- 据国外媒体报道，在7nm和5nm制程工艺的量产时间上基本能跟上台积电节奏的三星电子，在更先进的3nm制程工艺上有望先于台积电量产，有报道称他们正推进在二季度量产。三星电子在二季度的展望中提到，他们的技术领先将通过首个大规模量产的全环绕栅极晶体管3nm工艺进一步加强，他们也将扩大供应，确保获得全球客户新的订单，包括美国和欧洲客户的订单。外媒的报道显示，三星电子方面已经宣布，他们早期3nm级栅极全能（3GAE）工艺将在二季度量产。三星电子宣布的这一消息，也就意味着业界首个3nm制程工艺即将量产，将是首个采用全
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三星 3nm 台积电
- 虽然栅极间距(GP)和鳍片间距(FP)的微缩持续为FinFET平台带来更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先进节点上，兼顾寄生电容电阻的控制和实现更高的晶体管性能变得更具挑战。泛林集团在与比利时微电子研究中心 (imec) 的合作中，使用了SEMulator3D®虚拟制造技术来探索端到端的解决方案，运用电路模拟更好地了解工艺变化的影响。我们首次开发了一种将SEMulator3D与BSIM紧凑型模型相耦合的方法，以评估工艺变化对电路性能的影响。这项研究的目的是优化先进节点FinFET设计的源漏尺寸和侧墙厚
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- 据国外媒体报道，在2月份有报道称台积电的3nm工艺遇到良品率难题，可能影响到AMD、英伟达等部分客户的产品路线图之后，又出现了三星电子3nm工艺的良品率远不及预期的消息。韩国媒体的报道显示，三星电子3nm制程工艺的良品率，才到10%-20%，远不及公司期望的目标，在提升3nm工艺的良品率方面，也陷入了挣扎。另外，三星4nm工艺制造的良率也不尽如人意，仅为30%-35%。三星电子和台积电是目前已顺利量产5nm工艺，并在推进3nm工艺量产事宜的晶圆代工商，与台积电继续采用鳍式场效应晶体管（FinFET）架构不
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- 日前，由于苹果、AMD、联发科等客户5nm订单积累太多，台积电不得不先把3nm工厂临时拉出来给5nm扩产。今年有大量芯片会升级5nm工艺或者改进版的4nm工艺，苹果这边有M1/M1 Pro/M1 Max，M2系列很快也要量产了，产能需求很高。 除了苹果这个VVVIP客户之外，AMD今年也会有5nm Zen4架构处理器及5nm RDNA3架构GPU芯片，他们也是最重要的5nm工艺客户之一。联发科今天发布了天玑8100/8000处理器，也是台积电5nm工艺，投片量也不低，NVIDIA
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- 根据国外媒体tomshardware报道，由于台积电3nm工艺良率存在问题，苹果或放弃采用3nm工艺打造新一代A16芯片，这也意味着今年将要发布的iPhone 14疑似无缘3nm芯片。据了解，将搭载在iPhone 14上的苹果A16处理器计划采用台积电3nm工艺生产，但是由于台积电可能需要到2023年Q1季度才能批量交付3nm芯片，因此A16处理器智能转为使用台积电4nm工艺打造。
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- 由于半导体芯片产能紧缺，台积电此前宣布三年内投资1000亿美元，约合6300多亿人民币，主要用于建设新一代的3nm、2nm芯片厂，盖长的需求太高，现在连建筑用的砖块都要抢购了。据《财讯》报道，这两年芯片产能紧缺，但是比芯片产能更缺的还有一种建材——白砖，连台积电都得排队抢购。这种砖块是一种特殊的建材，具备隔音、轻量、隔热、防火、环保、便利等优点，重量只有传统红砖的一半左右，是很多工厂及房产建设中都需要的材料。对台积电来说，一方面它们自己建设晶圆厂需要大量白砖，另一方面它们在当地某个城市建设晶圆厂，往往还会
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- 近日，关于台积电3nm工艺制程有了新消息，据外媒digitimes最新报道，半导体设备厂商透露，台积电3纳米良率拉升难度飙升，台积电因此多次修正3纳米蓝图。实际上，随着晶体管数量的堆积，内部结构的复杂化，3nm工艺制程的良品率确实很难快速提升，达成比较好的量产水平。因此，台积电或将规划包括N3、N3E与N3B等多个不同良率和制程工艺的技术，以满足不同厂商的性能需求，正如同去年苹果在A15上进行不同芯片性能阉割一致，即能满足量产需求，还能平摊制造成本，保持利润。此外，还有消息称台积电将在2023年第一季度开
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- 据业内消息人士透露，英特尔高管正准备访问芯片代工巨头台积电，以求敲定3纳米芯片的生产计划，避免与苹果公司争夺产能。最新消息呼应了之前的传闻，即英特尔正在考虑将生产外包给台积电，并称未来几周双方将举行会谈。有报道称两家公司的高管将在本月中旬会面，专门洽谈3nm工艺代工事宜，双方还将探讨2nm工艺的合作。英特尔始终坚持自己制造CPU，但近年来在这方面落后于台积电，其CPU不仅功耗高，而且效率更低。这促使苹果致力于逐步淘汰用于Mac的英特尔芯片，并计划用自主研发的Apple Silicon取而代之。英特尔是目前
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- 12月3日消息，苹果芯片制造合作伙伴台积电目前已经开始试产3纳米芯片，预计将在明年第四季度实现量产，这种芯片2023年有望出现在苹果最新款的iPhone智能手机中。 据业内人士透露，台积电已在旗下晶圆厂Fab 18厂开始利用3纳米制程工艺进行芯片的试生产，并计划在2022年第四季度前实现量产。 上月有报道称，苹果将在Mac、iPhone和iPad上使用3纳米芯片。尽管有传言称2022年发布的iPhone 14会采用3纳米芯片，但新报道称预计将从2023年推出的新款iPhone和Mac开始。 目前
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- 随着近年来芯片制造巨头在半导体产业中的地位日益凸显 ，先进制程正成为全球各国科技角力场的最前线。而最新的战火，已经烧到3nm制程。TrendForce数据最新显示，目前台积电的市场份额接近52.9%，是全球最大的芯片代工企业，而三星位居第二，市场份额为17.3%。在近几个季度的财报会议上，台积电总裁魏哲家就透露，3nm晶圆片计划今年下半年风险试产，明年可实现量产。而三星也一直对3nm工艺寄予厚望，不仅在多年前就已开始投入研发事宜，更在今年上半年宣布预备投入1160亿美元研发和生产3nm制程，以期赶超台积电
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- 近日，据最新消息显示，台积电供应链透露，Intel将领先苹果，率先采用台积电3nm制程生产绘图芯片、服务器处理器。同时，报告中还显示，明年Q2开始在台积电18b厂投片，明年7月量产，实际量产时间较原计划提早一年。 在此之前就有消息称，Intel已经规划了至少两款基于台积电3nm工艺的芯片产品，分别是笔记本CPU和服务器CPU，最快2022年底投入量产。按照台积电之前的说法，相较于5nm，3nm工艺性能提升10~15%，功耗降低了25~30%。 除此之外，
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- 观察2021年主导半导体产业的新技术趋势，可以从新的半导体技术来着眼。基本上半导体技术可以分为三大类，第一类是独立电子、计算机和通讯技术，基础技术是CMOS FinFET。在今天，最先进的是5奈米生产制程，其中有些是FinFET 架构的变体。这是大规模导入极紫外光刻技术，逐步取代多重图形光刻方法。 图一 : 半导体的创新必须能转化为成本可承受的产品。我们知道，目前三星、台积电和英特尔等主要厂商与IBM 合作，正在开发下一代3/2奈米，在那里我们会看到一种新的突破，因为他们最有可能转向奈米片全环绕
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- 中芯国际联席CEO赵海军透露了公司的先进工艺的情况，表示FinFET工艺已经达产，每月1.5万片，客户不断进来。在最近的财报电话会上，中芯国际联席CEO赵海军透露了公司的先进工艺的情况，表示“我们的FinFET工艺已经达产，每月1.5万片，客户多样化，不同的产品平台都导入了。(这部分)产能处于紧俏状态，客户不断进来。”根据之前的报道，中芯国际的FinFET工艺有多种类型，其中第一代FinFET工艺是14nm及改进型的12nm，目前1.5万片产能的主要就是14/12nm工艺，第二代则是n+1、n+2工艺，已
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- 我们知道，苹果的A系列处理器一般来说都是每年首发台积电最新工艺，不过，根据爆料，在3nm节点上，苹果的A16处理器或不再首发跟进，会继续用5nm改进的4nm工艺，3nm处理器可能会在iPad上首发。另一方面，台积电的3nm工艺（代号N3）也确实跳票了，此前的财报会上，台积电表示，与5nm和7nm相比，3nm确实有3-4个月的延迟。台积电称，事实上3nm工艺无论在客户产品设计还是加工工艺上都很复杂，他们也在与客户密切沟通以最好地满足他们的需求。据了解，N3计划2021年进行风险生产，2022年下半年开始量产
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- 据外媒报道，三星宣布3nm工艺技术已正式发流片。据报道，三星的3mm工艺采用GAA架构，性能优于台积电的3nm FinFET架构。 报告称，三星在3纳米工艺中的流片进展是与新思科技合作完成的，旨在加快为GAA架构的生产工艺提供高度优化的参考方法。三星的3nm工艺采用GAA结构，而不是台积电或英特尔采用的FinFET结构。因此，三星采用新思科技的Fusion Design Platform。 在技术性能方面，基于GAA架构的晶体管可以提供比FinFET更好的静电特性，可以满足一定栅极宽度的要求。这主
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