DTU）利用格芯12LP FinFET平台拥有141亿个晶体管，采用先进的2.5D封装技术，支持PCIe 4.0接口和燧原 Smart Link高速互联。支持CNN/RNN等各种网络模型和丰富的数据类型
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FinFET 2.5D
- 原文流传年的幻灯片并非出自Intel官方，而是荷兰光刻机巨头ASML在Intel原有幻灯片基础上自行修改的，5nm、3nm、2nm、1.4nm规划均不是出自Intel官方，不代表Intel官方路线图。Intel官方原始幻灯片如下：在IEDM（IEEE国际电子设备会议上），有合作伙伴披露了一张号称是Intel 9月份展示的制造工艺路线图，14nm之后的节点一览无余，甚至推进到了1.4nm。让我们依照时间顺序来看——目前，10nm已经投产，7nm处于开发阶段，5nm处于技术指标定义阶段，3nm处于探索、先导阶
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英特尔 10nm 7nm 5nm 3nm
- 台积公司5奈米 FinFET 强化版（N5P）制程技术上开发的DesignWare PHY IP核包括USB、DisplayPort、DDR、LPDDR、HBM、PCI Express、Ethernet、MIPI和HDMI台积公司N5P工艺上开发的DesignWare基础IP核包括高速、面积优化和低功耗的嵌入式存储器、逻辑库和一次性可编程非易失性存储器。STAR Memory System™采用针对5nm FinFET晶体管缺陷的新算法，可有效测试、修复和诊断嵌入式存储器新思科技（Synopsys, In
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新思 台积合 FinFET 强化版N5P
- 晶圆代工大厂格芯（GLOBALFOUNDRIES）宣布，与IC设计厂SiFive正在合作研发将高频宽存储器（HBM2E）运用于格芯最近宣布的12LP+FinFET解决方案，以扩展高性能DRAM。12LP+FinFET解决方案将提供2.5D封装设计服务，可加速人工智能（AI）应用上市时间。
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格芯 人工智慧应用 12LP+ FinFET
- 尽管日本严格管制半导体材料多少都会影响三星的芯片、面板研发、生产，但是上周三星依然在日本举行了“三星晶圆代工论坛”SFF会议，公布了旗下新一代工艺的进展，其中3nm工艺明年就完成开发了。三星在10nm、7nm及5nm节点的进度都会比台积电要晚一些，导致台积电几乎包揽了目前的7nm芯片订单，三星只抢到IBM、NVIDIA及高通部分订单。不过三星已经把目标放在了未来的3nm工艺上，预计2021年量产。在3nm节点，三星将从FinFET晶体管转向GAA环绕栅极晶体管工艺，其中3nm工艺使用的是第一代GAA晶体管
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CPU处理器，3nm
- 如今在半导体工艺上，台积电一直十分激进，7nm EUV工艺已经量产，5nm马上就来，3nm也不远了。台积电CEO兼联席主席蔡力行(C.C. Wei)在投资者与分析师会议上透露，台积电的N3 3nm工艺技术研发非常顺利，已经有早期客户参与进来，与台积电一起进行技术定义，3nm将在未来进一步深化台积电的领导地位。目前，3nm工艺仍在早期研发阶段，台积电也没有给出任何技术细节，以及性能、功耗指标，比如相比5nm工艺能提升多少，只是说3nm将是一个全新的工艺节点，而不是5nm的改进版。台积电只是说，已经评估了3n
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台积电 3nm
- 今天有多家媒体报道了中国科研人员实现了3nm半导体工艺的突破性进展，香港《南华早报》称中科院微电子所团队的殷华湘等人研究出了3nm晶体管，相当于人类DNA链条宽度，这种晶体管解决了玻尔兹曼热力学的限制。
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3nm 半导体
- 作为全球晶圆代工市场的一哥，台积电一家就占了全球50-60%的份额，几乎吃下所有7nm先进订单。不过今年遇到了半导体市场熊市，台积电Q1季度营收、盈利也不免受影响下滑，净利润暴跌了32%。不过台积电今年依然要砸钱研发新工艺，预计会在7nm、5nm及3nm工艺研发上投资80亿美元之多。
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台积电 Q1 7/5/3nm
- 在智能手机、存储芯片业务陷入竞争不利或者跌价的困境之时，三星也将业务重点转向逻辑工艺代工。在今天的三星晶圆代工SFF美国分会上，三星宣布四种FinFET工艺，涵盖了7nm到4nm，再往后则是3nm GAA工艺了，通过使用全新的晶体管结构可使性能提升35%、功耗降低50%，芯片面积缩小45%。
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三星 3nm
- 在半导体晶圆代工市场上，台积电TSMC是全球一哥，一家就占据了全球50%以上的份额，而且率先量产7nm等先进工艺，官方表示该工艺领先友商一年时间，明年就会量产5nm工艺。在台积电之外，三星也在加大先进工艺的追赶，目前的路线图已经到了3nm工艺节点，下周三星就会宣布3nm以下的工艺路线图，紧逼台积电，而且会一步步挑战摩尔定律极限。
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三星 台积电 3nm
- 科技的发展有时超出了我等普通人的想象，今年台积电才开始量产7nm，计划明年量产5nm，这不3nm又计划在2022年实现量产，这样的大踏步前进可以说是竞争争夺激烈的结果、也是科技快速发展的结果。
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3nm 台积电
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