- 半导体产业正在转换到3D结构，进而导致关键薄膜层对高速原子层沉积(ALD)的需求日益升高。过去在平面元件中虽可使用几个 PVD 与 CVD 步骤，但就闸极堆叠的观点而言，过渡到 FinFET 元件将需要全方位的 ALD 解决方案。
就 FinFET 而言，以其尺寸及控制关键元件参数对后闸极 (gate last) 处理的需求来说，在 14 奈米制程必需用到全 ALD 层。半导体设备大厂 ASM International (ASMI) 针对此一趋势，与《电子工程专辑》谈到了ALD 技术在先进半导
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半导体 FinFET ALD
- 联电14nm鳍式电晶体(FinFET)制程技术将于后年初开始试产。联电正全力研发新一代14nmFinFET制程技术，预计效能可较现今28nm制程提升35～40%，可提供通讯晶片与应用处理器低功耗与高效能优势，扩大抢攻通讯与消费性电子IC制造商机。
联电执行长孙世伟表示，14nmFinFET制程技术将会是联电切入未来次世代通讯运算市场的最佳利器。
联电执行长孙世伟表示，由于晶圆从28跨入20nm制程以下的微缩过程中，势必得使用双重曝光(DoublePatterning)微影技术才能实现，而此
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联电 处理器 14nm FinFET
- 电子设计企业Cadence Design Systems, Inc.今天宣布，借助IBM FinFET晶体管技术，已经成功流片了14nm工艺的ARM Cortex-M0处理器试验芯片。
Cadence、ARM、IBM三者之间已经达成了多年的合作协议
Cadence、ARM、IBM三者之间已经达成了多年的合作协议，共同开发14nm以及更先进的半导体工艺，14nm芯片和生态系统就是三方合作的一个重要里程碑。
这次的试验芯片主要是用来对14nm工艺设计IP的
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Cadence 芯片 FinFET
- 台积电在本周二(10月16日)的年度大会中，宣布制订了20nm平面、16nm FinFET和2.5D发展蓝图。台积电也将使用ARM的第一款64位元处理器V8来测试16nm FinFET制程，并可望在未来一年内推出首款测试晶片。
台积电与其合作伙伴们表示，用于20nm和16nm FinFET的双重图形技术对晶片设计人员带来了极大挑战。台积电的发展蓝图大致与竞争对手Globalfoundries 类似，都希望能在明年启动20nm制程，2014开始14nm FinFET制程。
台积电的目标提前在
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台积电 FinFET ARM V8
- 日前，GLOBALFOUNDRIES宣布推出采用FinFET架构的14nm-XM技术，其全球销售和市场营销执行副总裁Michael Noonen近日接受媒体访问，对有关问题进行了解读。
XM 是 eXtreme Mobility 的缩写，作为业界领先的非平面结构，它真正为移动系统级芯片(SoC)设计做了优化，能提供从晶体管到系统级的全方位产品解决方案。与目前20纳米节点的二维平面晶体管相比，该技术可望实现电池功耗效率提升 40%~60%。
Noonen表示：“201
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FinFET 14nm
- 台积电最近表示，其首个 FinFET 制程将会搭配16nm节点，而且可能会在2015年下半年量产。不过，台积电也会在20nm后段制程中使用 FinFET ，因此，该公司的 FinFET 时程表可能还会有变数。
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台积电 FinFET
- 随着半导体产业向22纳米技术节点外观的发展，一些制造商正在考虑从平面CMOS晶体管向三维（3D）FinFET器件结构的过渡。相对于平面晶体管，FinFET元件提供更好的渠道控制，因此，降低短通道效应。当平面晶体管的栅极在沟道之上，FinFET的栅极环绕沟道，从双向提供静电控制。
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SOI 体硅 FinFET
- 自从Intel正式对外公布22nm制程节点将启用Finfet垂直型晶体管结构，吸引了众人的注意之后，台积电，GlobalFoundries等芯片代工厂最近纷纷表态称芯片代工市场在未来一段时间内(至少到下一个节点制程时)仍将采用传统基于平面型晶体管结构的技术。他们给出的理由是，Intel手上只有少数几套芯片产品，因此Intel方面要实现到Finfet的晶体管架构升迁时，在芯片设计与制造方面需要作出的改动相对较小，而芯片代工商则情况 完全不同。
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台积电 Finfet
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