IT之家 5 月 24 日消息，台积电高管黄远国昨日在 2024 年台积电技术论坛新竹场表示，该企业将在今年新建七座工厂，而今年的 3nm 产能将达到去年的四倍。具体而言，台积电 2024 年将在全球建设 5 座晶圆厂和 2 座先进封装厂。台积电位于新竹的 Fab 20 和位于高雄的 F22 晶圆厂均面向 2nm 制程，目前都处于设备进驻阶段，预计 2025 年陆续进入量产。IT之家早前报道中也提到，台积电已确认其欧洲子公司 ESMC 位于德国德累斯顿的首座晶圆厂将于今年四季度动工，预估 202
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全球半导体大厂韩国三星即将在今年上半年量产的第2代3nm制程，不过据韩媒指出，三星3nm制程目前良率仅有20%，相较于台积电N3B制程良率接近55%，还不及台积电良率的4成，使得三星在争夺英伟达（NVIDIA）代工订单受挫。外媒分析称，三星恐怕要在先进制程上多加努力，才有可能与台积电竞争，留住大客户的订单。据《芯智讯》引述韩媒的报导说，本月初EDA大厂新思科技曾宣布，三星采用最新3nm GAA制程的旗舰行动系统单芯片（SoC），基于新思科技的EDA工具已成功完成设计定案（tape out）。外界认为，该芯
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IT之家 5 月 17 日消息，台积电近日举办技术研讨会，表示其 3nm 工艺节点已步入正轨，N3P 节点将于 2024 年下半年投入量产。N3P 基于 N3E 工艺节点，进一步提高能效和晶体管密度。台积电表示 N3E 节点良率进一步提高，已经媲美成熟的 5nm 工艺。IT之家查询相关报道，台积电高管表示 N3P 工艺目前已经完成质量验证，其良品率可以接近于 N3E。作为一种光学微缩工艺，N3P 在 IP 模块、设计规则、EDA 工具和方法方面兼容 N3E，因此台积电表示整个过渡过程非常顺利。N
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最新消息，台积电官网宣布，在亚利桑那州建设的第二座晶圆厂制程工艺将由最初计划的3nm升级为更先进的2nm，量产时间也由2026年推迟到了2028年。2022年12月6日，在台积电亚利桑那州第一座晶圆厂建设两年多之后宣布建设第二座晶圆厂。在今年一季度的财报分析师电话会议上，CEO魏哲家提到这一座晶圆厂已经封顶，最后的钢梁已经吊装到位。对于将第二座晶圆厂的制程工艺由最初计划的3nm提升到2nm，台积电CEO魏哲家在一季度的财报分析师电话会议上也作出了回应，他表示是为了支持AI相关的强劲需求。在OpenAI训练
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这款测试芯片是业界首款采用12纳米FinFet（FF）技术为音频IP提供完整解决方案的产品。该芯片完美结合了高性能、低功耗和优化的占板面积，为电池供电应用提供卓越的音质与功能。这款专用测试芯片通过加快产品上市进程、提供同类最佳性能、及确保稳健的产品设计，坚定客户对Dolphin Design产品的信心，再度证实了Dolphin Design在混合信号IP领域的行业领先地位。2024年2月22日，法国格勒诺布尔——高性能模拟、混合信号、处理知识产权（IP）以及ASIC设计的行业领先供应商Dolphin De
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最新报道，三星的3nm GAA生产工艺存在问题，原计划搭载于Galaxy S25/S25+手机的Exynos 2500芯片在生产过程中被发现存在严重缺陷，导致良品率直接跌至0%。报道详细指出，由于Exynos 2500芯片在3nm工艺下的生产质量问题，未能通过三星内部的质量检测。这不仅影响了Galaxy S25系列手机的生产计划，还导致原定于后续推出的Galaxy Watch 7的芯片组也无法如期进入量产阶段。值得关注的是，Exynos 2500原计划沿用上一代的10核CPU架构，升级之处在于将采用全新的
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3D 芯片堆叠对于补充晶体管的发展路线图至关重要。
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FinFET
2 月 2 日消息，根据韩媒 DealSite+ 报道，三星的 3nm GAA 生产工艺存在问题，尝试生产适用于 Galaxy S25 / S25+ 手机的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 0%。报道指出由于 3nm 工艺的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通过质量测试，导致后续 Galaxy Watch 7 的芯片组也无法量产。此前报道，Exynos 2500 将沿用上一代的 10 核 CPU 架构，同时引入全新的 Cortex-X5 核心。Exynos 2500 的
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据外媒，除了传统客户联发科、AMD、英伟达、英特尔、高通外，特斯拉也已确认参与台积电(TSMC)明年的3nm NTO芯片设计定案（New Tape-Outs，NTOs）。报道称，特斯拉成为台积电N3P的客户也表明，其打算利用该尖端技术生产下一代全自动驾驶(FSD)智能驾驶芯片。据了解，台积电N3P工艺计划预计在2024年投产，与N3E工艺相比，N3P的性能提高5%，功耗降低5%到10%，芯片密度提高1.04倍。台积电表示，N3P的性能、功耗和面积(PPA)指标，以及技术成熟度，都超过了英特尔的18A工艺。
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11月6日，联发科发布的新一代的旗舰平台天玑9300处理器大胆创新，取消了低功耗核心簇，转而采用“全大核”架构，包含四颗Cortex-X4 超大核（最高频率可达3.25GHz）以及四颗主频为2.0GHz的Cortex-A720大核。虽然此前曾有传言称这款芯片存在过热问题，但联发科予以否认并声称其性能表现出色。近期有爆料称联发科并没有因天玑9300的争议而改变策略，反而将在明年的天玑9400上继续采用“全大核”架构。日前有消息源还透露了明年的旗舰芯片天玑9400将首次用上台积电的N3E制程工艺 ——&nbs
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IT之家 11 月 22 日消息，台积电初代 3nm 工艺 N3B 目前仅有一个客户在用，那就是苹果。根据中国台湾《工商时报》的消息，目前 3nm 晶圆每片接近 2 万美元（IT之家备注：当前约 14.3 万元人民币） ，而良率为 55%，所以目前只有苹果一家愿意且有能力支付，而且苹果目前也预订了台积电今年大部分 3nm 产能。随着 3nm 代工产能拉升，台积电 3nm 产能今年底有望达到 6～7 万片，全年营收占比有望突破 5％，明年更有机会达到 1 成。据称，在英伟达、高通、联发科
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10月31日消息，苹果举行新品发布会，线上发布M3系列芯片（M3、M3 Pro以及M3 Max），除了芯片更新苹果还带来了搭载M3系列芯片的MacBook Pro以及24英寸版iMac。这是苹果首次将Pro与Max首次与基础款同时公布，苹果官方在发布会中也表示：这一系列的芯片采用了最新的3nm工艺制程，意味着比当前的M2系列将要「快得吓人」。M3系列芯片信息：M3配备8核CPU，10核GPU，24GB统一内存，速度最高比M2提升20%M3 Pro配备12核CPU，18核GPU，36GB统一内存，速度最高比
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摘要：● 全新参考流程针对台积公司 N4PRF 工艺打造，提供开放、高效的射频设计解决方案。● 业界领先的电磁仿真工具将提升WiFi-7系统的性能和功耗效率。● 集成的设计流程提升了开发者的生产率，提高了仿真精度，并加快产品的上市时间。近日宣布，携手是德科技（Keysight）、Ansys共同推出面向台积公司业界领先N4PRF工艺（4纳米射频FinFET工艺）的全新参考流程。该参考流程基于新思科技的定制设计系列产品，为追求更高预测精度
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作为当前全球最先进的制程工艺，台积电和三星的3nm制程工艺均已在去年量产，其中三星电子是在6月30日开始量产，台积电则是在12月29日开始商业化生产。从外媒最新的报道来看，这两大厂商3nm制程工艺的良品率，目前均还在60%以下，在将良品率提升到60%以上都遇到了挑战。此前预计三星的良品率在今年将超过60%，台积电的良品率在8月份时就已在70%-80%，高于三星电子。虽然三星电子3nm制程工艺为一家客户代工的芯片，良品率达到了60%，但由于并不包括逻辑芯片的SRAM，不被认为是完整的3nm制程工艺产品。3n
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● 新参考流程采用台积电 N4PRF 制程，提供了开放、高效的射频设计解决方案● 强大的电磁仿真工具可提升 WiFi-7 系统的性能和功率效率● 综合流程可提高设计效率，实现更准确的仿真，从而更快将产品推向市场是德科技、新思科技和Ansys携手为台积电的先进4nm射频FinFET制程打造全新参考流程，助力RFIC半导体设计加速发展是德科技、新思科技公司和 Ansys 公司近日宣布携手推出面向台积电 N4PRF 制程的新参考流程。N4P
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