先进封装被广泛认为是扩展和超越摩尔定律的关键技术途径。面对芯片扩展的物理限制和工艺节点小型化步伐的放缓，先进封装通过系统级封装 （SiP）、异构集成和高密度互连实现计算性能和能效的持续改进。台积电的技术论坛即将举行，据外媒报道，预计台积电将在活动中讨论 CoPoS 的技术概念。这将与 2025 Touch Taiwan 技术论坛同时进行，产生协同效应。SemiVision Research 将对 CoPoS 技术进行深入讨论，并分析台湾和全球供应链格局。由于这种封装技术与基于面板的工艺密切相关，台湾面板制
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先进封装 TSMC FOPLP CoPoS
TSMC 展示了用于 AI 的集成稳压器 （IVR），其垂直功率密度是分立设计的五倍。最新的 AI 数据中心芯片需要 1000A 的电流，下一代芯片需要 2000A 或千瓦的功率。提供此类电流的一种关键方法是使用垂直功率传输，并将功率馈送到 AI 芯片的背面。TSMC 开发的 IVR 使用基于 16nm 工艺技术的电源管理 IC （PMIC），该 ICS 集成了 2.5nH 或 5nH 的“超薄”电感器与硅通孔 （TSV）。该 PMIC 将具有陶瓷层来构建电感器，PMIC 将位于衬底上，与使用 TSMC
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TSMC AI kW 集成稳压器
在该公司的北美技术研讨会上，台积电业务发展和海外运营办公室高级副总裁兼联合首席运营官 Kevin Zhang 称其为“最后也是最好的 finfet 节点”。台积电的策略是开发 N3 工艺的多种变体，创建一个全面的、可定制的硅资源。“我们的目标是让集成芯片性能成为一个平台，”Zhang 说。 截至目前，可用或计划中 N3 变体是：N3B：基准 3nm 工艺。N3E：成本优化的版本，具有更少的 EUV 层数，并且没有 EUV 双重图形。它的逻辑密度低于 N3，但具有更好的良率。N3P：N3E 的增强版本，在相
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Avicena 将与台积电合作，为 Avicena 革命性的基于 LightBundle microLED 的互连优化光电探测器 （PD） 阵列。LightBundle 互连支持超过 1 Tbps/mm 的海岸线密度，并以一流的 sub-pJ/bit 能效将超高密度晶粒到晶粒 （D2D） 连接扩展到 10 米以上。这将使 AI 纵向扩展网络能够支持跨多个机架的大型 GPU 集群，消除当前铜互连的覆盖范围限制，同时大幅降低功耗。日益复杂的 AI 模型推动了对计算和内存性能的需求空前激增，需要具有更高密度、更
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一位消息人士告诉《日经新闻》（Nikkei），决定生产“应该从稍小的方形开始，而不是在早期试验中从更雄心勃勃的大方形开始。用化学品均匀地涂覆整个基材尤其具有挑战性。首次生产将于 2017 年在桃园市试行。据报道，日月光科技最初表示正在建造一条使用 600 x 600 毫米基板的 PLP 生产线，但在听说台积电的决定后，决定在高雄建造另一条使用 310x310 毫米基板的试点生产线。PLP 技术由 Fraunhofer 于 2016 年推出，当时它与 17 个合作伙伴成立了面板级封装联盟 （PLC）。
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TSMC 衬底 PLP
上个月台积电（TSMC）宣布，有意增加1000亿美元投资于美国先进半导体制造，扩大投资计划包括了三座新建晶圆厂、两座先进封装设施、以及一间主要的研发团队中心。台积电在美国亚利桑那州凤凰城的晶圆厂名为Fab
21，前后花了大概五年时间才完成第一间晶圆厂。不过随着项目的推进，台积电在当地的设施建造速度变得更快。据TrendForce报道，台积电打算将FOPLP封装技术带入美国，以满足当地客户日益增长的需求。台积电正在确定FOPLP封装的最终规格，以加快大规模生产的时间表。初代产品预计采用300mm
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去年末有报道称，小米即将迎来了自己的SoC，已完成了其首款3nm自研芯片的流片工作，剩下唯一的步骤就是与代工合作伙伴确定订单，批量生产自己设计的芯片。小米曾在2017年推出了澎湃S1，搭载于小米5c，对SoC并不陌生。据Wccftech报道，虽然中国大陆的芯片设计公司或许不能采用台积电（TSMC）最新的制造工艺，但最新消息指出，相关的管制措施暂时没有影响到小米，该款SoC有望在今年晚些时候推出。不过与之前的消息有些不同，小米的自研芯片采用的并非3nm工艺，而是4nm工艺，具体来说是N4P。小米的SoC在C
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台积电（TSMC）在去年12月已经对2nm工艺进行了试产，良品率超过了60%，大大超过了预期。目前台积电有两家位于中国台湾的晶圆厂专注在2nm工艺，分别是北部的宝山工厂，还有南部的高雄工厂，已经进入小规模评估阶段，初期产能同样是月产量5000片晶圆。据Wccftech报道，最新消息称，台积电将从2025年4月1日起开始接受2nm订单，苹果大概率会是首个客户。传闻苹果计划采用2nm工艺制造A20，用于2026年下半年发布的iPhone 18系列智能手机上。除了苹果以为，AMD、英特尔、博通和AWS等都准备排
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上周在 IEEE 国际固态电路会议 （ISSCC） 上，先进芯片制造领域最大的两个竞争对手 Intel 和 TSMC 详细介绍了使用其最新技术 Intel 18a 和 TSMC N2 构建的关键内存电路 SRAM 的功能.多年来，芯片制造商不断缩小电路规模的能力有所放缓，但缩小 SRAM 尤其困难，因为 SRAM 由大型存储单元阵列和支持电路组成。两家公司最密集封装的 SRAM 模块使用 0.02
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2月25日消息，苹果记者Mark Gurman透露，苹果计划在未来将5G调制解调器集成到设备的主芯片组中，这意味着未来不会再有A18芯片组与独立的C1调制解调器，而是两者合二为一，不过这一成果需要几年时间才能实现。据悉，苹果自研5G基带芯片由iPhone 16e首发搭载，该机同时还搭载了A18芯片，支持Apple智能。报道显示，苹果自研的5G基带芯片C1由台积电（TSMC）代工，其基带调制解调器采用4nm工艺，而接收器则采用了7nm工艺，这种组合是兼顾性能与功耗的解决方案。按照计划，苹果明年将会扩大自研基
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台积电本周在旧金山举行的 IEEE 国际电子设备会议 （IEDM） 上介绍了其下一代晶体管技术。N2 或 2 纳米技术是这家半导体代工巨头首次涉足一种新的晶体管架构，称为纳米片(Nanosheet)或全环绕栅极。三星有制造类似设备的工艺，英特尔和台积电都预计在 2025 年生产它们。与台积电目前最先进的工艺 N3（3 纳米）相比，这项新技术可将能效提高 15% 或提高 30%，同时将密度提高 15%。N2是“四年多的劳动成果”，台积电研发和先进技术副总裁Geoffrey Ye
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前一段时间，台积电（TSMC）董事长兼首席执行官魏哲家表示，客户对于2nm的询问多于3nm，看起来更受客户的欢迎，未来五年内台积电有望实现连续、健康的增长。目前看来，2nm不但能复制3nm的成功，甚至有超越的势头，为此台积电加快了2nm产线的建设，并进一步扩大了产能规划。由于台积电在海外还有新修晶圆厂的计划，据相关媒体报道，中国台湾当地的主管部门表示，虽然台积电在美国、欧洲和日本都在建造先进工艺的晶圆厂，但是最先进的半导体生产技术不能转移到海外的生产设施，这受到当地法律的保护，核心技术不能外移，现阶段无法
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台积电OIP（开放创新平台）于美西当地时间25日展开，除表扬包括力旺、M31在内之业者外，更计划推出3Dblox新标准，进一步加速3D IC生态系统创新，并提高EDA工具的通用性。 台积电设计构建管理处负责人Dan Kochpatcharin表示，将与OIP合作伙伴一同突破3D IC架构中的物理挑战，帮助共同客户利用最新的TSMC 3DFabric技术实现优化的设计。台积电OIP生态系统论坛今年由北美站起跑，与设计合作伙伴及客户共同探讨如何通过更深层次的合作，推动AI芯片设计的创新。 Dan Kochpa
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台湾半导体制造公司（TSMC）是全球最大的半导体代工企业，以其先进的制造技术而闻名。2024年，TSMC的股价预计将继续上涨，这主要得益于其在人工智能和高性能计算领域的领先地位。随着人工智能技术的迅速发展，对高端AI GPU的需求不断增加，这些GPU几乎全部由TSMC的先进芯片技术提供支持。这使得TSMC在半导体代工服务市场的占有率超过50%，并为其长期增长前景提供了强有力的支撑。此外，TSMC在2024年的收入预计将增长超过20%，这进一步增强了投资者对其股票的信心。这一增长主要得益于其在7纳米和5纳米
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（2023年6月27日，中国上海）近日，全球领先的工业自动化、信息化和数字化转型企业之一罗克韦尔自动化 (NYSE: ROK) 正式发布中文版《可持续发展 2022 年度报告》。这份共计93页的报告以数字文档的形式发布，详细介绍了罗克韦尔自动化的可持续发展战略与成果，以及公司如何通过在制造业乃至全球各地社区开展合作，为可持续领域带来影响和变革。 “这是我们迄今为止最富成果的一份报告。”罗克韦尔自动化董事会主席兼首席执行官 Blake Moret 说道，“报告反映出可持续发展日益提高的重要性。可持
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